TFFC: 一般指經過襯底剝離的薄膜LED芯片，做成倒裝結構，稱為thin film flip chip，薄膜倒裝LED芯片或者去襯底倒裝LED芯片，簡稱TFFC。
2021-08-10 10:16:47
11046 
外延工藝是指在襯底上生長完全排列有序的單晶體層的工藝。一般來講，外延工藝是在單晶襯底上生長一層與原襯底相同晶格取向的晶體層。外延工藝廣泛用于半導體制造，如集成電路工業的外延硅片。MOS 晶體管
2023-02-13 14:35:4710448 小弟想知道8寸晶圓盒的制造工藝和檢驗規范，還有不知道在大陸有誰在生產？
2010-08-04 14:02:12
氧化鋁晶體導報 工藝情報交流記者李博民高工2011-10-20 長LED藍寶石的5N 氧化鋁 ，鐵必須小于5pp， 硅小于5pp， 鋯小于1pp ，鈦小于1pp，銅小于1ppm，鎳小于1pp，釔
2011-12-20 10:03:56
長LED藍寶石的高純氧化鋁要純度高99.998%是最少的要求、長晶體過程中不能有泡、要白。長出的晶體位錯、晶格要匹配，否則沒用，只能做工業寶石。不發光。賣不出價格。1kg真正的5n氧化鋁高純粉是長出
2011-12-20 10:06:24
結構﹐其耐高電流方面要稍差于TS單電極芯片。3.TS芯片定義和特點定義：TS 芯片：transparent structure(透明襯底)芯片，該芯片屬于HP 的專利產品。特點﹕1.芯片工藝制作復雜
2016-11-04 14:50:17
LED芯片作為LED光源最核心的部件，其質量決定著產品的性能及可靠性。芯片制造工藝多達數十道甚至上百道，結構復雜，尺寸微小（微米級），任何一道工藝或結構異常都會導致芯片失效。同時芯片較為脆弱，任何
2020-10-22 09:40:09
LED芯片作為LED光源最核心的部件，其質量決定著產品的性能及可靠性。芯片制造工藝多達數十道甚至上百道，結構復雜，尺寸微小（微米級），任何一道工藝或結構異常都會導致芯片失效。同時芯片較為脆弱，任何
2020-10-22 15:06:06
的相應位置點上銀膠或絕緣膠。（對于GaAs、SiC導電襯底，具有背面電極的紅光、黃光、黃綠芯片，采用銀膠。對于藍寶石絕緣襯底的藍光、綠光LED芯片，采用絕緣膠來固定芯片。） 工藝難點在于點膠量的控制，在
2020-12-11 15:21:42
硅-硅直接鍵合技術主要應用于SOI、MEMS和大功率器件，按照結構又可以分為兩大類：一類是鍵合襯底材料，包括用于高頻、抗輻射和VSIL的SOI襯底和用于大功率高壓器件的類外延的疏水鍵合N+-N-或
2018-11-23 11:05:56
想象中的那樣嗎？筆者從硅光芯片的優勢、市場定位及行業痛點，帶大家深度了解真正的產業狀況。 硅光芯片的優勢 硅光芯片是將硅光材料和器件通過特殊工藝制造的集成電路，主要由光源、調制器、有源芯片等組成
2020-11-04 07:49:15
?是提高性能和降低價值。硅襯底倒裝波LED芯片，效率會更高、工藝會更好。6英寸硅襯底上氮化鎵基大功率LED研發，有望降低成本50%以上。 目前已開發出6寸硅襯底氮化鎵基LED的外延及先進工藝技術，光效
2014-01-24 16:08:55
芯片制造-半導體工藝制程實用教程學習筆記[/hide]
2009-11-18 11:44:51
芯片制造全工藝流程詳情
2020-12-28 06:20:25
芯片堆疊技術在SiP中應用的非常普遍，通過芯片堆疊可以有效降低SiP基板的面積，縮小封裝體積。 芯片堆疊的主要形式有四種： 金字塔型堆疊 懸臂型堆疊 并排型堆疊 硅通孔TSV型堆疊
2020-11-27 16:39:05
是由石英沙所精練出來的，晶圓便是硅元素加以純化（99.999%），接著是將些純硅制成硅晶棒，成為制造集成電路的石英半導體的材料，將其切片就是芯片制作具體需要的晶圓。晶圓越薄，成產的成本越低，但對工藝就要
2016-06-29 11:25:04
