據韓媒MoneyToday報道，三星電子已將其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM內存開發的良率里程碑時間從原定的2024年底推遲至2025年6月。這一變動可能對三星在HBM4(High Bandwidth Memory 4)內存規劃方面產生影響。

原本，三星電子計劃在2024年12月前將1c nm制程DRAM的良率提升至70%，這是結束開發工作并進入量產階段所必需的水平。然而，盡管三星在去年底已經成功制得1c nm DRAM的良品晶粒，但整體良率并未達到預期要求，導致原定的量產計劃受阻。

此次良率里程碑的延期，反映出半導體制造領域的技術挑戰和不確定性。隨著制程技術的不斷推進，提高良率成為一項日益艱巨的任務。三星作為全球領先的半導體制造商，其1c nm DRAM的開發進展備受業界關注。

此次延期可能會對三星的市場競爭力和產品規劃產生一定影響。不過，三星方面表示將繼續加大研發投入，努力提升良率，以確保1c nm DRAM能夠按計劃順利進入量產階段。