鑒于KAIST的HPC根源,將DirectCXL原型放在一起的研究人員專注于使用遠程直接內存訪問(RDMA)協議將CXL內存池與跨系統直接內存訪問進行比較。
2022-09-23 10:50:261101 嗨。在我的項目中,我使用Virtex 7和4 GTH接收40G流。我使用收發器向導為10GBASE-R生成GTH核心并從中復制GTH設置。這是正確的方式還是我需要使用GTH的特殊設置(RXCDR_CFG等...)?
2020-07-31 10:27:14
flash的讀取時按頁進行讀取,無法按位讀取,所以會不會是因為寫入的數據是正確的,但只是我無法看到而已?3、例程中對nand flash進行測試前都會將nand flash中的數據先傳遞到DDR,我發現
2019-01-11 11:19:55
讀取NAND FLASH時,假如#defineNFDATA __REG(0x4E000010)//NAND flash data 這行不更改成#defineNFDATA __REG_BYTE(0x4E000010)//NAND flash data為什么讀出來的數據是反的,有同學知道嗎,謝謝。。
2019-03-27 06:55:23
等優點適用于大量數據的存儲,因而在業界得到了越來越廣泛的應用。NAND結構能提供極高的單元密度,可以達到高存儲密度,并且寫入和擦除的速度也很快。本篇文章存儲芯片供應商宇芯電子介紹關于NAND
2020-11-05 09:18:33
。4.串行訪問(Serial access)讀取一個數據的時間是25ns,而一些舊的nand flash是30ns,甚至是50ns。5.輸入輸出端口是地址和數據以及命令一起multiplex復用的。6.
2018-06-12 10:13:36
。【Nand flash的一些典型(typical)特性】1.頁擦除時間是200us,有些慢的有800us。2.塊擦除時間是1.5ms.3.頁數據讀取到數據寄存器的時間一般是20us。4.串行訪問
2018-07-18 15:48:43
probe過程中:clk_enable //打開nand flash控制器的clock時鐘,request_mem_region //去申請驅動所需要的一些內存等相關資源
2018-07-17 15:00:00
s3c2410A nand 控制器控制的一塊K9F1208U0B 移植u-boot后,可以讀取nand上的數據,但都是壞塊,但寫不進去!!!問一下該如何處理???還想問一下,在沒有內核和文件系統時,如何執行flash_erase等軟件???
2019-05-17 07:45:16
2.2.4 內存訪問的軟件順序程序流程中指令的順序并不能保證相對應的內存處理順序,原因如下處理器可以重新排序一些內存獲取用來提高效率,當然,這種改變不能影響指令順序的行為處理有多個總線接口在內存
2021-08-24 07:46:25
內存交錯功能可并行閱讀大內存芯片,減小內存訪問時間。內存交錯功能最多可并行訪問單CPU內存板上的 32 個內存芯片。
2019-09-18 09:01:19
操作。但在性能上有以下差別: 1)讀取數據時,Nand Flash 首先需要進行多次地址尋址,然后才能訪問數據;而 Nor Flash是直接進行數據讀取訪問,因此NOR的讀速度比NAND稍快一些
2023-02-17 14:06:29
bootloader用的固化的代碼是怎么對NAND FLASH進行初始化呢,外接的NAND FLASH可能是各種各樣,ROM bootloader在不知道外部是什么樣的NAND FLASH的時候,就能從中讀取UBL,然后放到指定的RAM中運行UBL嗎?
2018-06-21 04:07:10
```
h616_sdio_set_address(addr);
// 發送地址
61. ```
h616_sdio_send_address();
}
// 讀取NAND芯片數據
void nand
2023-11-15 18:07:57
C語言中的結構體指針在訪問的時候怎么讀取成員變量的數據
2023-10-10 07:07:58
指導請問DM3730的McBSP接口能否接無線模塊的PCM接口?請問DM3730 DSP 訪問GPMC可以寫但一讀就死機是什么問題?請教關于DM3730從NAND啟動的型號問題求高手幫忙解決一個DM3730的EDMA問題
2018-08-29 17:39:07
中央處理器:imx6ul我正在嘗試從nand flash中讀取數據,發現有些數據總是固定為0xFn或0xnF,如下所示:數據的錯誤規則是每兩次讀取。第二次讀取數據中2018字節的高quad位固定
2023-04-06 06:15:15
。然而,我很難找到描述 LPC55S69 的兩個內核如何訪問芯片上的靜態 RAM 和閃存資源的應用說明或技術規范。NXP 是否提供此類應用說明?我在哪里可以找到這個?我用各種搜索短語搜索了論壇,例如“雙關心內存
2023-04-12 08:54:14
我正在使用 LPCXpresso55S16,我想從閃存中動態分配內存,向其中寫入數據,從中讀取數據,并在需要時釋放它。是否有教程或任何人都可以幫助我嗎?
