富士通半導體（上海）有限公司今日宣布其低功耗鐵電隨機存取存儲器FRAM又添小封裝成員－SON-8封裝的MB85RC16。富士通的MB85RC16提供標準封裝SOP-8，SON-8是為該產品添加的新型封裝。
2012-11-27 10:00:23
4212 串口RS-232/485輸入的數據透明存儲在SD卡中。數據存儲器采用模塊化設計，不需要用戶對現有設備進行改造，實現數據實時存儲。該產品已廣泛使用于系統集成設備、自動化采集設備、高校、研究所重要實驗裝置
2012-11-20 14:00:52
為了滿足消費者希望以智能手機取代車鑰匙的需求，汽車行業正在經歷著重大變革。隨著“手機即鑰匙”技術的普及，你不再需要傳統的密鑰卡，使用手機即可操作“被動門禁/被動啟動”（PEPS）系統。低功耗
2022-11-09 06:28:08
低功耗藍牙單芯片為物聯網助力
2021-01-18 07:29:56
Access Memory：鐵電隨機存取存儲器，簡稱鐵電存儲器)。把FRAM歸類為非易失性存儲器是可以，但是FRAM的高速讀寫性質又與SRAM、DRAM更為接近，它也是一種RAM。于是，存儲器的分類令人
2012-01-06 22:58:43
發展迅速。 2、鐵電存儲器FRAM 它是利用鐵電材料極化方向來存儲數據的。它的特點是集成度高，讀寫速度快，成本低，讀寫周期短。 技術資料出處:eefocus該文章僅供學習參考使用，版權歸作者所有
2017-10-24 14:31:49
，所以發展迅速。 2、鐵電存儲器FRAM 它是利用鐵電材料極化方向來存儲數據的。它的特點是集成度高，讀寫速度快，成本低，讀寫周期短。技術資料出處:eefocus該文章僅供學習參考使用，版權歸作者所有。AO-Electronics 傲壹電子 `
2017-12-21 17:10:53
、NAND 閃存、EEPROM（可擦除的可編程只讀存儲器）、FRAM（鐵電存儲器），MRAM（磁性 RAM）和 NVSRAM（非易失性靜態存儲器）等。每種類型存儲器在不同性能指標下具有各自的優勢和劣勢：存儲器
2019-07-23 06:15:10
flash存儲轉換成鐵電存儲,應該怎么改代碼？需要注意哪些？
2023-01-29 10:56:32
一． 概述：FRAM是最近幾年由RAMTRON公司研制的新型存貯器,它的核心技術是鐵電晶體材料,擁有隨即存取記憶體和非易失性存貯產品的特性。FM24C256是一種鐵電存貯器（FRAM）,容量為
2019-07-11 06:08:19
鐵電存儲器FRAM是一種隨機存取存儲器，它將動態隨機存取存儲器DRAM的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關掉后保留數據能力（就像其他穩定的存儲設備一樣，如只讀存儲器
2020-05-07 15:56:37
本帖最后由 skysoon33958085 于 2014-4-25 11:34 編輯
來源:與非網 摘要:鐵電存儲器(FRAM)以其非揮發性,讀寫速度塊, 擦寫次數多,和低功耗等特點被廣泛應用
2014-04-25 11:05:59
)、EEPROM和Flash。這些存儲器不僅寫入速度慢，而且只能有限次的擦寫，寫入時功耗大。鐵電存儲器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座
2011-11-19 11:53:09
)、EEPROM和Flash。這些存儲器不僅寫入速度慢，而且只能有限次的擦寫，寫入時功耗大。鐵電存儲器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座
2011-11-21 10:49:57
什么是FRAM?FRAM（鐵電隨機存取存儲器）是被稱為FeRAM。這種存儲器采用鐵電質膜用作電容器來存儲數據。FRAM具有ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機存取器）的特點，在高速讀寫入、高讀寫耐久性
2014-06-19 15:49:33
1. 描述 引腳排列
CW24C32A/64A/128A是32768/65536/131072位的串行電可擦除只讀存儲器(EEPROM)，分別采用4096/8192/16384×8位的組織結構
2023-09-15 07:53:08
摘要：介紹鐵電存儲器（FRAM）的一般要領和基本原理，詳細分析其讀寫操作過程及時序。將FRAM與其它存儲器進行比較，分析在不同場合中各自的優缺點。最后以FM1808為例說明并行FPGA與8051系列
2014-04-25 13:46:28
存儲空間是如何進行配置的？存儲器的特點是什么？FLASH和OTP存儲器的功耗模式有哪幾種狀態？
2021-10-21 08:28:25
跑程序時候暫存臨時數據的地方，一般不太大，從128字節到幾K字節都有，一掉電數據就沒了。EEPROM掉電也不丟數據的存儲器，一般都用來存設置。可以一字節一字節的把每字節的8位1任意編寫成0...