石英沙所精練出來的，晶圓便是硅元素加以純化（99.999%），接著是將些純硅制成硅晶棒，成為制造集成電路的石英半導體的材料，將其切片就是芯片制作具體需要的晶圓。晶圓越薄，成產的成本越低，但對工藝就要
2018-08-16 09:10:35
問:為什么現在的CMOS工藝一般都是用P襯底而不是N襯底？兩者有什么區別啊？答:為什么CMOS工藝采用P襯底，而不用N襯底？這主要從兩個方面來考慮：一個是材料和工藝問題；另一個是電氣性能問題。P型
2012-05-22 09:38:48
不同，MACOM氮化鎵工藝的襯底采用硅基。硅基氮化鎵器件既具備了氮化鎵工藝能量密度高、可靠性高等優點，又比碳化硅基氮化鎵器件在成本上更具有優勢，采用硅來做氮化鎵襯底，與碳化硅基氮化鎵相比，硅基氮化鎵晶元尺寸
2017-09-04 15:02:41
實現，必須采用微加工技術制造。微加工技術包括硅的體微加工技術、表面微加工技術和特殊微加工技術。體加工技術是指沿著硅襯底的厚度方向對硅襯底進行刻蝕的工藝，包括濕法刻蝕和干法刻蝕，是實現三維結構的重要方法
2016-12-09 17:46:21
PCB制造工藝流程是怎樣的？
2021-11-04 06:44:39
`智興豐科技銷售LED驅動IC，主要針對隔離/非隔離驅動IC/高壓/低壓線性恒流IC，PWM調光，可控硅調光等智能芯片SM2315E 是一款高功率因數 LED 線性恒流驅動芯片，并支持可控硅調光
2020-05-25 17:32:16
智興豐科技銷售LED驅動IC，主要針對隔離/非隔離驅動IC/高壓/低壓線性恒流IC，PWM調光，可控硅調光等智能芯片SM2396EK 是一款高效帶可控硅檢測、線網電壓補償的雙通道LED 線性恒流控制
2020-05-19 11:25:50
XX nm制造工藝是什么概念？為什么說7nm是物理極限？
2021-10-20 07:15:43
，同時GaP的透明特性使得發光面積大增。然而，該工藝存在合格率低、使用設備復雜、制造成本高的缺點。近年來，***開始進行了 倒裝襯底AlGaInP紅光芯片的制作研究，由于工藝適于批量化生產，且制造
2010-06-09 13:42:08
everspin生態系統和制造工藝創新
2021-01-01 07:55:49
下方的蝕刻速率遠高于沒有金屬時的蝕刻速率，因此當半導體正被蝕刻在下方時，金屬層會下降到半導體中。4 本報告描述了使用 MacEtch 工藝制造 100 到 1000 nm 的納米柱。電子束光刻：硅晶片用
2021-07-06 09:33:58
`書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：IC制造工藝編號：JFSJ-21-046作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要：集成電路的制造主要包括以下工藝
2021-07-08 13:13:06
同一硅襯底上并排制造 nMOS 和 pMOS 晶體管。 制造方法概述 制作工藝順序硅制造（詳細內容略）晶圓加工（詳細內容略）光刻（詳細內容略）氧化物生長和去除（詳細內容略）擴散和離子注入（詳細內容略
2021-07-09 10:26:01
摘要：總結了制造模具的主要步驟。其中一些在過程的不同階段重復多次。此處給出的順序并不反映制造過程的真實順序。硅芯片形成非常薄（通常為 650 微米）的圓形硅片的一部分：原始晶片。晶圓直徑通常為
2021-07-01 09:34:50
”。然后還得經過以下工藝方可將芯片制造出來。1、 芯片的原料晶圓晶圓的成分是硅，硅是由石英沙所精練出來的，晶圓便是硅元素加以純化（99.999%），接著是將這些純硅制成硅晶棒，成為制造集成電路的石英
2018-07-09 16:59:31
的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。那么，為何說7nm就是硅材料芯片的物理極限，碳納米管復合材料又是怎么一回事呢？面對美國的技術突破，中國應該怎么做呢？XX nm制造工藝是什么概念？芯片的制造...