2023-06-09 06:57:01
實現數據總線,因此一個數據周期需要兩個總線周期。16位地址可訪問64K外部地址空間。 外部內存地址與內部內存地址是平行的,因此都有0x0001,但是訪問外部存儲器通過MOVX指令實現。-----------------AVR:程序存儲空間與SRAM數據存儲空間獨立編址。...
2021-11-23 09:10:33
(NOR Flash與NAND Flash連接線):NOR Flash與主控芯片的連接線分為數據線和地址線,所以可以隨時訪問任意地址。而NAND Flash與主控芯片的連接線只有一種,所以此線是復用...
2021-07-22 09:26:53
。OM[1:0]=11時,處理器從Test Mode啟動。當從NAND啟動時 cpu會自動從NAND flash中讀取前4KB的數據放置在片內4KB大小的RAM里(s3c2440是soc),同時把這段片內
2018-03-12 10:19:26
同時指定邏輯塊號和塊內偏移。應用程序對NAND芯片操作是以“塊”為基本單位。NAND閃存的塊比較小,一般是8KB,然后每塊又分成頁,頁的大小一般是512字節。要修改NAND芯片中一個字節,必須重寫整個數據
2013-04-02 23:02:03
整個數據塊。 2)NOR閃存是隨機存儲介質,用于數據量較小的場合;NAND閃存是連續存儲介質,適合存放大的數據。 3) 由于NOR地址線和數據線分開,所以NOR芯片可以像SRAM一樣連在數據
2014-04-23 18:24:52
PC端訪問服務器并讀取服務器端的數據 怎么寫啊? 需要訪問數據庫嗎?聽說還要服務器那邊的用戶名和密碼才能訪問數據庫不需要兩臺pc機的通信的程序 求大神。。。。。
2016-07-27 09:00:06
使用壽命。該芯片幾乎達到了協議的最高理論速度(25MB/s),連續讀取最高速度可以到達20.6MB/s,連續寫入最高速度可以達到19.4MB/s。
pSLC SD Nand在文件傳輸時無論是大文件還是
2023-08-11 10:48:34
Flash memory是非易失性存儲的,可用于FPGA或者車載芯片上的存儲數據的加載。Flash Memory根據硬件上存儲原理的不同,Flash Memory主要可以分為NOR Flash和NAND
2022-07-01 10:28:37
發送端:ov7670拍照后存圖于SD卡,nrf24L01采用SPI接口通信,接收端:mini板接收,顯示并存儲圖片問題:SPI如何訪問sd卡讀取圖片數據,并發送呢?求程序,一整套的程序就更好了。希望大家盡力幫幫忙,給點意見,不勝感激!
2020-06-10 09:25:30
發送端:ov7670拍照后存圖于SD卡,nrf24L01采用SPI接口通信,接收端:mini板接收,顯示并存儲圖片問題:SPI如何訪問sd卡讀取圖片數據,并發送呢?求程序,一整套的程序就更好了。希望大家盡力幫幫忙,給點意見,不勝感激!
2020-06-15 04:35:15
我正在使用 ST25RU3993-EVAL 板讀取 RFM3200-AFR 溫度傳感器的溫度。我發現很難從溫度傳感器標簽內存中讀取溫度代碼。任何人都可以幫助我如何使用 ST 提供的 SDK 源代碼訪問特定的內存位置。
2022-12-26 10:30:51
你好:
咨詢一個問題:我用STM32H743IIT6芯片,STM32CubeIDE,使用FMC驅動NAND FLASH,NAND FLASH ID讀取正常。但是有幾個問題:
擦除完block后
2024-03-08 06:54:22
如題,本人想玩下STM32對NAND FLASH ,NOR FLASH ,SRAM的訪問,來熟悉這些器件的應用,不知這里有哪位大俠用STM32玩過這些,可以交流交流。。。
2020-05-25 20:04:22
我們正在進行一個使用英飛凌 TC377 芯片組的項目。 我們希望就如何訪問 EMEM 內存征求意見。 我們正試圖復制數據,然后從 EMEM 內存范圍內的位置讀取數據,但無法實現。
此外,我們還在嘗試
2024-03-04 07:10:47
訪問在讀時自動添加05h和E0h命令,在寫時自動添加85h命令。讀取時,controller如何知道要從nand flash設備讀取多少字節?有一個寄存器(如果存在,我找不到它),或者每次訪問 AXI 映射內存都會生成一條對 nandflash 設備的讀取指令?可能是突發長度來處理這個?
