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關于高端芯片制造技術水平的介紹和分析

0oS6_華虹宏 ? 來源:djl ? 2019-10-17 17:16 ? 次閱讀
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上海華虹(集團)有限公司(以下簡稱“華虹集團”)在本次博覽會上集中展示了集團集成電路工藝技術的最新研發成果及解決方案,并喜獲CITE 2018年度兩項金獎。

展會首日,工信部電子信息司刁石京司長蒞臨華虹集團展位考察指導,詳細詢問了解了華虹集團28納米以下先進工藝技術的研發進展和特色工藝的發展規劃。

此次參展 CITE 2018,華虹集團攜8英寸和12英寸兩個芯片制造平臺,包括先進邏輯工藝和以嵌入式存儲器、功率器件為代表的大批先進特色工藝,以及模擬電源管理射頻圖像傳感器等差異化工藝悉數亮相,工藝技術覆蓋1.0微米至90納米和55納米至28納米節點,全面展示了華虹集團在當下熱點應用,如5G通訊、金融IC卡、物聯網、綠色能源、汽車電子等領域的布局,展現了華虹集團在國內高端集成電路芯片制造領域的領軍地位。

在最為引人矚目的CITE 2018金獎頒獎環節中,集團旗下華虹宏力和華力再次不負眾望,拿下了兩個“2018 CITE創新產品與應用金獎”。華虹宏力的90納米低功耗嵌入式閃存工藝和華力的55納米SONOS嵌入式閃存工藝分別在眾多參選項目的評比中脫穎而出,受到業界專家的一致認可。

華虹宏力的90納米低功耗嵌入式閃存工藝平臺,是國內最先進的8英寸晶圓嵌入式存儲器技術,可制作目前全球8英寸晶圓代工廠中最小尺寸的嵌入式閃存單元,以高性能、高可靠性及高集成度實現了高端智能卡芯片的國產化。該90納米嵌入式平臺可與標準邏輯工藝完全兼容,采用低閾值電壓的5V器件,為客戶的電路設計提供了便利。與0.11微米嵌入式閃存工藝相比,該90納米嵌入式平臺的門密度與嵌入式存儲器IP性能均提升30%以上,功耗降低超30%,且總成本優勢明顯,可為電信卡芯片、智能卡芯片、安全芯片產品以及微控制器MCU)等產品提供理想的芯片制造技術解決方案。此外,該平臺具有高度自有知識產權,已累計獲得國內發明專利授權多達70件,美國專利授權20件。

另外,此次華力獲得“2018 CITE創新產品與應用金獎”的55納米SONOS嵌入式閃存工藝各項技術指標和產品市場應用已經達到國際先進水平,于2016年完成技術開發并開始風險量產,迄今已經實現多家客戶、多顆產品的驗證和量產,產品涵蓋了低功耗物聯網存儲芯片、觸控芯片、高速MCU、嵌入式FPGA、智能卡芯片、安全芯片等。該技術平臺為眾多國內IC設計公司在集成電路領域的創新、突破提供了極具競爭力的基礎工藝和制造平臺,其數據保持能力的高可靠性、產品高良率以及相對來說的成本優勢保證了國內IC設計公司的產品市場優勢和突破國際壟斷的可能。此外,基于該平臺成功量產了高端電信卡、安全芯片、金融支付芯片等也在進一步開發中,將為國家的信息和金融安全添磚加瓦。

新時代開啟新發展,華虹集團將不忘初心,砥礪前行,為國家發展自主可控集成電路事業貢獻中堅力量。

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