2022-01-26 07:14:56
我遇到很奇葩的需求——STM32外掛鐵電存儲器，要求：最好SPI接口；最好能滿足64Kb容量；擦寫次數百萬次以上；支持的電壓最高不超過5.5V。很奇葩的要求啊，這個可以有么？親們，推薦下唄！
2014-05-26 10:53:41
描述PMP20026 參考設計可為 DDR4 存儲器提供高效的低功耗解決方案。電源由 12V 的源供電，并將輸出調節為 1.2V（電流高達 6A）。TPS53515 以單相降壓模式運行（頻率為
2022-09-15 07:36:02
stm32擴展鐵電存儲器FM16W08的程序怎么寫？？有參考 的嗎讀寫程序該怎么操作！！
2013-12-26 21:47:03
◎◎○○○○○寫入時間◎◎○－△△△位成本△○△◎△△◎大容量化○◎△◎△△◎存儲單元存儲在觸發器電路在電容器中保持電荷使鐵電發生極化將離子注入晶體管在浮柵中保持電荷在浮柵中保持電荷在浮柵中保持電荷
2019-04-21 22:57:08
大家可以看看終極存儲器啊！
2012-04-21 10:37:24
的非易失性存儲器，既可以進行非易失性數據存儲，又可以像RAM一樣操作。
本文將借助飛凌嵌入式OK3568-C開發板來為大家介紹一種采用FRAM的方案——使用SPI0掛載PB85RS2MC (FRAM
2023-10-19 09:28:15
我們公司是代理富士通鐵電存儲器FRAM，單片機和華邦的FLASH。因為剛開始接觸到這一塊，只大概了解是用在電表，工業設備等產品上。但是曾找了很多這種類型的客戶，都普遍很少用，只是有一些對產品性能要求
2014-03-13 10:00:54
帶FRAM存儲器MSP430常見問題及解答1. 什么是 FRAM？ FRAM 是 ferroelectric random access memory（鐵電隨機存取存儲器）的首字母縮寫，它是非易失性存儲器
2018-08-20 09:11:18
富士通半導體（上海）有限公司供稿鐵電隨機存儲器（FRAM） RFID由于存儲容量大、擦寫速度快一直被用作數據載體標簽。內置的串行接口可將傳感器與RFID連接在一起，從而豐富了RFID應用。
2019-07-26 07:31:26
總線速度寫入而無須任何寫等待時間；●超低功耗。這種鐵電存儲器ＦＲＡＭ克服了以往ＥＥＰＲＯＭ和ＦＬＡＳＨ寫入時間長、擦寫次數少的缺點，其價格又比相同容量的不揮發鋰電ＮＶ－ＳＲＡＭ低很多，因而可廣泛
2019-04-28 09:57:17
數據存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數據存儲器 片內RAM數據存儲器16M字節外部數據存儲器各有什么區別？特點？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數據存儲器包含三部分，片內640字節的FLASH數據存儲器、256字節的RAM以及片外可擴展到16M字節的數據存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
proteus 可以仿真鐵電存儲器FM25640嗎？或者直接用哪兒器件可以替代仿真嗎？
2015-07-27 17:24:15
低功耗藍牙，無限可能改善您的汽車門禁系統的用戶體驗。用戶可以簡單地走到車輛上，用數字電話鍵將其解鎖，然后讓車輛使用其自定義的數字配置文件自動適應用戶的首選設置，例如后視鏡，座椅，方向盤和抬頭顯示器
2020-06-16 14:29:09
存儲測試器有什么工作原理？存儲測試器低功耗的實現方法有哪些？存儲測試器技術指標有哪些？請問怎樣去設計低功耗存儲測試器？
2021-04-13 07:02:43
的連接方式與NOR閃速存儲器相同，寫入邏輯為反相（NOR寫人時V th 變高，而AND式則降低），命名為AND式。現在的NOR閃速存儲器也致力于改良，目的在于將寫人操作也采用隧道方式以降低功耗，或者通過
2018-04-09 09:29:07
集成鐵電存儲器的MCU，由于在MCU上集成了鐵電存儲器，該產品數據寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數據保存功能、支持超過100萬億次
2021-11-10 08:28:08
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數據。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數據。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數據
2023-11-27 16:37:59
