三星電子在最新的內存產品路線圖中透露了未來幾年的技術布局。據透露，三星計劃在2024年率先推出基于1c nm制程的DDR內存，該制程將支持高達32Gb的顆粒容量，標志著內存性能與密度的雙重飛躍。

展望更遠的未來，三星已鎖定2026年為最后一代10nm級工藝的里程碑，屆時將推出1d nm技術，盡管容量上限仍維持在32Gb，但這一決定預示著三星正穩步向更先進制程邁進，為下一代內存技術奠定堅實基礎。