2016年下半年開始了新一輪存儲芯片的旺季，DRAM內(nèi)存及NAND閃存的價格從那時候開始瘋漲，今年已經(jīng)進(jìn)入第三個年頭了，不過情況也不一樣了DRAM內(nèi)存顆粒今年的漲價速度放緩到個位數(shù)，不過今年并沒有
2018-10-31 09:49:01
2102 繼NAND Flash度過了兩年的蜜月期后，2018年NAND Flash市場價格迎來大幅度下滑。而存儲原廠為維穩(wěn)價格而獲得高營收或盈利能力，針對2019年存儲市場布局，三星、SK海力士
2019-01-16 18:37:316593 DRAMeXchange數(shù)據(jù)顯示，第二季度全球DRAM存儲器產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值連續(xù)下降9％，而NAND閃存業(yè)則持平。 DRAMeXchange表示，第二季度DRAM比特出貨量連續(xù)增長，但芯片價格下跌拖累
2019-08-21 09:24:005184 合同價格將環(huán)比下跌21%，NAND的環(huán)比價格跌幅在12%。 ? 存儲芯片存儲芯片大廠計劃降價 ， 下調(diào)業(yè)績預(yù)期 ? 三星是全球最大的存儲廠商 ， 根據(jù)此前的市場營收份額來看 ， 三星 2022
2022-07-10 10:07:514308 NAND Flash存儲器在移動設(shè)備應(yīng)用市場的需求趨緩。根據(jù)IHS初步統(tǒng)計資料顯示，受到品牌廠與網(wǎng)絡(luò)廠商大舉推出云端儲存服務(wù)影響，第三季智能手機與平板設(shè)備內(nèi)建NAND Flash存儲器的需求已開始減少。
2013-11-26 11:16:171235 
被東芝（Toshiba）視為營運重建支柱的半導(dǎo)體部門新整編方案內(nèi)容曝光，據(jù)悉東芝擬把在三重縣四日市工廠進(jìn)行生產(chǎn)的“NAND型快閃存儲器（Flash Memory）”事業(yè)分拆出來。
2015-12-22 08:17:04696 NAND Flash是一種非易失存儲器，也就是掉電不丟失類型，現(xiàn)在我們常見的存儲設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤、固態(tài)硬盤，手機存儲等等，電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2022-11-10 17:08:321754 
動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)第四季價格持續(xù)下跌，存儲器封測廠受到客戶要求降價，近期已同意本季調(diào)降調(diào)降封測售價5%到10%，將沖擊本季毛利表現(xiàn)。
2011-11-19 00:26:271168 
最新發(fā)布的存儲器價格報告指出，存儲器產(chǎn)業(yè)新年伊始就迎來供需結(jié)構(gòu)反轉(zhuǎn)的消息。
2020-01-21 08:17:001460 市調(diào)機構(gòu)集邦咨詢（TrendForce）旗下半導(dǎo)體研究處的最新報告稱，由于NAND Flash的供應(yīng)商數(shù)量遠(yuǎn)高于DRAM，加上供給位元成長的幅度居高不下，預(yù)計2021年NAND Flash價格仍將逐季下跌。
2020-12-15 10:13:533119 ，從今年第四季度開始，DRAM、NAND產(chǎn)品合約價格開始呈現(xiàn)下跌態(tài)勢，預(yù)計持續(xù)至明年上半年。 ? 今年Q4開始，DRAM、NAND出貨下滑、價格下跌 ? 市場調(diào)研機構(gòu)紛紛表示存儲價格在今年Q4已經(jīng)出現(xiàn)下跌。根據(jù)閃存市場，因為Q3加大了對DRAM的供應(yīng)，目前DRAM市場
2021-10-21 07:28:004415 1. TC58V64 的引腳配置TC58V64的引腳配置如圖所示。在圖中未看到地址引腳，這是因為利用數(shù)據(jù)輸人輸出引腳（I／O 1 ～I(xiàn)／O 8 ），能夠以時分方式賦予數(shù)據(jù)。NAND閃速存儲器只能
2018-04-11 10:10:52
TC58V64的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖所示。閃速存儲器的容量增大，則塊數(shù)也將增加，但內(nèi)部的基本結(jié)構(gòu)沒有改變。NAND 閃速存儲器的特點①按順序存取數(shù)據(jù)；②存儲器內(nèi)部以塊為單元進(jìn)行分割，而各塊又以頁為單位進(jìn)行
