三星否認重新設計1b DRAM
據DigiTimes報道，三星電子對重新設計其第五代10nm級DRAM（1b DRAM）的報道予以否認。
此前，ETNews曾有報道稱，三星電子內部為解決12nm級DRAM內存產品面臨的良率和性能問題，在2024年底決定在改進現有1b nm工藝的同時，從頭設計新版1b nm DRAM。
不過，三星通過相關媒體表示相關報道不準確。盡管三星否認了重新設計，但有業內人士透露，三星的目標是提升1b DRAM的性能和良率。據了解，三星啟動了名為“D1b - p”的開發項目，重點關注提高電源效率和散熱性能。
此次事件凸顯了存儲芯片市場競爭的激烈程度，三星的DRAM業務走向仍備受業界關注。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
DRAM
+關注
關注
40文章
2343瀏覽量
185371 -
三星
+關注
關注
1文章
1691瀏覽量
32537
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
回收三星S21指紋排線 適用于三星系列指紋模組
深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線，收購適用于三星S21指紋模組?；厥?b class='flag-5'>三星指紋排線，收購三星指紋排線，全國高價回收三星指紋排線，專業求購指紋
發表于 05-19 10:05
三星在4nm邏輯芯片上實現40%以上的測試良率
似乎遇到了一些問題 。
另一家韓媒《DealSite》當地時間17日報道稱，自 1z nm 時期開始出現的電容漏電問題正對三星 1c nm DRAM 的開發量產造成明顯影響。
發表于 04-18 10:52
三星調整1cnm DRAM設計，力保HBM4量產
據韓國媒體報道，三星電子正面臨其第六代1cnm DRAM的良品率挑戰，為確保HBM4內存的順利量產，公司決定對設計進行重大調整。
三星電子1c nm內存開發良率里程碑推遲
據韓媒報道，三星電子已將其1c nm DRAM內存開發的良率里程碑時間推遲了半年。原本，三星計劃在2024年底將1c nm制程
三星1c nm DRAM開發良率里程碑延期
據韓媒MoneyToday報道，三星電子已將其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM內存開發的良率里程碑時間從原定的2024年底推遲至2025年6月。這一變動可能對
三星重啟1b nm DRAM設計，應對良率與性能挑戰
近日，據韓媒最新報道，三星電子在面對其12nm級DRAM內存產品的良率和性能雙重困境時，已于2024年底作出了重要決策。為了改善現狀，三星決定在優化現有1b nm工藝的基礎上，全面
MLC NAND產能或遭削減？三星否認停產傳聞
停產該產品。 然而，三星對此傳聞表示否認，并強調市場傳言不實，稱公司未來將持續生產MLC NAND。盡管如此，供應鏈業者仍指出，隨著三星年底的人事大改組，產線規劃可能會有所調整。 MLC NAND，全稱為Multi-Level
三星電子HBM3E商業化遇阻，或重新設計1a DRAM電路
近日，業界傳出三星電子HBM3E商業化進程遲緩的消息，據稱這一狀況或與HBM核心芯片DRAM有關。具體而言，1a DRAM的性能問題成為了三星
三星或重新設計1a DRAM以提升HBM質量
三星電子正面臨嚴峻挑戰，特別是在其半導體業務領域。除了代工業務停滯的問題，該公司在高帶寬存儲器（HBM）市場的競爭力也引發了廣泛關注。據業內人士透露，為了提升在HBM領域的競爭力，三星可能會著手重新設計部分
三星確認平澤P4工廠1c nm DRAM內存產線投資
據韓國媒體最新報道，三星電子已正式確認在平澤P4工廠投資建設先進的1c nm DRAM內存產線，并預計該產線將于明年6月正式投入運營。這一舉措標志著三星電子在半導體技術領域的又一次重要
三星電子否認HBM3e芯片通過英偉達測試
韓國新聞源NewDaily近日發布了一則報道，聲稱三星電子的HBM3e芯片已成功通過英偉達的產品測試，預示著即將開啟大規模生產并向英偉達供貨的序幕。然而，三星電子方面迅速對此消息進行了否認，表示并未收到官方確認。
三星否認HBM3E通過英偉達測試傳聞
近期，有媒體報道稱三星電子已成功通過英偉達（NVIDIA）的HBM3E（高帶寬內存）質量測試，并預計很快將啟動量產流程，以滿足市場對高性能存儲解決方案的迫切需求。然而，這一消息迅速遭到了三星電子的官方否認。
三星HBM3E質量認證進展：官方否認，測試仍在進行
即將進入大規模量產階段。然而，這一消息迅速被三星官方所否認，明確表示相關產品的質量測試仍在持續進行中，尚未達到認證成功的階段。
工商網監
評論