2023-04-04 06:38:32
starterware boot 讀取 nand page 與 sy***ios 中 讀取nand page 時間差異很大你好:遇到的問題為:starterware boot 讀取 nand
2019-08-20 07:26:52
,nand flash的裸機程序可包含如下內容:1、nandflash 初始化2、復位3、等待就緒4、發片選(取消片選)5、發命令6、讀取nand 狀態7、發地址8、讀(寫)一個字節的數據9、讀芯片
2015-09-14 21:19:54
官方網站:深圳市雷龍發展有限公司
目前雷龍發展代理的 SD NAND 已可在立創商城搜索到,其詳情頁也附有手冊。
芯片簡介
芯片外觀及封裝
實拍圖:
?
根據官方文檔介紹,此款芯片采用 LGA-8
2023-07-28 16:23:18
本帖最后由 elecfans跑堂 于 2015-8-31 10:50 編輯
在編寫一個讀取wav文件的程序,發現一次讀取40M以上的文件,消耗內存1G左右,太嚇人了,請高手指點啊http
2015-08-31 09:40:29
我在uboot下裸機,從tftp下載到內存地址31000000,點燈運行成功,可是我將這段程序先放到nand里,在通過nand裸機程序拷貝到內存31000000,在執行,uboot重啟啊。我md內存了,二者的機器碼完全一樣,不知道什么原因啊
2019-07-15 05:01:51
內存訪問邊界限制,我們可以通過一次內存訪問讀取地址3和4。但是,邊界限制迫使處理器兩次訪問內存。那么,如果它使數據操作更加困難,為什么還要將內存訪問限制在某些邊界呢?存在內存訪問邊界限制是因為對地
2020-09-27 15:45:46
前言
大家好,我們一般在STM32項目開發中或者在其他嵌入式開發中,經常會用到存儲芯片存儲數據。今天我和大家來介紹一款存儲芯片,我這里采用(雷龍) CS創世 SD NAND 。
SD
2024-01-05 17:54:39
0xFFFF 開始順序讀取并繼續進一步讀取來確認它。但是如果我使用地址作為 0x51 并從位置 0x010000 開始讀取(16 位中的內存地址將為 0x0000),那么我將無法獲取數據。
2023-01-29 08:08:55
實驗室的另一個讀卡器可以訪問內存,所以它應該適用于這個讀卡器。該標簽基于 EM4325 芯片,我正在嘗試訪問位于 0xEC 及以后的系統內存,數據表說這些頁面沒有讀取保護。
2022-12-06 06:35:51
段發送數據,第一段數據由核0處理,第二段數據由核1處理,第三段……第八段數據由核7處理。想問一下,這種機制相比于單核從共享內存讀取數據會慢多少,因為多核訪問共享內存肯定存在沖突問題,謝謝!另外,每個核處理完各自的數據會不停的輪詢讀寫共享內存的標志位,以此判斷數據新的數據是否到達!
2018-06-25 01:31:27
,降低了成本。
flash 分為 nor flash 和 nand flash:
nor flash 數據線和地址線分開,可以實現ram一樣的隨機尋址功能,可以讀取任何一個字節。但是擦除仍要按塊來擦
2023-05-19 15:59:37
,優化了控制器,這些產品還提供更快的讀/寫速度。讀取速度提高約8%,而寫入速度提高將近20%。 市場對于能夠支持智能手機、平板電腦等應用的NAND閃存的需求繼續增長。帶控制器的嵌入式內存尤其供不應求,因為
2018-09-13 14:36:33
實現LabVIEW訪問Oracle數據庫,從中讀取一些數據進行判斷并顯示,必有重謝,哪位高手可以幫幫我呢,拜托了!