2021-07-28 07:55:25
芯片是未來眾多高技術產業的食糧，芯片設計制造技術成為世界主要大國競爭的最重要領域之一。而芯片生產設備又為芯片大規模制造提供制造基礎，因此更是整個半導體芯片產業金字塔頂端的尖尖。下面是小編帶領大家
2018-09-03 09:31:49
`智興豐科技是一家專業的電子元器件供應商,與配套方案提供商。驅動IC主要應用于吸頂燈，筒燈，球泡燈等LED照明行業可控硅又叫做晶閘管，是一種常用的半導體器件，是一種能像閘門一樣控制電流大小的半導體
2020-05-08 10:39:14
硅鋼帶的典型電磁性能附錄O 國產冷軋取向硅鋼帶的典型力學性能附錄P 國產硅鋼帶表面絕緣涂層特性附錄Q 絕緣涂層的典型單面層間電阻值附錄R 硅鋼帶尺寸允許偏差附錄S 各國硅負片電磁性能比較變壓器鐵心制造工藝
2008-12-13 01:31:45
)藍寶石制作圖形藍寶石襯底(PSS);然后,在PSS上進行MOCVD制作GaN基發光二極管(LED)外延片;最終,進行芯片制造和測試。PSS的基本結構為圓孔,直徑為3μm,間隔為2μm,深度為864 nm
2010-04-22 11:32:16
請大佬詳細介紹一下關于基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術
2021-04-12 06:23:23
ADI公司提供基于單硅芯片的電池化成控制系統綜合解決方案 AD8452。憑借準確的化成工藝性能，可優化每個電池的化成時間。高效的能量回收特性能夠明顯節省大規模電池制造的能耗。
2021-01-21 06:27:38
與封裝材料。大的耗散功率，大的發熱量，高的出光效率給LED封裝工藝，封裝設備和封裝材料提出了新的更高的要求。要想得到大功率LED器件就必須制備合適的大功率LED芯片，國際上通常的制造大功率LED芯片
2013-06-10 23:11:54
印方法的金屬接觸有更高的效率。但因為埋層接觸工藝涉及使用平板印刷技術，制造成本過高，因此至今尚未被廣泛應用。太陽電池用硅晶材料的制造，是將一種含二氧化硅(SiO 2 )純度相當高的石英巖
2017-11-22 11:12:44
請教大神在PCB制造中預防沉銀工藝缺陷的措施有哪些？
2021-04-25 09:39:15
TS單電極芯片 三、TS芯片 定義：transparent structure(透明襯底)芯片、該芯片屬于HP 的專利產品。 特點： 1：芯片工藝制作復雜、遠高于AS LED 2：信賴性
2018-01-31 15:21:20
SOI（Silicon-On-Insulator，絕緣襯底上的硅）技術是在頂層硅和背襯底之間引入了一層埋氧化層。通過在絕緣體上形成半導體薄膜，SOI材料具有了體硅所無法比擬的優點：可以實現集成電路
2012-01-12 10:47:00
、功率消耗方面努力。RF CMOSRF CMOS工藝可分為兩大類：體硅工藝和SOI（絕緣體上硅）工藝。由于體硅CMOS在源和漏至襯底間存在二極管效應，造成種種弊端，多數專家認為采用這種工藝不可能制作高
2016-09-15 11:28:41
隨著全球對于環保節能的日趨重視，市場對高效節能電子產品的需求也不斷增長，開關電源芯片在其中的重要性攀升。環保、省電、節能等理念驅動led技術及其應用范圍廣泛不斷拓展，尤其LED照明已成為高亮度LED
2020-10-28 09:31:28
高的特性，非常適用于LED覆晶/共晶工藝，配合高導熱的陶瓷基體，顯著提升了散熱效率，是最適合高功率、小尺寸LED發展需求的陶瓷散熱支架。DPC陶瓷支架更加符合高密度、高精度和高可靠性的未來發展方向，對于制造商們來說，它是一種更可行的選擇。`
2021-03-02 10:26:31
