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FRAM（Ferroelectric Random Access Memory）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數據的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器（內存）。FRAM的數據保持，不僅不需要備用電池，而且與EEPROM、FLASH等傳統的非易失性存儲器相 比，具有優越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。

串行接口存儲器的產品陣容有16Kbit至4Mbit的SPI接口產品，以及4Kbit至1Mbit的I²C接口產品。電源電壓除主要的3.3V工作產品外，正在擴充1.8V工作產品。封裝形式除能夠與EEPROM及串行閃存兼容的SOP外，還提供可穿戴設備用SON（Small Outline Non-leadedpackage）及WL-CSP（Wafer Level Chip Size Package）等超小型封裝形式的產品。
同時，使用TSOP或SOP封裝形式提供256Kbit至4Mbit的并行存儲器。在利用SRAM及數據保存用電池供電的應用中，并行存儲器被用作進一步降低能耗或減少電池的解決方案。

FRAM產品可分為兩個系列。
分別是以SOP/SON等封裝產品形式提供的“獨立存儲器”和FRAM內置的RFID用LSI 以及驗證LSI等的“FRAM內置LSI”。 另外，根據客戶的要求，開發和供應最大限度發揮應用優勢及性能的FRAM內置定 制LSI。

• 獨立 FRAM 存儲器
• FRAM 內置 LSI

串行接口存儲器

串行接口存儲器的產品陣容有4Kbit至1Mbit的I²C接口產品，以及16Kbit至4Mbit的SPI接口產品。
電源電壓除主要的3.3V工作產品外，正在擴充1.8V工作產品。封裝除能夠與EEPROM及串行閃存兼容的SOP外，還提供可穿戴設備用SON（Small Outline Non-leaded package）及WL-CSP（Wafer Level Chip Size Package）等超小型封裝產品。與其他非易失性存儲器相比，串行接口存儲器的優勢在于寫入快、讀寫耐久性高、功耗低。

●I²C 接口

產品型號P/N	內存容量	輸入電壓	工作頻率 （MAX）	工作溫度	讀寫耐久性 （讀寫次數）	數據保持時間 （保證值）（*1）	封裝類別	文檔下載
MB85RC1MT	1Mbit	1.8至3.6V	3.4MHz	-40至+85℃	1013（10萬億次）	10年（+85℃）	SOP-8
MB85RC512T	512Kbit	1.8至3.6V	3.4MHz	-40至+85℃	1013（10萬億次）	10年（+85℃）	SOP-8
MB85RC256V	256Kbit	2.7至5.5V	1MHz	-40至+85℃	1012（1萬億次）	10年（+85℃）	SOP-8
MB85RC128A	128Kbit	2.7至3.6V	1MHz	-40至+85℃	1012（1萬億次）	10年（+85℃）	SOP-8
MB85RC64TA	64Kbit	1.8至3.6V	3.4MHz	-40至+85℃	1013（10萬億次）	10年（+85℃）	SOP-8/SON-8
MB85RC64A	64Kbit	2.7至3.6V	1MHz	-40至+85℃	1012（1萬億次）	10年（+85℃）	SOP-8
MB85RC64V	64Kbit	3.0至5.5V	1MHz	-40至+85℃	1012（1萬億次）	10年（+85℃）	SOP-8
MB85RC16	16Kbit	2.7至3.6V	1MHz	-40至+85℃	1012（1萬億次）	10年（+85℃）	SOP-8/SON-8
MB85RC16V	16Kbit	3.0至5.5V	1MHz	-40至+85℃	1012（1萬億次）	10年（+85℃）	SOP-8
MB85RC04V	4Kbit	3.0至5.5V	1MHz	-40至+85℃	1012（1萬億次）	10年（+85℃）	SOP-8
*1：當工作溫度低于+85℃時，數據保持時間可以延長，詳細請參考數據手冊。

