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存儲DRAM:擴張與停產雙重奏

花茶晶晶 ? 來源:電子發燒友 ? 作者:黃晶晶 ? 2025-05-10 00:58 ? 次閱讀

電子發燒友網報道(文/黃晶晶)高帶寬存儲HBM因數據中心AI訓練而大熱,HBM三強不同程度地受益于這一存儲產品的營收增長,甚至就此改變了DRAM市場的格局。根據CFM閃存市場的分析數據,2025年一季度,SK海力士憑借在HBM領域的絕對優勢,終結三星長達四十多年的市場統治地位,以36.7%的市場份額首度登頂全球DRAM市場第一。

當前國際存儲大廠轉向更多投資HBM、并逐步放棄部分DRAM產品的產能,疊加關稅出口等這些因素對存儲的后續市場產生影響。

HBM重構DRAM市場格局,HBM仍是投入重點

CFM閃存市場指出,從2024年SK海力士與三星在DRAM上的差距就已經開始減小,在4Q23和1Q24他們還保持有11%的份額差距,而到4Q24已經減小到1%;與之相對應的是,在HBM市場份額上,SK海力士與三星從最初的幾乎五五分,到2025年一季度已經擴大到兩倍以上的差距。

另一方面,HBM市場滲透率已經從2023年的9%翻倍躍升至2024年的18%。經歷數代的HBM產品演進,當前SK海力士、美光、三星主要聚焦于HBM3E的競爭,預計到2025年隨著這三家存儲廠商HBM4量產落地,HBM產品在全部DRAM產業中的占比將接近30%,市場將達到2880億Gb當量,并且在服務器內存消耗方面,其應用還在持續增長。

SK海力士2025財年第一季度財報顯示,公司2025財年第一季度結合并收入為17.6391萬億韓元,營業利潤為7.4405萬億韓元,凈利潤為8.1082萬億韓元。2025財年第一季度營業利潤率為42%,凈利潤率為46%。公司本季度的收入和營業利潤是在繼前一季度創下歷史最高業績后,達到了第二高的業績水平。營業利潤率環比改善了1個百分點,增至42%,并以連續八個季度呈現出穩健上升趨勢。

SK海力士表示:“第一季度,受人工智能開發競爭加劇和庫存補充需求等影響,存儲器市場情況改善速度顯著快于預期。順應這一趨勢,公司擴大了12層HBM3E、DDR5等高附加值產品的銷售。”

SK海力士認為,全球不確定性加劇,導致需求前景的多變性增加。為滿足客戶要求,公司決定加強與供應鏈的協作。

公司針對HBM需求,因其產品特性,通常需要提前一年與客戶進行供應量協商。預計今年該產品將持續保持同比增長約一倍。因此,12層HBM3E的銷售將穩步增長,預計在第二季度其銷售將占整個HBM3E比重的一半以上。

財報顯示,2024年三星電子公司實現收入300.9萬億韓元 (約1.52萬億元人民幣),同比增長16%;而歸母凈利潤則飆升至33.6萬億韓元 (約1692.43億元人民幣),同比增長131%。其中,三星內存業務成為主要增長引擎,銷售額達84.5萬億韓元,同比增長91%,HBM及DDR5產品貢獻顯著。

三星電子Q1存儲營收為19.1萬億韓元(約合133.8億美元),環比減少17%,同比增長9%;存儲業務所在的DS部門Q1經營利潤為1.1萬億韓元(約合7.7億美元),環比減少62%,同比減少42%。

對于存儲業務,三星表示,營收同比實現增長主要得益于服務器 DRAM 銷售的擴大以及市場價格觸底反彈下滿足了額外的NAND需求。然而,由于平均售價(ASP)下降、AI 芯片出口管制和對即將推出的增強型 HBM3E 產品需求延遲導致HBM 銷售下降,從而影響了整體盈利。

第二季度預期與新產品規劃

SK海力士表示,從今年第一季度開始,公司向部分PC領域客戶供應面向人工智能PC的高性能存儲器模塊LPCAMM2。LPCAMM2(Low-Power Compression Attached Memory Module 2)是基于LPDDR5X的模組解決方案產品,其性能表現相當于兩個現有DDR5 SODIMM的性能水平,同時能夠有效節省空間,且具備低功耗、高性能特性。

同時,公司也計劃與客戶緊密合作,在需求正式啟動時,及時供應面向人工智能服務器的低功耗DRAM模塊SOCAMM。SOCAMM(Small Outline Compression Attached Memory Module)是一種基于低功耗DRAM的內存模組,特別適用于AI服務器。

就NAND閃存業務領域,公司將積極響應高容量企業級固態硬盤(eSSD)的市場需求,同時秉持謹慎的投資基調,持續實施以盈利為導向的運營策略。

展望二季度,三星電子預計AI服務器需求將強勁,將通過以服務器為中心的產品組合,加強在高附加值市場的地位,并加大增強型12層堆疊HBM3E的產能以滿足初期需求。在NAND方面,致力于加速所有應用向第八代V-NAND的過渡,以增強成本競爭力。

另外,據公開報道,2025年,三星將HBM3E產能提升三倍,并將QLC SSD的市場占比目標設定為30%,相比2024年的15%大幅提高。

對于下半年,三星電子表示,隨著新款GPU的上市,預計AI相關需求將持續保持高位;將擴大高附加值產品的銷售,包括增強型12層堆疊HBM3E產品和128GB及以上的高密度DDR5模塊。

在Mobile和PC市場,預計終端設備AI將得到普及,三星電子計劃通過其業界領先的10.7Gbps LPDDR5x產品積極響應市場環境的轉變。

部分存儲產品停產

此前,市場傳三星電子通知客戶于2025年4月終止1z制程8Gb LPDDR4存儲器生產(End of Life),并要求客戶在6月前完成最后買進訂單,預計最遲于10月前出貨,主要原因是國內手機LPDDR4存儲芯片訂單轉到本土工廠制造,三星將聚焦LPDDR5以上的高端產品。對此傳聞,三星半導體回應稱,不評論業界傳言,生產在按序進行。另外,消息稱,公司計劃減少超過20%的傳統DRAM產能,轉向生產LPDDR5x及HBM等高端產品。
近期,國際存儲大廠紛紛停產DDR3、DDR4,退出的市場無疑將為中小容量的存儲廠商帶來機會。

而另一方面,從數據來看,韓國銷往中國的半導體占比持續下降。韓國貿易協會(KITA)數據顯示,中國大陸和中國香港2024年占韓國半導體出口的比率為51.7%,低于2020年的61.6%。其中,出口到中國內地的份額從2020年的40.2%降至33.3%,出口到中國香港的份額從20.9%降至18.4%。

韓國貿易部發布的報告顯示,2月韓國芯片對中國大陸(包括中國香港)的出口額同比下降31.8%,這一降幅大于1月份報告的22.5%的降幅。同時,韓國對越南、美國的出口有所增加。也有韓國產業相關人士認為,由于中國企業半導體技術和生產能力的提高,韓國以DRAM為主的出口大幅減少。

可以看到,當前SK海力士、美光、三星主要投入到HBM的競爭,此前HBM需求旺、價格上漲等讓廠商們收益頗豐,未來HBM也將是它們的重點。隨之而來的是對DRAM產能的重新分配、停產部分DDR產品等舉措。同時,從進出口數據以及關稅對整個產業造成的不確定性來看,存儲大廠留下的市場空間給了其他存儲廠商更多的發展機會。

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