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數據。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
LC87F17C8A是一個8位單片機和USB全速主機/設備控制器。128 k字節閃速存儲器/ 8192字節的RAM / 48-pin。
2017-04-06 09:15:10
3 的 MB85R2001和MB85R2002具有非易失性存儲器，具有高速數據寫入，低功耗和提供大量寫入周期的能力。 框圖 MB85R2001和MB85R2002 F
2020-06-28 16:04:16777 低功耗SRAM存儲器應用于內有電池供電對功耗非常敏感的產品，是靜態隨機訪問存儲器的一種類別，靜態隨機訪問存儲器（SRAM）作為最重要的半導體存儲器，廣泛地嵌入于高性能微處理器。隨著集成電路制造工藝
2021-06-08 16:49:321933 應用，包括智能卡、RFID、安全和許多其他需要高性能非易失性存儲器的應用。本篇文章代理商英尚微電子介紹富士通串行FRAM存儲器64K MB85RS64。
2021-06-28 15:50:412599 
介質用于各種應用，包括智能卡、RFID、安全和許多其他需要高性能非易失性存儲器的應用。富士通代理英尚微介紹富士通半導體128K串行接口FRAM MB85RS128B。
2021-06-28 15:52:461394 
拍字節VFRAM新型3D鐵電存儲器PB85RS128C適用于便攜式醫療刺激系統
2022-08-27 16:03:521037 電子發燒友網站提供《TPS53515低功耗DDR存儲器電源參考設計.zip》資料免費下載
2022-09-06 16:18:370 在基于LORA的采集系統中，先通過傳感器采集信息，并將信息進行放大等調理后，傳輸到主控MCU，最后主控MCU通過LORA的無線傳輸方式傳輸到后端，拍字節的容量為128Kb、支持SPI接口的鐵電隨機存取存儲器（FRAM）設備PB85RS128就可應用其中
2022-12-14 14:51:13384 國芯思辰接觸的一個客戶在做座椅控制的相關產品，需要外掛一個小的存儲器件用來存儲少量的數據。此前該客戶使用進口的富士通MB85RS128B，現需要一個與MB85RS128B功能相符，可相互兼容的國產器件用作國產化備選方案
2022-12-20 16:23:04584 PB85RS128鐵電存儲器是不需要備用電池就可以保持數據，和EEPROM、FLASH等傳統的非易失性存儲器相比，具有優越的耐高溫、高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。
2023-02-03 14:25:32672 無人機通過高清光學相機拍攝視頻、機載SAR成像系統采集SAR圖像，可以收集到人工原本無法獲得的信息，完成原本無法做到的事，而信息的采集離不開數據存儲系統的支持
2023-02-28 09:18:25495 在門禁系統數據存儲的方案中，拍字節PB85RS128具有“高速數據擦寫”、“高擦寫耐久性”的特點（100萬次寫入周期、長達25年以上的數據保存時效）。
2023-03-01 14:03:55361 PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術形成非易失性存儲單元，對標富士通和賽普拉斯從原料上能做到不含鉛，無污染。
2023-04-20 11:29:57224 鐵電存儲器硬件接線圖傳統的數據存儲器，讀寫速度較慢，存儲單元反復擦寫后容易損壞，無法滿足機艙油氣濃度數據存儲的要求，故此，國產鐵電存儲器可快速讀寫，擦寫次數可達1E6 次讀/寫操作*1，是本方案最理想的選擇。
2023-05-18 12:39:21137 
PB85RS2MC應用框圖 PB85RS2MC芯片為低功耗9微安（待機），工作電壓2.7伏至3.6伏，可以在-40℃-85℃的溫度范圍內工作，芯片的數據在85℃工作環境下可以保存10年，在25℃工作環境下可以保存200年，且具有防潮、防電擊和抗震等特性，能滿足惡劣的環境條件。
2023-05-25 10:08:41495 
作為一種非易失性存儲器，鐵電存儲器兼具動態隨機存取存儲器DRAM的高速度與可擦除存儲器EEPROM非易失性優點，雖然容量和密度限制了其大規模應用，但在要求高安全性與高可靠性等工業應用場合，鐵電存儲器以幾乎無限的讀寫次數、超低及高抗干擾能力得到用戶的青睞。
2023-06-01 10:57:52134 
使用國產鐵電存儲芯片PB85RS2MC是一種最理想的選擇。該芯片不但在功能上正好滿足上述要求，而且憑借獨特的優點性能是其它存儲器都無法達到的。
2023-06-01 10:59:48188 
