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具有高可靠性和低成本的高性能GaN功率器件技術(shù)

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) ? 來源:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) ? 2023-12-06 10:04 ? 次閱讀

氮化鎵(GaN)功率器件具有高擊穿場強、高熱導(dǎo)率、低導(dǎo)通和開關(guān)損耗、射頻功率放大器、直流至直流(DC-DC)變換器、薄膜和二維GaN器件、高電子遷移率等特點,用于制造高頻、高功率密度和高效率的功率電子器件。GaN功率器件技術(shù)在多個領(lǐng)域都具有廣泛的應(yīng)用前景,可以提高系統(tǒng)效率、減小體積,并推動電力電子技術(shù)的發(fā)展。

近日,第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇開幕大會上。英諾賽科歐洲總經(jīng)理Denis Macron分享了《具有高可靠性和低成本的高性能GaN功率器件技術(shù)》的主題報告,GaN功率器件使功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)(AC/DC、DC/DC等)比硅功率器件更小、更高效、更簡單,從而更便宜,從而徹底改變了功率半導(dǎo)體行業(yè)。然而,關(guān)于GaN功率器件仍然存在一些問題,比如它們非常昂貴,可靠性值得懷疑。

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報告介紹了通過利用規(guī)模經(jīng)濟,8英寸高通量制造晶圓廠完全致力于生產(chǎn)硅晶片上的8英寸GaN(即,相對于6英寸,每片晶片約2倍的器件),可以提供具有價格競爭力的GaN功率器件。

同時介紹了innoscience的最新可靠性結(jié)果,包括失效測試和壽命提取,這將消除關(guān)于GaN功率器件可靠性的最后一個懸而未決的問題。通過展示如何利用離散(InnoGaN) 和集成(SolidGaN) Innoscience GaN功率器件增強了AC-DC和DC-DC轉(zhuǎn)換器的性能,以最大限度地提高其效率,同時減小其尺寸。







審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:英諾賽科Denis Macron:高可靠性低成本高性能的GaN功率器件技術(shù)

文章出處:【微信號:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),微信公眾號:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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