2018-04-11 10:11:54
感謝Dryiceboy的投遞據(jù)市場分析數(shù)據(jù),DRAM和NAND存儲器價格近期正在不斷上揚.許多人認(rèn)為當(dāng)前存儲器市場的漲價只不過是暫時的供需不穩(wěn)所導(dǎo)致的;有些人則認(rèn)為隨著存儲器價格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
內(nèi)部程序，其特點是價格便宜?！ ?、可編程的只讀存儲器（PROM）： 它的內(nèi)容可由用戶根據(jù)自已所編程序一次性寫入，一旦寫入，只能讀出，而不能再進(jìn)行更改，這類存儲器現(xiàn)在也稱為OTP（Only Time
2017-10-24 14:31:49
更改內(nèi)部程序，其特點是價格便宜。 2、可編程的只讀存儲器（PROM）： 它的內(nèi)容可由用戶根據(jù)自已所編程序一次性寫入，一旦寫入，只能讀出，而不能再進(jìn)行更改，這類存儲器現(xiàn)在也稱為OTP（Only
2017-12-21 17:10:53
存儲器的理解存儲器是由簡單的電子器件例如PMOS管、NMOS管進(jìn)行組合形成邏輯上的與非或門，之后在此基礎(chǔ)上，形成組合邏輯用于存儲信息，例如R-S鎖存器和門控D鎖存器，進(jìn)而進(jìn)一步組合復(fù)雜化，形成我們
2021-12-10 06:54:11
存儲器可劃分為哪幾類？存儲器的層次結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？存儲器芯片與CPU芯片是怎樣進(jìn)行連接的？
2021-09-16 07:12:10
從個人電腦的角度看嵌入式開發(fā)板——小白學(xué)ARM（五）各種存儲器——SRAM、DRAM、SDRAM、ROM、NOR、NAND？？？mini2440開發(fā)板vs個人電腦各種存儲器——SRAM、DRAM
2021-12-21 06:01:19
問題一：位圖都存儲在哪了？都在程序存儲器里嗎問題二：能不能將位圖存儲到外部內(nèi)存中？問題三：F429的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器有多大？
2020-05-20 04:37:13
NAND FIash存儲器的特點FIash文件系統(tǒng)的應(yīng)用特點 FAT文件系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)FAT文件系統(tǒng)的改進(jìn)設(shè)計
2021-04-25 09:18:53
Flash存儲器是一種基于浮柵技術(shù)的非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲器，一般有NOR、NAND、 DINOR和AND 等幾種類型。作為一類非易失性存儲器 ,Flash存儲器具有自己獨特的優(yōu)點:不需要特殊的外部高
2020-11-16 14:33:15
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲器的優(yōu)點，同時在性能方面又超過了現(xiàn)有幾乎所有的存儲器，因此有可能會贏得巨大的市場(見表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣
2023-04-07 16:41:05
需要雙向進(jìn)行，所以才要利用74ls245來進(jìn)行接收。會將柵極一直打開，通過對存儲器芯片的讀信號來進(jìn)行方向控制。本次我們采用將pld上存儲器的讀信號設(shè)置為只在cs1有效時才輸出的方法。 3.pld
2020-12-10 16:44:18
狀態(tài)取反寫入存儲器。如果讀出狀態(tài)不在車庫內(nèi)，則產(chǎn)生刷進(jìn)脈沖，在車庫內(nèi)刷出。大致思路是這樣，用74LS123進(jìn)行延時，延時信號觸發(fā)存儲器的讀寫端，數(shù)據(jù)通過74LS244傳輸，中間用74LS175固定和取反
2016-07-23 00:01:59
讀寫次數(shù)和效能上遠(yuǎn)不如SLC芯片，但隨著效能大幅改善后，MLC芯片也逐漸成為NAND Flash產(chǎn)業(yè)主流，并在價格下滑后，導(dǎo)入多領(lǐng)域應(yīng)用范圍。現(xiàn)在MLC芯片性價比提升，也逐漸導(dǎo)入許多應(yīng)用領(lǐng)域包括軍規(guī)
