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紫光國芯亮相2025西部半導體產業創新發展論壇

西安紫光國芯半導體 ? 來源:西安紫光國芯半導體 ? 2025-05-07 16:55 ? 次閱讀

近日,由陜西省半導體行業協會主辦的“2025西部半導體產業創新發展論壇暨陜西省半導體行業協會成立20周年大會”在西安舉辦。大會由省市相關領導、院士專家、相關省市行業協會和基地代表、國內外半導體相關企業及廠商、金融投資機構、產業園區代表、各界媒體等500余位業界嘉賓參會,紫光國芯總經理、董事江喜平博士及公司相關業務負責人出席大會。

開幕式上,協會對20年來為陜西半導體行業發展做出杰出貢獻的單位、產品和人物進行了頒獎。公司憑借長期深耕半導體存儲器領域,持續推動存儲技術創新,助力陜西半導體產業發展,榮膺20周年“突出貢獻單位獎”。其自主研發的低功耗256Mb DRAM KGD產品,具有自主可控、超低功耗等優勢,在全球細分通訊市場占據領先地位,榮獲“突出貢獻產品獎”。

獲得此次獎項的紫光國芯低功耗256Mb DRAM KGD產品,是國內首款自主開發的KGD產品,擁有多項自主知識產權,為滿足蜂窩通信、在線支付、衛星導航等領域的存儲需求而設計。該款KGD產品具有緊湊型設計和低功耗特性,助力客戶提升系統競爭力,累計出貨量數億顆。

IC設計與半導體智能應用發展論壇上,紫光國芯業務總經理左豐國發表了題為“用三維堆疊DRAM技術賦能AI大模型算力芯片”的主旨演講,他指出:

當大模型推動AI進入普惠時代。采用創新的存儲架構,突破內存性能瓶頸,是釋放AI算力潛能的關鍵突破口。

針對AI算力芯片普遍面臨的‘內存墻’問題,紫光國芯自主研發的三維堆疊DRAM(SeDRAM)技術,秉承‘連的更密、挪的更近、疊的更高’的存算架構創新理念,憑借超大帶寬、超低功耗和超大容量的突出優勢,助力AI算力芯片性能的極致釋放。

歷經十年技術沉淀,紫光國芯SeDRAM技術歷經多次迭代。如今已發展至第四代,可為算力芯片提供每秒高達數十TB的訪存帶寬,并支持高達數十GB的內存容量。目前,紫光國芯已成功助力包括行業頭部廠商在內的眾多企業客戶完成超30款芯片產品的研發或量產,技術實力獲業界高度認可。

大會開幕前夕,紫光國芯攜手陜西半導體行業協會舉辦“紫光國芯之夜”主題晚宴,公司總經理江喜平出席活動并致祝酒辭,行業專家、合作伙伴及企業代表等逾百人齊聚一堂,分享行業心得,交流寶貴經驗和見解。

作為陜西半導體產業發展的深度參與者和核心推動者,紫光國芯始終堅持創新驅動發展戰略,不斷推出具有市場競爭力的產品和服務解決方案。未來,公司將進一步深化與協會等行業組織的戰略協同,聯合產業鏈上下游企業,以創新驅動生態共建,打造開放協同的產業生態圈,為陜西半導體產業高質量發展貢獻力量。

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原文標題:廿載聚力·芯創未來丨紫光國芯亮相“2025西部半導體產業創新發展論壇暨陜西省半導體行業協會成立20周年大會”

文章出處:【微信號:gh_fb990360bfee,微信公眾號:西安紫光國芯半導體】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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