說說晶圓的主要原料。晶圓需要什么，需要硅。地球上第二豐富的元素是硅，而沙子、石頭里都含有硅（滿地都是硅，那為什么晶圓還缺呢！）。當然這僅僅能說沙子可以造晶圓，造CPU，芯片。如果真用沙子來做晶圓，提煉
2019-09-17 09:05:06
LED襯底目前主要是藍寶石、碳化硅、硅襯底三種。大多數都采用藍寶石襯底技術。碳化硅是科銳的專利，只有科銳一家使用，成本等核心數據不得而知。硅襯底成本低，但目前技術還不完善。 從LED成本上來看，用
2012-03-15 10:20:43
工藝，確立了硅表面MEMS加工工藝體系。表面硅MEMS加工技術的關鍵工藝有哪些？1、低應力薄膜技術表面硅MEMS加工工藝主要是以不同方法在襯底表面加工不同的薄膜，并根據需要事先在薄膜下面已確定的區域
2018-11-05 15:42:42
襯底)芯片，該芯片屬于HP的專利產品。特點： (1)芯片工藝制作復雜，遠高于ASLED。 (2)信賴性卓越。 (3)透明的GaP襯底，不吸收光，亮度高。 (4)應用廣泛。
2017-12-22 09:43:34
的LED照明產品的研究就顯得很有意義。 近年來，隨著全球LED商業照明市場的興起，包括中國在內的眾多LED制造廠商紛紛將LED商業照明產品放在了市場開發的重要位置上。特別是由于近期日本、歐美等主要市場
2016-12-16 18:42:52
的InGaN芯片制造方法在藍寶石襯底上生長出PN結后將藍寶石襯底切除再連接上傳統的四元材料，制造出上下電極結構的大尺寸藍光LED驅動芯片。 5AlGaInN/碳化硅(SiC)背面出光法： 美國
2018-08-31 20:15:12
芯片制造工藝流程
2019-04-26 14:36:59
霍爾IC芯片的制造工藝霍爾IC傳感器是一種磁性傳感器，通過感應磁場的變化，輸出不同種類的電信號。霍爾IC芯片主要有三種制造工藝，分別為 Bipolar、CMOS 和 BiCMOS 工藝，不同工藝的產品具有不同的電參數與磁參數特性。霍爾微電子柯芳（***）現為您分別介紹三種不同工藝產品的特點。
2016-10-26 16:48:22
LED芯片制造流程 隨著技術的發展，LED的效率有了非常大的進步。在不久的未來LED會代替現有的照明燈泡。近幾年人們制造LED芯片過程中首先在襯底上制作氮
2009-11-13 09:33:153928 目前日本日亞公司壟斷了藍寶石襯底上GaN基LED專利技術，美國CREE公司壟斷了SiC襯底上GaN基LED專利技術。因此，研發其他襯底上的GaN基LED生產技術成為國際上的一個熱點。南昌大學
2010-06-07 11:27:281388 
LED襯底材料有哪些種類
對于制作LED芯片來說，襯底材料的選用是首要考慮的問題。應該采用哪種合適的襯底，需要
2011-01-05 09:10:254039 本章將介紹基本芯片生產工藝的概況。本章通過在器件表面產生電路元件的工藝順序來闡述四種最基本的平面制造工藝。接下來解釋了從功能設計圖到光刻掩膜板的生產的電路設計過程
2011-03-22 09:44:17
428 LED 芯片只是一塊很小的固體，它的兩個電極要在顯微鏡下才能看見， 加入電流后它才會發光，在制作工藝上除了要對LED 芯片的兩個電極進行焊接。 從而引出正負電極之外。同時還要對
2011-05-09 17:00:030 LED 芯片的制造過程可概分為晶圓處理工序（Wafer Fabrication）、晶圓針測工序（Wafer Probe）、構裝工序（Packaging）、測試工序（Initial Test andFinal Test）等幾個步驟。其中晶圓處理工序和晶圓
2011-09-13 17:50:02114 本文對高亮度LED制造工藝及其特點做了比較詳細的介紹，介紹了智能設計技術在LED制造工藝上的應用，對其工藝的智能設計實現方法進行探討。通過結合高亮度LED制造工藝的特點，選定
