繼臺積電宣布今年下半年將開啟3nm芯片量產之后，三星3nm制程芯片已經開始試產。

據報道，三星基于GAA晶體管的3nm工藝良率遠低于預期，三星電子3nm制程工藝的良品率，才到10%-20%，遠不及公司期望的目標，在提升3nm工藝的良品率方面，也陷入了掙扎。

這或許意味著公司需要更多的時間才能投入量產。所謂GAA晶體管即環繞柵極晶體管，它取代的是FinFET（鰭式場效應晶體管），前者可以實現四邊充當電流通道，二者則只有三邊。

三星本來想著通過搶占技術制高點“降維”打擊臺積電，沒想到后者堅持在3nm使用FinFET后，結果更務實。

值得注意的是，在今年2月份曾有報道稱，三星重要客戶高通明年將推出的3nm工藝應用處理器，將交由臺積電代工。

文章綜合閩南網，人民資訊、ICGOO在線商城

編輯：黃飛