●SPI 接口

產品型號P/N	內存容量	輸入電壓	工作頻率 （MAX）	工作溫度	讀寫耐久性 （讀寫次數）	數據保持時間 （保證值）（*1）	封裝類別	文檔下載
MB85RQ4ML （*2）	4Mbit	1.7至1.95V	108MHz	-40至+85℃	1013（10萬億次）	10年（+85℃）	SOP-16
MB85RS2MT	2Mbit	1.8至3.6V	25MHz（*3）	-40至+85℃	1013（10萬億次）	10年（+85℃）	SOP-8/DIP-8
MB85RS1MT	1Mbit	1.8至3.6V	30MHz（*3）	-40至+85℃	1013（10萬億次）	10年（+85℃）	SOP-8/WL-CSP-8
MB85RS512T	512Kbit	1.8至3.6V	30MHz（*3）	-40至+85℃	1013（10萬億次）	10年（+85℃）	SOP-8
MB85RS256B	256Kbit	2.7至3.6V	33MHz	-40至+85℃	1012（1萬億次）	10年（+85℃）	SOP-8
MB85RS128B	128Kbit	2.7至3.6V	33MHz	-40至+85℃	1012（1萬億次）	10年（+85℃）	SOP-8
MB85RS64	64Kbit	2.7至3.6V	20MHz	-40至+85℃	1012（1萬億次）	10年（+85℃）	SOP-8
MB85RS64V	64Kbit	3.0至5.5V	20MHz	-40至+85℃	1012（1萬億次）	10年（+85℃）	SOP-8
MB85RS16	16Kbit	2.7至3.6V	20MHz	-40至+85℃	1012（1萬億次）	10年（+85℃）	SOP-8
MB85RS16N	16Kbit	2.7至3.6V	20MHz	-40至+95℃	1萬億次（+85℃） 或1百億次（+95℃）	10年（+95℃）	SOP-8/SON-8
MB85RDP16LX （*4）	16Kbit	1.65至1.95V	15MHz（*5）	-40至+105℃	1013（10萬億次）	10年（+105℃）	SON-8
*1：當工作溫度低于+85℃時，數據保持時間可以延長，詳細請參考數據手冊。 *2：滿足SPI以及Quad *3：高速讀取模式時，可實現最大40MHz操作。 *4：有二進制計數器功能 *5：雙SPI模式時，可實現最大7.5MHz操作。

并行接口存儲器

并行接口存儲器為采用TSOP或SOP封裝的256Kbit至4Mbit的產品，工作時的電源電壓為3.3V，但MB85R4M2T能夠在1.8V-3.6V的大 范圍內進行工作。
封裝方式為能夠與SRAM兼容的TSOP或SOP。
在SRAM及使用數據保持電池的應用中，并行接口存儲器被作為進一步降低能耗或減少電池的解決方案。

產品型號P/N	內存容量	輸入電壓	工作頻率 （MAX）	工作溫度	讀寫耐久性 （讀寫次數）	數據保持時間 （保證值）（*1）	封裝類別	文檔下載
MB85R4M2T	4Mbit（256K×16）	1.8至3.6V	150ns	-40至+85℃	1013（10萬億次）	10年（+85℃）	TSOP-44
MB85R4001A	4Mbit（512K×8）	3.0至3.6V	150ns	-40至+85℃	1010（1百億次）	10年（+55℃）	TSOP-48
MB85R4002A	4Mbit（256K×16）	3.0至3.6V	150ns	-40至+85℃	1010（1百億次）	10年（+55℃）	TSOP-48
MB85R1001A	1Mbit（128K×8）	3.0至3.6V	150ns	-40至+85℃	1010（1百億次）	10年（+55℃）	TSOP-48
MB85R1002A	1Mbit（64K×16）	3.0至3.6V	150ns	-40至+85℃	1010（1百億次）	10年（+55℃）	TSOP-48
MB85R256F	256Kbit（32K×8）	2.7至3.6V	150ns	-40至+85℃	1012（1萬億次）	10年（+85℃）	TSOP-28/SOP-28
*1：當工作溫度低于+55℃或+85℃時，數據保持時間可以延長，詳細請參考數據手冊。

封裝尺寸

串行接口存儲器

封裝類型	頂視圖	寬度×長度 （mm）	高度 （mm）
WL-CSP-8		2.3×3.1	0.33
SON-8		2.0×3.0	0.7
SOP-8		3.9×5.1	1.75
SOP-16		7.5×10.3	2.7

并行接口存儲器

封裝類型	頂視圖	寬度×長度 （mm）	高度 （mm）
SOP-28		7.6×17.8	2.8
TSOP-28		8.0×11.8	1.2
TSOP-44		10.2×18.4	1.2
TSOP-48		12.0×12.4	1.2