和耐久性設計，這些要求使國產鐵電存儲器PB85RS2MC成為最佳的存儲選擇。PB85RS2MC配置為262,144×8位，是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術形成非易失性存儲單元，該芯片不需要電池就可以
2023-06-12 14:55:12308 
信息，容量要求128K，SOP8封裝。這里提到拍字節VFRAMPB85RS128C（原P95S128KSWSP3TF），PB85RS128C是FRAM（鐵電隨機存
2022-08-19 14:08:11379 
在諸多工業、汽車等對可靠性有高要求的應用場景中，通常會使用FRAM存儲器來儲存系統中的重要信息，這得益于FRAM本身的特性，數據保存期限久、耐久性出色、擦寫次數高，讓FRAM在眾多存儲器件中脫穎而出
2022-09-08 14:25:25367 
藍牙網關設備上，主控自帶的數據存儲往往不夠用，這時候就需要外掛存儲器進行數據的非易失性、安全存儲，本文主要提到采用拍字節的新型3D鐵電存儲器(VFRAM)PB85RS128C在藍牙網關設備中進
2022-09-19 14:00:42531 
存儲器來完成。一般來說，額溫槍的主控MCU不帶可編程存儲器，因此都需要外加。外加的存儲器可以通過總線(I2C接口或SPI接口)和MCU進行通信和數據讀寫存儲。本文主要
2022-09-23 10:54:56366 音頻電話會議需記錄會議中的重要信息，所以其用來存儲數據模塊的存儲器要求具有安全、可靠的特性。下圖為音頻電話會議的簡略框圖，該方案中存儲模塊采用拍字節的PB85RS128C，該器件可替換賽普拉斯
2022-09-30 15:36:33448 、128KB容量、低功耗、工作電壓低至2.8V，而且必須是SPI通訊。根據項目需求，我們提到了拍字節的PB85RS128C，兼容SPI通信接口，工作電壓2.7V~3.6
2022-10-13 14:29:37439 
，越是對使用有限制、有要求的場景，就越會使用FRAM來存儲系統中的重要信息，在一汽車尾門控制器中，就有使用拍字節的PB85RS128C，本文將詳細介紹相關參數及應用
2022-10-18 17:50:29342 
本文簡述國產拍字節鐵電存儲器(VFRAM)應用于心率血壓測量裝置的方案。在全球老齡化趨勢加重、疫情持續影響衛生系統的時代背景下，智慧醫療設備的應用需求越來越廣泛，其中，心率血壓測量計作為基礎生物體
2022-10-24 09:35:24342 
字量采樣經過ADC和光耦送入CPU進行數據的存儲和運算。因此，一個合適的隨機存儲器必不可少。CPU控制系統圖本文主要提到拍字節的128Kb鐵電存儲器(VFRAM)PB
2022-10-27 16:12:31433 
進行分析、跟蹤等。某工程師需要一個128K、低功耗的FRAM，本文主要提到的是拍字節的PB85RS128C，該器件和賽普拉斯FM25V01-G以及富士通MB85RS
2022-11-04 11:18:11372 
C，支持SPI和百萬次讀寫周期，-25℃~60℃的工作溫度范圍。PB85RS128C是拍字節的一款容量為128Kb的SPI接口FRAM，該鐵電存儲器用于智能照明燈有如
2022-11-17 14:37:32499 
PB85RS128C是國產128KbFRAM，其運行電流為5mA，低功耗模式下電流在10μA以內，滿足汽車鑰匙對存儲器的功耗要求。應用優勢：?在供電方面，拍字節鐵電存儲
2022-11-23 10:25:54449 
)PB85RS128，該FRAM采用SPI接口，同時支持工業級-40℃~85℃的溫度范圍，也被廣泛用于儀器儀表、安全系統、便攜式醫療設備以及工業設備等。PB85RS
2022-11-25 09:27:52474 
的PB85RS128，該款鐵電存儲器（FRAM）采用標準的SPI接口進行通信，包含128Kb內存容量。無線耳機的基本原理框圖在無線耳機中使用PB85RS128，會帶來
2022-11-29 10:25:59423 
MB85RS128B，現需要一個與MB85RS128B功能相符，可相互兼容的國產器件用作國產化備選方案，規格需求如下：容量128Kb、工作溫度-40℃~85℃、封裝最好是SOP8。
2022-12-02 15:01:31392 
在一些工業環境應用中，測量重量等信息是必不可少的，有的設備還需要遠程無線傳輸到后端。對此，基于LORA的信息采集系統應運而生。本文就此介紹了拍字節的PB85RS128在基于LORA的信息采集系統
2022-12-08 17:57:55290 
國芯思辰，國產芯片替代
2023-03-23 11:25:23270 
，鐵電存儲器不需要定時刷新，能在斷電情況下保存數據，特別適合在那些對寫入時間和次數有較高要求的應用場合，而且與其MCU接口電路簡單，應用方便，本文介紹了國產鐵電存儲器PB85RS2MC在其多MCU系統中的應用。