2018-06-14 14:26:38
TPS63061在瞬態(tài)加重負(fù)載情況下，電壓會下跌，這是它固有特性嗎？有什么措施能避免電壓下跌？
2019-07-04 07:53:59
我知道當(dāng)HSM工作或像S32R45這樣的MCU工作時時鐘是不同的。所以加密的功能正常工作。但是不能從外部存儲器讀取任何數(shù)據(jù)。解決此問題的解決方案是什么？
2023-04-03 08:34:09
什么是EEPROM存儲器？
2021-11-01 07:24:44
、價格便宜、維護(hù)簡單。 3、按其存儲原理分為 （1）靜態(tài)存儲器特點：需要電源才能工作，只要電源正常，就能長期穩(wěn)定的保存信息。 （2）動態(tài)存儲器特點：超大容量的存儲技術(shù)，跟其它類型的存儲器相比，每兆比特的價格為最低。
2020-12-25 14:50:34
flash中運行。嵌入式系統(tǒng)多用一個小容量的nor flash存儲引導(dǎo)代碼，用一個大容量的nand flash存放文件系統(tǒng)和內(nèi)核。
1.2 存儲器RAM介紹
RAM有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM（Static
2023-05-19 15:59:37
單片機中的單片存儲器是如何進(jìn)行連線的？單片機中的雙片存儲器是如何進(jìn)行連線的？
2022-01-21 07:04:51
2018年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模達(dá)到1，500億美元，其中NAND Flash超過570億美元，而中國市場消耗了全球產(chǎn)能的32％，這意味著中國已成為全球主要的市場，為了擺脫長期對外采購的依賴，國內(nèi)存儲器
2021-07-13 06:38:27
1. 嵌入式的外部存儲器嵌入式系統(tǒng)中，外部的存儲器一般是Nand flash和Nor flash，都稱為非易失存儲器。存儲器的物理構(gòu)成包含頁內(nèi)地址，頁（Page），塊（Block）。可以得出存儲器
2021-12-10 08:26:49
的測試系統(tǒng)應(yīng)運而生。本文提出了一種多功能存儲器芯片的測試系統(tǒng)硬件設(shè)計與實現(xiàn)，對各種數(shù)據(jù)位寬的多種存儲器芯片（SRAM、MRAM、NOR FALSH、NAND FLASH、EEPROM等）進(jìn)行了詳細(xì)的結(jié)口
2019-07-26 06:53:39
擴(kuò)展存儲器讀寫實驗的目的是什么？怎樣去設(shè)計一種擴(kuò)展存儲器讀寫的電路？擴(kuò)展存儲器讀寫實驗的流程有哪些？
2021-07-14 07:04:49
嵌入式最小硬件系統(tǒng)是由哪些部分組成的？嵌入式系統(tǒng)使用的存儲器是如何進(jìn)行劃分的？可分為哪幾類？
2021-10-22 07:18:56
新興存儲器MRAM與ReRAM嵌入式市場
2020-12-17 06:13:02
?過去存儲器與晶圓代工業(yè)大致上可以說是「楚河漢界，井水不犯河水」。但在即將來臨的時代，存儲器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲器市場，而存儲器技術(shù)從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲器
2018-12-24 14:28:00
未來DDR4、NAND Flash存儲器芯片該如何發(fā)展
2021-03-12 06:04:41
數(shù)據(jù)存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數(shù)據(jù)存儲器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲器各有什么區(qū)別？特點？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
切換期間存儲信息。非易失性存儲器用于存儲可執(zhí)行代碼或常量數(shù)據(jù)、校準(zhǔn)數(shù)據(jù)、安全性能和防護(hù)安全相關(guān)信息等重要數(shù)據(jù)，以作將來檢索用途。目前市場上主要包含這幾種不同類型的非易失性存儲器，如NOR 閃存
2019-07-23 06:15:10