FRAM 內置 FRID 用 LSI

本公司提供使用無限接口的FRAM內置RFID用LSI。本公司的產品不是以單純讀出為中心的RFID標簽，作為面向數據攜帶型RFID標簽，國內外FA領域、設備維護領域及醫療領域正在導入其產品。今后的傳感器網絡社會中，利用傳感器取得的數據的無線通信不可或缺，而本公司的產品將作為支持這一社會的LSI受到關注。

●特長

? 高速數據寫入：可提高數據寫入時的效率。

? 穩定的通信距離：低功耗模式寫入工作，實現相同的讀/寫通信距離。

? 大容量內置存儲單元：記錄信息于電子標簽，實現追溯應用所需的大容量內存單元。

? 讀寫工作的高耐久性：保證最高1萬億次的讀/寫工作，實現標簽的長期使用和重復使用。

? 符合國際標準：富士通半導體RFID LSI產品系列符合ISO15693和ISO18000-3（mod1），6。

●產品型號

型號P/N	工作頻率	內存單元容量	通信規格	串行接口	數據保持時間 （保證值）	讀寫耐久性 （讀寫次數）	文檔下載
MB97Rxxxx（*1） （開發中）	UHF 860-960MHz	8KByte	ISO/IEC18000-63 EPC C1G2 Ver.1.2.0	SPI	10年（+55℃）	1010（1百億次）	待開發
MB97R803A （終止對象產品）	UHF 860-960MHz	4KByte	ISO/IEC18000-63 EPC C1G2 Ver.1.2.0	—	10年（+55℃）	1010（1百億次）
MB97R804B （終止對象產品）	UHF 860-960MHz	4KByte	ISO/IEC18000-63 EPC C1G2 Ver.1.2.0	SPI	10年（+55℃）	1010（1百億次）
MB97R8050	UHF 860-960MHz	36Byte （EPC128bit）	ISO/IEC18000-63 EPC C1G2 Ver.1.2.0	—	10年（+55℃）	1010（1百億次）
MB89R118C	HF 13.56MHz	2KByte	ISO/IEC15693	—	10年（+85℃）	1012（1萬億次）
MB89R119B	HF 13.56MHz	256KByte	ISO/IEC15693	—	10年（+85℃）	1012（1萬億次）
MB89R112A	HF 13.56MHz	9KByte	ISO/IEC15693	SPI	10年（+85℃）	1012（1萬億次）
*1：開發中的MB97Rxxxx為MB97R803A/804B的后續品種。

●RFID 用 LSI 的應用

工廠 ? 工程記錄 ? 數據讀寫	醫療 ? 使用記錄 ? 信息確認	物流 ? 運行記錄 ? 產品管理
運輸 ? 產品修整記錄	倉庫管理 ? 出入庫記錄 ? 保管環境記錄	基礎設施 ? 檢查記錄 ? 劣化跟蹤

FRAM 內置嵌入式驗證LSI

FRAM還在IC卡等安全領域有業績，提供FRAM內置式設備驗證LSI。通用的驗證用LSI為MB94R330。

型號P/N	工作頻率	內存單元容量	通信規格	串行接口	讀寫耐久性 （讀寫次數）	封裝類別	文檔下載
MB94R330	3.0至3.6V	I2C	400kHz	-20至+85℃	1012（1萬億次）	SON-8

MB94R330 序列利用電子設備本體與外設之間的激勵與響應來進行驗證操作，從而識別正品與假冒產品。 適用于檢測出在打印機、復合機等電子設備本體上使用的外設的（墨盒、碳粉盒等）假冒產品。 在安全用途方面，由于其性質，為了滿足客戶特殊技術要求，除通用LSI外，還提 供定制LSI。

富士通公司自1995年開始開發FRAM，具有17年以上的豐富的量產業績。正是“量產化”的實現以及持續的穩定供給，證明本公司具有非常高的技術能力。

分別是以SOP/SON等封裝產品形式提供的“獨立存儲器”和FRAM內置的RFID用LSI 以及驗證LSI等的“FRAM內置LSI”。 另外，根據客戶的要求，開發和供應最大限度發揮應用優勢及性能的FRAM中使用了鐵電，而在此之前的半導體過程中，鐵電會出現劣化，所以很難實現量產。本公司確定了劣化的原因，并在制造過程中采取了相應的措施，最終在世界上率先成功實現了量產。公司開發的量產實現技術以及FRAM產品對社會的貢獻已得到認可，2011年以后也獲得了多個權威獎項。今后，我們也將致力于穩定供應由高技術能力支撐的高質量存儲器。

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