存儲器（Memory）是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。其概念很廣，有很多層次，在數(shù)字系統(tǒng)中，只要能保存二進制數(shù)據(jù)的都可以是存儲器；在集成電路中，一個沒有實物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器，如RAM、FIFO等；在系統(tǒng)中，具有實物形式的存儲設(shè)備也叫存儲器，如內(nèi)存條、TF卡等。計算機中全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。有了存儲器，計算機才有記憶功能，才能保證正常工作。計算機中的存儲器按用途存儲器可分為主存儲器（內(nèi)存）和輔助存儲器（外存），也有分為外部存儲器和內(nèi)部存儲器的分類方法。外存通常是磁性介質(zhì)或光盤等，能長期保存信息。內(nèi)存指主板上的存儲部件，用來存放當前正在執(zhí)行的數(shù)據(jù)和程序，但僅用于暫時存放程序和數(shù)據(jù)，關(guān)閉電源或斷電，數(shù)據(jù)會丟失。

　　存儲器的分類特點及其應(yīng)用

　　在嵌入式系統(tǒng)中最常用的存儲器類型分為三類：

　　1．隨機存取的RAM;

　　2．只讀的ROM;

　　3．介于兩者之間的混合存儲器

　　1.隨機存儲器（Random Access Memory，RAM）

　　RAM能夠隨時在任一地址讀出或?qū)懭雰?nèi)容。 RAM的優(yōu)點是讀/寫方便、使用靈活；

　　RAM的缺點是不能長期保存信息，一旦停電，所存信息就會丟失。 RAM用于二進制信息的臨時存儲或緩沖存儲

　　2.只讀存儲器（Read-Only Memory，ROM）

　　ROM中存儲的數(shù)據(jù)可以被任意讀取，斷電后，ROM中的數(shù)據(jù)仍保持不變，但不可以寫入數(shù)據(jù)。

　　ROM在嵌入式系統(tǒng)中非常有用，常常用來存放系統(tǒng)軟件（如ROM BIOS）、應(yīng)用程序等不隨時間改變的代碼或數(shù)據(jù)。

　　ROM存儲器按發(fā)展順序可分為：掩膜ROM、可編程ROM（PROM）和可擦寫可編程ROM（EPROM）。

　　3. 混合存儲器

　　混合存儲器既可以隨意讀寫，又可以在斷電后保持設(shè)備中的數(shù)據(jù)不變?；旌洗鎯υO(shè)備可分為三種：

　　EEPROM NVRAM FLASH

　　（1）EEPROM

　　EEPROM是電可擦寫可編程存儲設(shè)備，與EPROM不同的是EEPROM是用電來實現(xiàn)數(shù)據(jù)的清除，而不是通過紫外線照射實現(xiàn)的。

　　EEPROM允許用戶以字節(jié)為單位多次用電擦除和改寫內(nèi)容，而且可以直接在機內(nèi)進行，不需要專用設(shè)備，方便靈活，常用作對數(shù)據(jù)、參數(shù)等經(jīng)常修改又有掉電保護要求的數(shù)據(jù)存儲器。

　?。?） NVRAM

　　NVRAM通常就是帶有后備電池的SRAM。當電源接通的時候，NVRAM就像任何其他SRAM一樣，但是當電源切斷的時候，NVRAM從電池中獲取足夠的電力以保持其中現(xiàn)存的內(nèi)容。

　　NVRAM在嵌入式系統(tǒng)中使用十分普遍，它最大的缺點是價格昂貴，因此，它的應(yīng)用被限制于存儲僅僅幾百字節(jié)的系統(tǒng)關(guān)鍵信息。

　?。?）Flash

　　Flash（閃速存儲器，簡稱閃存）是不需要Vpp電壓信號的EEPROM，一個扇區(qū)的字節(jié)可以在瞬間（與單時鐘周期比較是一個非常短的時間）擦除。

　　Flash比EEPROM優(yōu)越的方面是，可以同時擦除許多字節(jié)，節(jié)省了每次寫數(shù)據(jù)前擦除的時間，但一旦一個扇區(qū)被擦除，必須逐個字節(jié)地寫進去，其寫入時間很長。

　　存儲器工作原理

　　這里只介紹動態(tài)存儲器（DRAM）的工作原理。

　　工作原理

　　動態(tài)存儲器每片只有一條輸入數(shù)據(jù)線，而地址引腳只有8條。為了形成64K地址，必須在系統(tǒng)地址總線和芯片地址引線之間專門設(shè)計一個地址形成電路。使系統(tǒng)地址總線信號能分時地加到8個地址的引腳上，借助芯片內(nèi)部的行鎖存器、列鎖存器和譯碼電路選定芯片內(nèi)的存儲單元，鎖存信號也靠著外部地址電路產(chǎn)生。

　　當要從DRAM芯片中讀出數(shù)據(jù)時，CPU首先將行地址加在A0-A7上，而后送出RAS鎖存信號，該信號的下降沿將地址鎖存在芯片內(nèi)部。接著將列地址加到芯片的A0-A7上，再送CAS鎖存信號，也是在信號的下降沿將列地址鎖存在芯片內(nèi)部。然后保持WE=1，則在CAS有效期間數(shù)據(jù)輸出并保持。

　　當需要把數(shù)據(jù)寫入芯片時，行列地址先后將RAS和CAS鎖存在芯片內(nèi)部，然后，WE有效，加上要寫入的數(shù)據(jù)，則將該數(shù)據(jù)寫入選中的存貯單元。

　　存儲器芯片

　　由于電容不可能長期保持電荷不變，必須定時對動態(tài)存儲電路的各存儲單元執(zhí)行重讀操作，以保持電荷穩(wěn)定，這個過程稱為動態(tài)存儲器刷新。PC/XT機中DRAM的刷新是利用DMA實現(xiàn)的。首先應(yīng)用可編程定時器8253的計數(shù)器1，每隔1⒌12μs產(chǎn)生一次DMA請求，該請求加在DMA控制器的0通道上。當DMA控制器0通道的請求得到響應(yīng)時，DMA控制器送出到刷新地址信號，對動態(tài)存儲器執(zhí)行讀操作，每讀一次刷新一行。