，功耗和成本之間的平衡.在另一些情況下，根據(jù)基本存儲器的特性進(jìn)行分割成為一個合理辦法。例如，將一位可變性內(nèi)容放進(jìn)一位可變性存儲器而不是將一位可變性內(nèi)容放進(jìn)塊可變性存儲器，帶寬分割在高水平上，主要有3個
2018-05-17 09:45:35
如圖 2 所示，DINOR閃速存儲器如圖 3 所示，AND閃速存儲器單元的結(jié)構(gòu)如圖 4 所示。市場上銷售的閃速存儲器基本上就是NOR及NAND兩種，其中只有NAND閃速存儲器的單元是串聯(lián)的，其他所有類型
2018-04-09 09:29:07
記憶。浮置柵被設(shè)計成可以存儲電荷的構(gòu)造，柵極及主板利用氧化膜進(jìn)行了絕緣處理，一次積累的電荷可以長時間（10 年以上）保持。當(dāng)然，如果氧化膜存在缺陷，或者由于某種原因使絕緣膜遭到破壞，那么閃速存儲器將失去
2018-04-10 10:52:59
高性能20納米級NAND閃存存儲器
SAMSUNG電子有限公司推出業(yè)界首個20納米級(nm) NAND芯片，用于安全數(shù)字(SD)存儲器卡和嵌入式存儲解決方案中。32
2010-05-17 12:15:021113 提出一種適用于未來高密度應(yīng)用的與非(NAND) 型共享選通管的三維多層1TXR 阻變存儲器概念。在0.13 m工藝下, 以一個使用8 層金屬堆疊的1T64R 結(jié)構(gòu)為例, 其存儲密度比傳統(tǒng)的單層1T1R 結(jié)構(gòu)高
2011-12-07 11:02:41
16 策略進(jìn)行了講解。 首先，Micron 公司 CEO Mark Durcan 講解了 DRAM 和 NAND 存儲器的市場趨勢。他說，未來幾年 DRAM 出貨量增長速度將減緩。如圖 1 所示，2015
2017-10-20 16:08:2649 今年Q1季度到Q2季度以來，NAND閃存價格一直在下滑，市場供需情況已經(jīng)變了，本來預(yù)計Q3季度會有蘋果新機拉貨導(dǎo)致的需求提升，藉此提振下NAND價格，不過現(xiàn)在來看這些廠商想的太樂觀了，Q3季度NAND閃存價格還會繼續(xù)下滑，這種情況持續(xù)下去，不排除2020年NAND市場大洗牌。
2018-07-17 11:58:00705 根據(jù)2017年的存儲器行業(yè)需求顯露出的價格上漲，供不應(yīng)求局面，韓系存儲器廠紛紛計劃擴(kuò)產(chǎn)。但由于存儲器大廠3D NAND良率升，NAND Flash將在2019年后產(chǎn)能過剩。
2018-01-06 10:32:382185 只有4%，時隔3年回落至個位數(shù)增長。由于大數(shù)據(jù)的利用擴(kuò)大等原因，用于記錄數(shù)據(jù)的存儲半導(dǎo)體需求持續(xù)增長，但由于增產(chǎn)，價格將出現(xiàn)下跌。
2018-06-10 11:43:001530 目前存儲器市況呈現(xiàn)兩樣情，DRAM持續(xù)穩(wěn)健發(fā)展，價格平穩(wěn)或小漲；NAND Flash則因供過于求，價格緩跌。外界預(yù)期DRAM市場第3季將可喜迎旺季，而NAND Flash市場價格也可稍有反彈。
2018-06-22 15:48:00769 受惠于北美數(shù)據(jù)中心建案推動，從2017年下半以來服務(wù)器存儲器供貨持續(xù)吃緊，盡管2018年第1季漲幅已見趨緩，但市場價格仍維持高檔，預(yù)計2018年上半整體市場供給仍吃緊的看法，全年將可望穩(wěn)定成長
2018-07-09 11:07:001630 在當(dāng)前NandFlash存儲器仍舊供不應(yīng)求，市場價格依舊居高不下的情況下，日前全球NandFlash存儲器龍頭企業(yè)的韓國三星，日前宣布將在本月底正式動工的中國西安NandFlash存儲器廠的擴(kuò)建計劃，28日正式動工，預(yù)計將在2019年完工啟用。
2018-07-03 11:10:00906 人工智能（AI）等的數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)時代（data economy era）。數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)需要搭載大量DRAM及NAND Flash協(xié)助運算，存儲器市場可望一路好到2021年。