2017-03-20 15:03:12
的----將存儲在SD NAND內的兩張圖片通過FPGA讀取,并通過VGA的方式在顯示器上輪回顯示。1、目標使用 SD NAND數據讀寫控制器讀取事先存儲在 SD NAND的圖片數據,將讀取的圖片數據
2023-01-06 17:06:04
Programmable read only memory)是指帶電可擦可編程只讀存儲器,是一種掉電后數據不丟失的存儲芯片。EEPROM 可以在電腦上或專用設備上擦除已有信息,重新編程。 這類產品容量小,讀取速度慢,且
2022-12-16 17:18:37
本文章主要講解了nand_flash初始化的方法,如何讀取nand_flash上的數據
2022-02-17 06:54:13
樣本代碼顯示在外部 Winbond W25N02JW SPI NAND Flash 中訪問文件。 文件系統為 FAT32。 用戶可以將數據存儲在 SPI NAND Flash 中作為數據記錄器
2023-08-29 07:21:07
發送和接收數據的問題:我把我的數據發送到FX2LP,當我想再讀取它時,數據被移動。如何將數據寫入FIFO的第一個地址,并從第一個地址讀取數據?接收數據JPG158.2 K 以上來自于百度翻譯 以下
2019-06-18 09:12:45
指令的基本原則如下:所有在內存屏障指令之前的數據訪問必須在內存屏障指令之前完成;所有在內存屏障指令后面的數據訪問必須等待內存屏障指令執行完;多條內存屏障指令是按順序執行的。ARM有三種內存屏障指令
2022-05-09 09:32:35
數據怎么傳輸?各引腳怎么配合?怎么確定訪問地址、設置內存控制器?
2021-11-05 08:27:58
NAND閃存,但沒有任何運氣。(目標是實現NAND啟動),這里所用的程序是嘗試從U-BooD讀取NAND的設備ID,如果成功的話,NAND和處理器之間的通信將一致。當我嘗試打印MfFyID和DavyID
2019-10-29 09:30:45
字節,以便讀取從我發送的地址的數據。SPI端口確實支持在字節寫入期間讀取數據字節到讀取緩沖器中,但是無論如何我無法找到訪問寫入期間讀取的數據。接收緩沖器不能直接訪問,只能通過SPI5BUF(我
2019-06-14 12:09:07
NAND FLASH的數據讀取只能按頁讀取嗎?想按字節讀取可以實現嗎?
2019-09-26 08:31:39
這是同事用VB.net寫通訊代碼,通過VB去訪問儀表庫讀取數據。現在想改成LABVIEW去讀取數據,請問應該怎么做啊,求幫助,感謝各位大神。
2018-05-21 12:19:42
),專門用來讀取nand flash 中的數據,寫flash 不要求高速。這樣的話,就等于是通過 單片機和 “nand 控制器” 同時控制nand flash芯片了。單片機負責寫入,花費15個I/O口
2018-06-13 14:14:34
我按頁讀取NAND FLASH,可以讀取oob數據,但是隨機讀取,怎么也定位不到oob區?請問怎么隨機讀取oob區數據?
2019-07-01 04:19:17
嗨,大家好!我想問一下,我是否可以將天線連接到我的spartan-3e板并從中發送信號?以上來自于谷歌翻譯以下為原文Hi everyone! i want to ask if i can
2019-06-06 09:09:20
大家好,最近在處理數據的時候遇到這樣一個問題,使用讀取電子表格來讀一個300M左右的TXT數據文件,運行時間很長并且報錯內存不足,有什么辦法能解決這個問題嗎?謝謝各位了
2012-01-18 22:55:31
遠程訪問服務器的標準內存容量 標準內存容量是指遠程訪問服務器隨機所帶的內存容量大小。不同的產品隨機
2010-01-08 14:25:52691 遠程訪問服務器的最大內存容量 最大內存容量是指遠程訪問服務器主板能夠最大能夠支持內存的容量。
2010-01-08 14:26:26738 DMA_讀取GPIO電平到內存,單片機程序
2016-01-12 18:19:5510 5.4 多寄存器Load/Store內存訪問指令 多寄存器Load/Store內存訪問指令也叫批量加載/存儲指令,它可以實現在一組寄存器和一塊連續的內存單元之間傳送數據。LDM用于加載多個寄存器
2017-10-18 15:56:191 內存SRAM-NOR-NAND資料匯總(附程序及原理圖)