2023-06-20 14:19:25393 
記錄儀器、數據采集、可移動數據存儲器等方面的應用。本文主要介紹鐵電存儲器PB85RS2MC在智能配電箱中的應用。
2023-06-29 09:39:03382 ℃ – 最大8K字節RAM，支持奇偶校驗 –128字節OTP存儲器? CRC 硬件計算單元? 復位和電源管理 – 低功耗模式（Sleep，DeepSleep） – 上
2023-08-01 15:45:220 PB85RS2MC可替換MB85RS2MT（富士通）/FM25V20A（賽普拉斯）
2023-08-22 09:56:047 PB85RS128可替換MB85RS128B（富士通）/ FM25V01A-GTR（賽普拉斯）
2023-08-22 16:38:152 器必須具有如下三方面的功能：1、寫入速度快，能及時記錄數據，2、能在掉電的情況下保存數據，3、能記錄數據發生的準確時刻。使用國產鐵電存儲芯片PB85RS2MC是一種
2023-05-24 11:42:10
和耐久性設計，這些要求使國產鐵電存儲器PB85RS2MC成為最佳的存儲選擇。 PB85RS2MC配置為262,144×8位，是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工
2023-05-26 10:14:23
存儲器不需要定時刷新，能在斷電情況下保存數據，特別適合在那些對寫入時間和次數有較高要求的應用場合，而且與其MCU接口電路簡單，應用方便，本文介紹了國產鐵電存儲器PB8
2023-06-08 09:52:17
的信息不會丟失，且鋰電池還存在使用壽命的問題，所以當使用了FRAM（鐵電存儲器）上述問題就將迎刃而解。將國產FRAM PB85RS128替代以前SRAM組成的顯示屏
2023-06-28 11:43:30
發出警報聲。 本文主要介紹國產鐵電存儲器PB85RS2MC用于醫療生命監護儀的存儲方案中。對于這些應用，鐵電存儲器與EEPROM相比可以更頻繁地寫入，設備可以
2023-08-16 10:30:26
隨著高速數據通信的進步，數據更頻繁地發送意味著對非易失性存儲器的需求增加，因為非易失性存儲器可以承受這種頻繁的數據操作。鐵電存儲器是具有物聯網新時代所要求的高讀寫耐久性和快速寫入速度的理想存儲設備
2023-08-24 10:05:59
或是其他數據處理時，只有這類內存才能夠可靠而無延遲地儲存傳感器所搜集的數據。故此鐵電存儲器FRAM將是提高這些核心技術的關鍵元件，無論是BMS，還是VCU，這些系統
2023-09-01 10:04:52
眾所周知，鐵電存儲器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數據的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器。本文所提到的國產鐵電存儲器PB85RS2MC在數據保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
使用，需要增添片外存儲器。因此鐵電存儲器（FRAM）是便攜式醫療設備的理想解決方案。1、高寫入耐久度PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
的系統硬件設計。 其中鐵電存儲器可使用國芯思辰PB85RS2MC，憑借高速讀寫功能，記錄儀可以實時在線記錄現場數據，并可以通過以太網通信方式與上位機進行
2023-11-15 10:34:19
要考慮到電能系統復雜多變的環境、低功耗、讀寫操作頻率和斷電保存的能力。目前符合電能質量監測系統存儲要求的是國產PB85RS2MC（富士通MB85RS2MT），兩款
2023-11-17 10:28:51
存儲中，鐵電存儲器在數據存儲方面的出色性能，可以應用在大量的現代儀器儀表中，如水表、煤氣表、門禁系統、醫療設備、自動取款機、汽車記錄儀、工業儀器等等。國產鐵電存儲器
2023-11-21 09:59:20
易失性存儲和精確的實時時鐘，本文推薦使用國產PB85RS2MC鐵電存儲器用于該存儲系統中。鐵電存儲器PB85RS2MC在系統主要是實現數據的非易失性存儲和的實時時
2023-11-27 10:17:05
嵌入式鐵電存儲器可實現超低功耗微控制器的設計。將鐵電存儲器添加到微控制器中可以進行快速可靠的非易失性數據存儲與處理，是存儲系統狀態、數據記錄及在多種應用的非易失性的理想選擇，例如傳感器與計量儀表到
2024-03-06 09:57:22
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