2018-06-28 07:34:00807 在市場NAND Flash快閃存儲器供應(yīng)仍有缺口，導(dǎo)致價格繼續(xù)維持高位的情況下，包括國際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國廠商長江存儲存紛紛宣布擴(kuò)產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際，7日美商存儲器大廠美光（Micron）也宣布擴(kuò)產(chǎn)，以補足市場供不應(yīng)求的缺口。
2018-06-11 12:01:00943 中國存儲器產(chǎn)業(yè)如何發(fā)展？本文從純市場的角度，就DRAM、NAND Flash、封測技術(shù)和發(fā)展思路等方面提出幾點思考。
2018-03-07 17:46:005980 
，存儲器內(nèi)的信息仍然存在，主要是閃存（Nand FLASH 和 NOR FLASH），NOR 主要應(yīng)用于代碼存儲介質(zhì)中，而 NAND 則用于數(shù)據(jù)存儲。
2018-04-09 15:45:33110175 存儲器大廠華邦電（2344）積極搶攻車用存儲器市場，發(fā)表業(yè)界首款最高速度的車用序列式NAND Flash（Serial NAND），在四線序列周邊介面（QSPI）下的最高傳輸速度可達(dá)每秒83MB
2018-06-21 16:33:001583 存儲器是半導(dǎo)體三大支柱產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)IC Insights數(shù)據(jù)，2015年半導(dǎo)體存儲器市場總額達(dá)835億美元。各類存儲器中，NAND Flash是一個亮點。其廣泛應(yīng)用于PC、手機、服務(wù)器等各類電子產(chǎn)品，2015年營收達(dá)到267億美元，占半導(dǎo)體存儲器市場總額的32%。
2018-08-13 09:01:001375 根據(jù)韓國媒體《BusinessKorea》的專文報導(dǎo)說到，由于市場預(yù)測，半導(dǎo)體價格已達(dá)到高點并開始下跌，未來韓國半導(dǎo)體出口價格將呈下降的趨勢。特別是NAND Flash快閃存儲器價格的下降，越來越有可能連帶影響DRAM價格下跌。
2018-08-15 10:45:033287 2018年上半年，世界存儲器市場營銷額為808.03億美元，其中：DRAM營收額為487.67億美元，占到存儲器市場總值的60.4%；NAND Flash營收額320.36億美元，占存儲器市場總值的39.6%的份額。
2018-08-21 17:09:288992 
背景知識的情況下，可以比較簡單地使用大容量的NAND Flash存儲器，降低了使用NAND Flash存儲器的難度和成本。
2018-12-31 11:29:002933 
%，NAND Flash每GB價格下探至0.13美元，基本回到了2016年漲價時期的價格水平。存儲器是一個具有明顯周期性的行業(yè)，產(chǎn)品價格隨著市場市場供需關(guān)系，進(jìn)行周期性的漲跌，同時也會對企業(yè)發(fā)展產(chǎn)生較大影響。
2018-10-09 16:12:531318 由于各大內(nèi)存廠產(chǎn)能“剎不住車”，NAND Flash快閃存儲器和DRAM價格已經(jīng)持續(xù)走低，終結(jié)了持續(xù)兩年的市場供應(yīng)緊俏狀況。
2018-10-27 08:59:143761 在NAND Flash價格跌幅持續(xù)擴(kuò)大的環(huán)境下，存儲器原廠Q3財報卻表現(xiàn)搶眼。其主要是因為三星、蘋果、華為等高端旗艦機容量向512GB升級，以及SSD向高容量轉(zhuǎn)移需求帶動下，F(xiàn)lash原廠NAND
2018-11-19 18:56:434679 受中美貿(mào)易戰(zhàn)、全球IT產(chǎn)業(yè)景氣低迷影響，今年存儲器半導(dǎo)體市場得度過一段寒冬，SK海力士預(yù)計將設(shè)備投資比去年減少4成。另一方面，隨著服務(wù)器用DRAM和NAND閃存的需求和價格一同下跌，SK海力士計劃靈活應(yīng)對市場行情。
2019-02-04 17:33:001625 存儲器市況需求冷淡，受到庫存水位偏高，首季價格跌幅達(dá)到雙位數(shù)，由于預(yù)期市場價格持續(xù)下探，模塊廠及終端拉貨動能
2019-02-18 16:32:192555 NAND的平均售價（美元/ GB）會降低54％，而下半年同比下降45％。 市場供應(yīng)和需求是影響客戶支付閃存存儲價格的兩個主要因素，需求增加會推動價格上漲，促使供應(yīng)商增加產(chǎn)量。如果供過于求，則可能會導(dǎo)致產(chǎn)量過剩以及價格下跌。 NAND 閃存產(chǎn)品平均售價年度變化（最右側(cè)年度價格變化