2011-12-27 17:10:2955 我們知道，大功率LED燈珠主要構成器件為大功率LED芯片，如何制造高品質LED高功率晶片至關重要。今天帶大家一起來了解常見的制造大功率LED芯片的方法有哪些：
2012-05-21 11:46:282299 LED外延片的生產制作過程是非常復雜，本文詳細介紹了LED外延片的相關內容，包括產品介紹、襯底材料。
2012-12-05 10:37:142683 詳細介紹如何由沙子（二氧化硅）到芯片的制造工藝工程。
2016-05-26 11:46:340 LED 芯片的制造工藝流程：外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2 腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。
2016-08-05 17:45:2117422 
當代LED大部分是由一個組合的氮化銦鎵（InGaN）和藍寶石襯底。建筑作品，使得LED制造商提供150 lm/W，然而過量的參展功效產品，建筑也有一些缺點，鼓勵芯片制造商尋求其他選擇。
2017-06-01 10:49:394 1、LED芯片的制造流程是怎樣的？ LED芯片制造主要是為了制造有效可靠的低歐姆接觸電極，并能滿足可接觸材料之間最小的壓降及提供焊線的壓墊，同時盡可能多地出光。渡膜工藝一般用真空蒸鍍方法，其主要
2017-09-22 15:14:390 分為：單結、雙結、三結 2、制造技術 三種類型： ①單室，多片玻璃襯底制造技術 該技術主要以美國 Chronar、APS、EPV 公司為代表 ②多室，雙片（或多片）玻璃襯底制造技 該技術主要以日本 KANEKA 公司為代表 ③卷繞柔性襯底制造技術（襯底：不
2017-09-27 17:37:2227 芯片制造主要有五大步驟：硅片制備、芯片制造、芯片測試與挑選、裝配與封裝、終測。集成電路將多個元件結合在了一塊芯片上，提高了芯片性能、降低了成本。隨著硅材料的引入，芯片工藝逐步演化為器件在硅片上層以及電路層的襯底上淀積。
2018-01-30 11:03:3979015 
隨著國產襯底的生產工藝和控制能力的不斷提升，國產襯底的應用也越來越廣。作者就國產襯底在雙極型集成電路制造中普遍關心的問題做了全面的評估，包括物理參數、電參數、圓片合格率，以及大規模生產的工程能力指數。評估結果說明國產襯底在品質上已經完全能夠媲美進口襯底，滿足大規模生產的需求。
2018-04-22 09:53:4910141 從結構圖中看出，si襯底芯片為倒裝薄膜結構，從下至上依次為背面Au電極、si基板、粘接金屬、金屬反射鏡（P歐姆電極）、GaN外延層、粗化表面和Au電極。這種結構芯片電流垂直分布，襯底熱導率高，可靠性高；發光層背面為金屬反射鏡，表面有粗化結構，取光效率高。
2018-08-17 15:11:393864 LED襯底材料是半導體照明產業的基礎材料，其決定了半導體照明技術的發展路線。目前，能作為LED襯底的材料包括Al2O3、SiC、Si、GaN、GaAs、Zno等，但商用最廣泛的是Al2O3、SiC
2019-07-30 15:14:033716 針對射頻應用，華虹宏力可提供硅襯底全系列工藝解決方案，包括 RF SOI、與邏輯工藝兼容的RF CMOS、SiGe BiCMOS以及IPD等技術。多家芯片廠商已在華虹宏力的RF SOI平臺量產。其中，0.2微米射頻SOI工藝設計套件（PDK）專為無線射頻前端優化，頗受市場好評。
2019-10-18 08:45:364937 硅光芯片是將硅光材料和器件通過特殊工藝制造的集成電路，主要由光源、調制器、探測器、無源波導器件等組成，將多種光器件集成在同一硅基襯底上。硅光芯片的具有集成度高、成本低、傳輸帶寬更高等特點，因為