2017-11-29 17:49:5012 據外媒報道,英特爾和鎂光宣布,它們不再合作開發下一代3D NAND內存。
2018-01-11 09:16:024070 此外,新的V-NAND數據寫入速度僅延遲了500微妙,與前一代相比改進了30%,讀取信號時間已降低到50微妙。值得一提的是新的96層V-NAND閃存芯片也更加節能,電壓從1.8V降至1.2V。
2018-07-27 17:11:00978 內存卡一般采用半導體存儲單元,常說的內存是RAM,表示既可以從中讀取數據,也可以寫入數據。當機器電源關內存閉時,存于其中的數據就會丟失。它是集成塊集中在一起的一小塊 電路板,它插在計算機中的內存插槽
2018-11-24 10:47:1632729 的存儲卡,如SD、索尼的MemoryStick、MMC等,都包含了一個非常簡單的經典結構,其中包含了獨立的部分一個控制器、一個PCB和tsop48或LGA-52包中的NAND內存芯片。在這種情況下,恢復的整個過程非常簡單我們只是解焊了內存芯片,用PC-3000 FLASH直接讀
2020-09-09 09:37:376149 在開始處理一體FLASH數據恢復之前,我們應該警告你,一體FLASH器件焊接的整個過程很復雜,需要良好的焊接技能和特殊設備。 如果您之前從未嘗試過焊接一體FLASH器件,那么最好在一些數據不重要的配件在設備上嘗試您的技能。 例如,您可以購買其中的幾個,以測試您的準備和焊接技能。
2021-01-15 10:25:173299 現在很多現代的NAND閃存設備都采用了一種新型的架構,將接口、控制器和存儲芯片集成到一個普通的陶瓷層中。我們稱之為一體結構封裝。
2021-06-15 09:56:252410 1、NOR flashNOR flash數據線和地址線分開,可以實現ram一樣的隨機尋址功能,可以讀取任何一個字節。但是擦除仍要按塊來擦。2、NAND flashNAND flash數據線和地址
2021-12-02 12:21:0630 本文章主要講解了nand_flash初始化的方法,如何讀取nand_flash上的數據
2021-12-22 19:04:4615 你知道內存是怎么讀取數據的嗎?知道數據是怎么一個一個字節發送的嗎?
2022-03-30 13:52:234486 當訪問多維數組時,線程通常需要索引數組的更高維,因此快速訪問是不可避免的。我們可以使用一種名為?共享內存?的 CUDA 內存來處理這些情況。共享內存是一個線程塊中所有線程共享的片上內存。共享內存
2022-04-11 10:07:41937 在內核中訪問IO內存(通常是芯片內部的各個I2C,SPI, USB等控制器的寄存器或者外部內存總線上的設備)之前,需首先使用ioremap()函數將設備所處的物理地址映射到虛擬地址上。
2022-08-04 18:10:521081 閃存存儲設備:NAND芯片作為主要的閃存存儲媒介,被廣泛用于固態硬盤(SSD)、USB閃存驅動器、內存卡(如SD卡、MicroSD卡)和閃存盤等。
2023-06-28 16:25:495232 TWU table walk unit:包含從內存中讀取translation tables的邏輯 一個完整的頁表翻譯和查找的過程叫作頁表查詢(Translation Table Walk
2023-11-26 16:04:34249 電子發燒友網站提供《如何逐步設置并從ADC讀取一個結果.pdf》資料免費下載
2023-11-27 11:44:570 這種存儲技術不僅能容納大量語音和數據文件,而且具有高速讀取的特點,保障了實時通信的質量。SD NAND還注重安全性,通過數據加密和訪問控制功能,確保對講機中的敏感信息受到保護。其耐用性使其能夠抵御對講機在使用中可能遇到的振動和沖擊。
2023-12-28 00:00:00331 ug內部錯誤,內存訪問違例怎么解決 內部錯誤和內存訪問違例是編程中常見的問題,它們可能會導致應用程序崩潰、數據丟失或系統不穩定。在本文中,我將詳細解釋內部錯誤和內存訪問違例的原因,如何解決這些
2023-12-27 16:27:132140 電子發燒友網報道(文/黃晶晶)根據 IC Insights 統計,2020年全球存儲芯片市場規模達 1,267 億美元,其中DRAM和NAND Flash市場規模較大,占比分別為53%和44
2022-04-17 15:21:464854
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