GaN功率電子器件的技術(shù)路線
目前世界范圍內(nèi)圍繞著GaN功率電子器件的研發(fā)工作主要分為兩大技術(shù)路線，一是在自支撐GaN襯底上制作垂直導(dǎo)通型器件的技術(shù)路線，另一是在Si襯底上制作平面導(dǎo)通型器件的技術(shù)路線。GaN基垂直和平面導(dǎo)通型器件的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)圖如圖表2所示。
(a)垂直導(dǎo)通型GaNMOSFET
(b)平面導(dǎo)通型GaNMOSFET
圖表2基于GaN自支撐襯底的垂直導(dǎo)通型MOSFET 和基于Si襯底的平面導(dǎo)通型GaNMOSFET的結(jié)構(gòu)圖
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原文標(biāo)題：GaN（氮化鎵）推動(dòng)電源新解決方案
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