dram知識(shí)

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  DRAM基本單元最為通俗易懂的圖文解說(shuō)

  本文要點(diǎn)提示：? ? ? ? ?? 1. DRAM 的工作原理圖文解說(shuō)，包括讀寫(xiě)以及存儲(chǔ)；? ? ? ? ? 2. 揭秘

  2025-03-04 標(biāo)簽： DRAM 存儲(chǔ)單元 sram 303 0

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  存儲(chǔ)器工藝概覽:常見(jiàn)類(lèi)型介紹

  ? 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）是現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中不可或缺的核心組件，廣泛應(yīng)用于個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、移動(dòng)設(shè)備及高性能計(jì)

  2025-02-14 標(biāo)簽： CMOS DRAM 存儲(chǔ)器 291 0

• Kioxia開(kāi)源發(fā)布AiSAQ?技術(shù)，降低生成式AI的DRAM需求

  全球領(lǐng)先的內(nèi)存解決方案提供商Kioxia Corporation近日宣布了一項(xiàng)重大舉措：以開(kāi)源軟件的形式發(fā)布其創(chuàng)新的全存

  2025-02-10 標(biāo)簽： DRAM AI 人工智能 363 0

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  存儲(chǔ)器的分類(lèi)及其區(qū)別

  初學(xué)者要了解SDRAM需要先了解存儲(chǔ)器分類(lèi)。按照存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)功能劃分，可將其分為RAM 和 ROM 兩大類(lèi)。

  2025-02-08 標(biāo)簽： DRAM SDRAM 存儲(chǔ)器 1759 0

• DRAM與NAND閃存市場(chǎng)表現(xiàn)分化

  近日，根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)最新發(fā)布的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告，DRAM和NAND閃存市場(chǎng)近期呈現(xiàn)出截然不同的表現(xiàn)

  2025-02-07 標(biāo)簽： DRAM 內(nèi)存 NAND閃存 407 0

• DRAM與NAND閃存市場(chǎng)低迷，DRAM現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)下滑

  近日，據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢(xún)最新發(fā)布的報(bào)告指出，DRAM內(nèi)存與NAND閃存市場(chǎng)近期均呈現(xiàn)出低迷的走勢(shì)

  2025-02-06 標(biāo)簽： 閃存 DRAM NAND 274 0

• 三星電子否認(rèn)1b DRAM重新設(shè)計(jì)報(bào)道

  據(jù)報(bào)道，三星電子已正式否認(rèn)了有關(guān)其將重新設(shè)計(jì)第五代10nm級(jí)DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這一否認(rèn)引發(fā)了業(yè)界對(duì)三星

  2025-01-23 標(biāo)簽： DRAM 三星電子 內(nèi)存 343 0

• 三星否認(rèn)重新設(shè)計(jì)1b DRAM

  據(jù)DigiTimes報(bào)道，三星電子對(duì)重新設(shè)計(jì)其第五代10nm級(jí)DRAM（1b DRAM）的報(bào)道予以否認(rèn)。 此前，ETNe

  2025-01-23 標(biāo)簽： DRAM 三星 732 0

• 三星1c nm DRAM開(kāi)發(fā)良率里程碑延期

  據(jù)韓媒MoneyToday報(bào)道，三星電子已將其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM內(nèi)存開(kāi)發(fā)的良率里程

  2025-01-22 標(biāo)簽： 半導(dǎo)體 DRAM 制程技術(shù) 343 0

• 三星重啟1b nm DRAM設(shè)計(jì)，應(yīng)對(duì)良率與性能挑戰(zhàn)

  近日，據(jù)韓媒最新報(bào)道，三星電子在面對(duì)其12nm級(jí)DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時(shí)，已于2024年底作出了重要決策。

  2025-01-22 標(biāo)簽： DRAM 內(nèi)存 三星 479 0

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