這兩年，三星電子、臺積電在半導體工藝上一路狂奔，雖然有技術之爭但把曾經的領導者Intel遠遠甩在身后已經是不爭的事實。

在美國舉行的三星工藝論壇SFF 2018 USA之上，三星更是宣布將連續進軍5nm、4nm、3nm工藝，直逼物理極限！

其中，4 納米工藝仍會使用現有的 FinFET 制造技術，這一制造技術在高通驍龍 845 和三星 Exynos 旗艦芯片中均有使用。但到了 3 納米工藝結點，三星便開始拋棄 FinFET 技術，轉而采用 GAA 納米技術。

具體如下：

7LPP (7nm Low Power Plus)

三星將在7LPP工藝上首次應用EUV極紫外光刻技術，預計今年下半年投產。關鍵IP正在研發中，明年上半年完成。

5LPE (5nm Low Power Early)

在7LPP工藝的基礎上繼續創新改進，可進一步縮小芯片核心面積，帶來超低功耗。

4LPE/LPP (4nm Low Power Early/Plus)

最后一次應用高度成熟和行業驗證的FinFET立體晶體管技術，結合此前5LPE工藝的成熟技術，芯片面積更小，性能更高，可以快速達到高良率量產，也方便客戶升級。

3GAAE/GAAP (3nm Gate-All-Around Early/Plus)

Gate-All-Around就是環繞柵極，相比于現在的FinFET Tri-Gate三柵極設計，將重新設計晶體管底層結構，克服當前技術的物理、性能極限，增強柵極控制，性能大大提升。

三星的GAA技術叫做MBCFET(多橋通道場效應管)，正在使用納米層設備開發之中。

大家可能以為三星的工藝主要用來生產移動處理器等低功耗設備，但其實在高性能領域，三星也準備了殺手锏，大規模數據中心、AI人工智能、ML機器學習，7LPP和后續工藝都能提供服務，并有一整套平臺解決方案。

比如高速的100Gbps+ SerDes(串行轉換解串器)，三星就設計了2.5D/3D異構封裝技術。

而針對5G、車聯網領域的低功耗微控制器(MCU)、下代聯網設備，三星也將提供全套完整的交鑰匙平臺方案，從28/18nm eMRA/RF到10/8nm FinFET任君選擇。

同時，三星在補充發言中提到，“Key IP”將在 2019 年上半年實現交付，這就意味著某個客戶的處理器芯片已經向三星下訂單了，明年就能交付。

7nm芯片手機何時出？

關于7nm制程，今年年底之前可能會有基于三星 7 納米工藝芯片的手機亮相嗎？可能性或許不大，雖然高通新一代芯片驍龍 855 也將交給三星負責生產，但不要指望今年立馬發布然后大規模量產，即便量產可能也要等到今年的第四季度末。

當然了，三星的 7 納米工藝面對外開放代工，任何芯片廠商都有可能下單，包括自家的 Exynos 芯片。只不過，一些廠商的 7 納米芯片可能更早運用到產品中，例如華為海思的麒麟芯片以及蘋果的 A 系芯片。此前一直有消息稱，華為即將發布的麒麟 980 芯片將基于 7 納米工藝生產，而且就在下半年亮相，同時蘋果的 A12 目前似乎已經開始試產，這些臺積電代工的 7 納米芯片，均有可能比三星更早進入市場。

其實，上邊提到的這些工藝制程技術對于一般手機用戶并不意味著什么，三星只是告訴我們現有的工藝技術可能還會延續幾代產品，而對于未來更先進更小的工藝制程，則可能需要一些新的技術。那么，這些新的工藝制程又何時問世呢？如果三星的線路圖不變的話，三星會在 2019 年生產 5 納米芯片，2020 年生產 4 納米芯片，2021 年生產 3 納米芯片。