2020-06-11 09:02:1916710 據報道，武漢大學的研究團隊近期公布了采用PSSA（patterned sapphire with silica array）襯底來降低氮化鎵接合邊界失配問題的方法，提出PSSA襯底可提高銦氮化鎵、氮化鎵（InGaN/GaN）倒裝芯片可見光LED的效率。
2020-12-09 17:00:23793 本章將介紹基本芯片生產工藝的概況，主要闡述4中最基本的平面制造工藝，分別是：薄膜制備工藝摻雜工藝光刻工藝熱處理工藝薄膜制備是在晶體表面形成薄膜的加工工藝。
2021-04-08 15:51:30140 介紹了Si襯底功率型GaN基LED芯片和封裝制造技術，分析了Si襯底功率型GaN基LED芯片制造和封裝工藝及關鍵技術，提供了
2021-04-21 09:55:203870 
芯片制造工藝流程步驟：芯片一般是指集成電路的載體，芯片制造工藝流程步驟相對來說較為復雜，芯片設計門檻高。芯片相比于傳統封裝占用較大的體積，下面小編為大家介紹一下芯片的制造流程。
2021-12-15 10:37:4041572 標準的半導體制造工藝可以大致分為兩種工藝。一種是在襯底（晶圓）表面形成電路的工藝，稱為“前端工藝”。另一種是將形成電路的基板切割成小管芯并將它們放入封裝的過程，稱為“后端工藝”或封裝工藝。在半導體制造
2022-03-14 16:11:136771 
常規的絕緣層上硅 (Silicon on Insulator, SOI）是通過注氧隔離 (Separation by Implanted Oxygen, SIMOX)、智能切割 （Smart Cut） 等方法在體硅襯底中引入絕緣層，從而達到表層硅與襯底硅電學隔離的目的的。
2022-10-12 09:09:261421 硅基氮化鎵襯底是一種新型的襯底，它可以提高襯底的熱穩定性和抗拉強度，從而提高襯底的性能。它主要用于電子、光學、電力、航空航天等領域。
2023-02-14 14:36:081130 砷化鎵芯片的制造工藝要求高，需要精確控制工藝參數，以保證芯片的質量；砷化鎵芯片的制造過程中，由于砷化鎵的比表面積較大，容易形成氣泡，影響芯片的質量；砷化鎵芯片的制造過程中，由于砷化鎵的比表面積較大，容易形成氣泡，影響芯片的質量。
2023-02-20 16:32:244642 GaN半導體產業鏈各環節為：襯底→GaN材料外延→器件設計→器件制造。其中，襯底是整個產業鏈的基礎。 作為襯底，GaN自然是最適合用來作為GaN外延膜生長的襯底材料。
2023-08-10 10:53:31664 
2023年9月，第三屆紫外LED國際會議暨長治LED發展推進大會在長治隆重召開，國內外專家云集，深入交流紫外LED最新技術進展與發展趨勢。晶能光電外延工藝高級經理周名兵受邀作《硅襯底GaN基近紫外
2023-09-19 11:11:285752 根據專利摘要，芯片及其芯片制造方法。芯片包括芯片本體（10）。芯片本體（10）包括：襯底（101）、器件層（102）和多孔硅結構，器件層（102）位于襯底（101）；多孔硅結構設置于襯底（101）上，多孔硅結構用于與化學開蓋溶液反應以破壞芯片本體（10）。
2023-10-20 10:19:31408 
國內主要的碳化硅襯底供應商包括天岳先進、天科合達、爍科晶體、東尼電子和河北同光等。三安光電走IDM路線，覆蓋襯底、外延、芯片、封裝等環節。部分廠商還自研單晶爐設備及外延片等產品。
2024-01-12 11:37:03864 
襯底（substrate）是由半導體單晶材料制造而成的晶圓片，襯底可以直接進入晶圓制造環節生產半導體器件，也可以進行外延工藝加工生產外延片。
2024-03-08 11:07:41161 
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