2019-03-20 15:09:01301 存儲器市況不明，針對存儲器價格波動趨勢，存儲器控制芯片廠慧榮總經(jīng)理茍嘉章表示，預(yù)估快閃存儲器（NAND Flash）價格已近谷底，下半年若再跌，幅度大約在低個位數(shù)百分比；而動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）則預(yù)估持續(xù)跌至年底。
2019-05-06 16:23:48559 2018年下半年存儲器芯片價格開始下跌，銷量也起伏變化，存儲器公司營收明顯下滑。
2019-05-06 16:28:30665 NAND Flash受到東芝存儲器工廠停電事件，將帶動NAND Flash價格止跌走揚，威剛科技初估，NAND Flash價格將調(diào)漲10%至15%；另一存儲器模組廠十銓科技也認(rèn)為不論DRAM或NAND Flash，下半年都將有很大的成長空間。
2019-07-09 16:02:202548 由于 3D NAND 存儲器市場出現(xiàn)了供過于求的現(xiàn)象，制造商們不得不減產(chǎn)以穩(wěn)定價格。
2019-07-30 14:29:392615 長江存儲科技（YMTC）本周早些時候表示，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)采用專有Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲器。
2019-09-09 10:22:161700 過去存儲器與晶圓代工可以說是“楚河漢界，井水不犯河水”。但在即將來臨的時代，存儲器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲器市場，而存儲器技術(shù)從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲器(MRAM)等完全不同模式的新技術(shù)。
2019-09-10 15:24:41761 受到存儲器價格震蕩下跌的影響，國際存儲器主要制造商相繼采取削減資本支出或降低產(chǎn)量等應(yīng)對措施。
2019-09-22 11:32:10541 根據(jù)韓國媒體報導(dǎo)，在當(dāng)前存儲器價格已經(jīng)觸底反彈，整體市場庫水水位也進(jìn)一步降低的情況之下，三星決定開始恢復(fù)針對存儲器產(chǎn)業(yè)的投資。而根據(jù)知情人士的消息指出，三星最近為韓國P2晶圓廠訂購了DRAM設(shè)備
2019-10-30 15:15:302793 據(jù)分析機構(gòu)最新數(shù)據(jù)，因數(shù)據(jù)中心對市場的帶動作用，2019年第四季度NAND Flash總出貨量季增近10%，市場逐漸供不應(yīng)求。經(jīng)歷了一段降價期，NAND Flash存儲器終于迎來一小段上升期。
2020-03-08 18:25:484071 受惠于存儲器市場價格的居高不下，中國臺灣主要的存儲器廠，包括南亞科、旺宏、華邦電等經(jīng)歷2月份工作時間縮短，影響部分營收的情況下，3月份恢復(fù)正常工作時間，也帶動營收的再往前沖。其中，DRAM大廠南亞
2020-09-03 16:38:02545 在市場NAND Flash快閃存儲器供應(yīng)仍有缺口，導(dǎo)致價格繼續(xù)維持高位的情況下，包括國際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國廠商長江存儲存紛紛宣布擴(kuò)產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際，7日美商存儲器大廠美光（Micron）也宣布擴(kuò)產(chǎn)，以補足市場供不應(yīng)求的缺口。
2020-09-03 16:42:01785 獨立存儲器市場和相關(guān)技術(shù)的摘要，包括NAND，DRAM，持久性存儲器，NOR，（NV）SRAM，新興的NVM等。
2020-10-20 10:41:444098 
盡管智能手機廠商在主動囤積存儲器以搶占更多市場份額，但TrendForce對今年的行業(yè)預(yù)測仍不樂觀。在持續(xù)供過于求的情況下，固態(tài)硬盤（SSD）存儲器甚至可能迎來價格新低。不過對于消費者來說，DRAM和NAND存儲器的穩(wěn)步下滑，顯然是一件好事。
2020-10-20 14:39:411537 非易失性存儲器X24C45中文數(shù)據(jù)手冊分享。
