什么是三星數碼自然影像技術/DNle/FED顯示技術

三星數碼自然影像技術DNIe（Digital Natural Image engine），該技術開始于一個智能分析，分析輸入的任何形式信號，在分析了信號源、干擾程度和縮放比之后，再對源信號進行四個過程的處理，之后輸出優化后的信號。
　　這四個過程分別是：3D動態最優化，即通過3D分析對目標像素和下幅畫面的相關像素進行分析，消除斑點和干擾；對比度加強，即通過自動對比度的分析和調整在合理范圍內動態調整明暗對比；細節放大，即通過頻率特征的改進和邊緣的自然過渡，對畫面的每個細節進行加強同時避免干擾和閃爍；色彩優化，即動態加強白色調與相連區域的區別，膚色的純真度由此加強。

??? Field Emission Display (or Field Effection Display)，場發射顯示器（場效應顯示器）。
??? 所謂電子發射是指電子從陰極逸出進入真空或其它氣體媒質中的過程。所有物體都含有大量的電子，常態下不逸出物體，當電子獲得足夠的能量，足以克服阻礙其逸出物體表面的力時，便產生了電子發射。電子發射按照其獲得外加能量的方式，即電子的受激發方式分為以下四種：熱電子發射，光電子發射，次級電子發射及場致電子發射。
??? ①熱電子發射：電子靠加熱物體提供能量，當溫度升高，電子的無序熱運動的能量隨之增大，直致電子能夠克服阻礙它逸出固體表面的阻力而逸出物體的發射；
??? ②光電子發射：即外光電效應，與電子沒有逸出物體表面的內光電效應有區別，電子靠光輻射吸收光量子能量而逸出物體產生的發射；
??? ③次級電子發射：界外獲得能量的電子穿入物體內部，把能量傳遞給物體內部的電子，使之逸出的發射方式；
??? ④場致電子發射：也稱自電子發射、冷發射，在物體表面加強電場以削弱阻礙電子逸出物體的力，利用隧道效應而產生的發射。
　　場致電子發射現象是在強外加電場作用下固體表面發生的發射電子的現象。它與熱電子發射、光電子發射和二次電子發射的不同之處在于：熱電子、光電子和二次電子的發射是由于固體內部電子獲得外部給予的能量而被激發、當被激發的電子具有高于表面逸出勢壘的動能時就逸出固體表面的電子發射，而場致電子發射是利用加在物體表面的強電場束削弱阻礙電子逸出物體的力，并利用隧道效應使固體向真空發射出電子，由于外加強電場使表面勢壘高度降低，寬度變窄，電子穿透勢壘的幾率增加，因而發射電流隨之迅速增加，其電子主要來自費米能級附近較窄范圍的能帶上。
　　場發射與其它三種電子發射有性質上的不同。熱電子發射、光電子發射、次級電子發射都是以不同的形式給予物體內電子以能量，使它們能越過物體表面上的勢壘而逸出。場發射的電子不是靠外部給予能量而被激發，場致電子發射或者是用外部強電場來壓抑表面勢壘，使得固體材料的表面勢壘最高點降低，勢壘寬度變窄，基于動力學原理使得電子可隧穿表面勢壘而逸出（外場致發射）；或者用內部強電場使電子從金屬基底進入介質層，并在介質層中得到加速而獲得足夠能量，不再需要另加能量就可逸出（內場致發射）。
　　外電場有兩個作用：一是降低表面勢壘，二是減少勢壘寬度。Fowler和Nordheim用量子力學的觀點解釋了金屬的場致發射現象，稱為FN理論。半導體材料在電場中的行為比金屬更為復雜，主要是由于存在電場滲透現象和更為復雜的表面態影響。人們做了許多實驗表明半導體材料包括硅、金剛石薄膜的場發射基本符合FN理論，而且FN理論在物理圖象上非常清楚，容易為人們所接受，因此在對半導體材料場發射結果的具體的討論中，人們也通常采用FN理論。場致電子發射是量子力學中隧道效應的結果，體現電子波動性，由于外加電場使表面勢壘高度降低，寬度變窄，電子穿透勢壘的幾率增加，因而發射電流隨之增加，場致發射的電子主要來自于費米能級附近較窄的能帶上。
　　場致電子發射的形式大體上可分為以下幾種：
??? ⑴尖端外場致電子發射
??? ⑵介質薄膜（介質涂層）內場電子發射
??? ⑶半導體內場致電子發射。