2021-04-14 10:30:0915 、NAND產(chǎn)品合約價格開始呈現(xiàn)下跌態(tài)勢，預(yù)計持續(xù)至明年上半年。 今年Q4開始，DRAM、NAND出貨下滑、價格下跌 市場調(diào)研機構(gòu)紛紛表示存儲價格在今年Q4已經(jīng)出現(xiàn)下跌。根據(jù)閃存市場，因為Q3加大了對DRAM的供應(yīng)，目前DRAM市場已經(jīng)恢復(fù)平穩(wěn)，而NAND市場近期的供應(yīng)
2021-10-27 09:44:071819 NAND價格從2022年第1季在缺貨拉抬調(diào)漲報價后，市場價格快速反轉(zhuǎn)走跌，第3季NAND晶圓跌價約達(dá)3成以上，相當(dāng)于從年初高點下跌約達(dá)50%，由于終端備貨消極，晶圓廠報價持續(xù)探底，市場預(yù)估第4季NAND晶圓價格跌幅將再季減20%。
2022-11-01 12:36:27538 消息人士補充說：“盡管
nand閃存
價格上漲，但中國
存儲器模塊企業(yè)最近停止了
價格供應(yīng)和訂單。預(yù)計不久就會上調(diào)
價格，因此模塊企業(yè)計劃將
價格上調(diào)8至10%?！?/div>
2023-08-18 09:47:25326 Nand Flash存儲器是Flash存儲器的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了高性價比、高性能的解決方案。Nand Flash存儲器具有容量較大、改寫速度快等優(yōu)點
2023-09-05 18:10:011895 據(jù)消息人士透露，nand閃存價格從第三季度初的最低點開始逐漸反彈，到目前為止已經(jīng)上漲了10%以上。他表示：“nand價格上漲將為dram價格上漲營造有利的市場氛圍。存儲器模塊制造企業(yè)正在密切關(guān)注dram價格反彈的時間。
2023-09-20 10:19:50547 摘要：本文主要對兩種常見的非易失性存儲器——NAND Flash和NOR Flash進(jìn)行了詳細(xì)的比較分析。從存儲容量、性能、成本等方面進(jìn)行了深入探討，以幫助讀者更好地理解這兩種存儲器的特性和應(yīng)用。
2023-09-27 17:46:06599 隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲需求日益增長。作為一種新型的非易失性存儲器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢，在各個領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對NAND Flash存儲器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行詳細(xì)解析，以期為讀者提供一個全面的了解。
2023-09-27 18:26:171799 前言 NAND Flash 和 NOR Flash是現(xiàn)在市場上兩種主要的閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出 NOR Flash 技術(shù),徹底改變了原先由 EPROM 和 EEPROM 一統(tǒng)天下
2024-03-01 17:08:45256 
非易失性存儲器芯片又可分為快閃存儲器 （Flash Memory） 與只讀存儲器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲器又可以分為 NAND 存儲和 NOR 存儲。
2024-03-22 10:54:15171 
已證實，西部數(shù)據(jù)已向客戶發(fā)函，宣布將對NAND閃存及硬盤產(chǎn)品價格進(jìn)行調(diào)整。西部數(shù)據(jù)就產(chǎn)品供應(yīng)困難發(fā)表聲明，稱市場需求遠(yuǎn)超預(yù)期，導(dǎo)致供應(yīng)緊張，加劇了電子行業(yè)供應(yīng)鏈問題。
2024-04-09 16:33:11320 存儲大廠開始主動上調(diào)存儲器價格，更重要的是，已有部分客戶接受了存儲器的上漲價格，這也意味著，存儲器市場有望邁入上行周期。 ? 各大廠商開始調(diào)漲存儲器價格 ? 近期，摩根士丹利發(fā)布了一份最新報告，提到由于NAND價格已觸底
2023-09-09 01:06:001215 已全部加載完成
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