制造年會如火如荼地進行，滿滿干貨讓人應接不暇。高峰論壇的演講仿佛還在耳畔，又有兩場專題演講向大家襲來。

華虹三廠副廠長康軍和華虹宏力技術研發總監楊繼業為大家帶來了什么精彩內容呢？一起來看看吧！

2017制造年會現場新聞速遞 9月27日上午，華虹三廠副廠長康軍以“高可靠性的嵌入式存儲器工藝技術”為題，向各位參會嘉賓介紹了華虹宏力的當家工藝。華虹宏力擁有SONOS Flash和SuperFlash技術，以及eFlash+高壓和eFlash+射頻（RF）兩個衍生工藝平臺，技術節點涵蓋0.18微米到90納米。同時還可為客戶提供高性能、高密度的標準單元庫，并可根據不同需求為客戶定制高速度、低功耗、超低靜態功耗的嵌入式閃存IP、嵌入式電可擦可編程只讀存儲器（EEPROM）IP，可幫助客戶減小低功耗設計難度，搶占市場先機。

康軍副廠長詳細介紹了華虹宏力SONOS存儲模塊特征參數，有力論證了其在高溫下優良的耐久性和數據保持能力，以及在-40℃ ~ 85℃寬溫范圍內良好的寫干擾性能。康軍副廠長自豪地表示：“基于SONOS EEPROM平臺制造的金融IC卡芯片，已通過EMVCo、CC EAL5+、萬事達CQM等多項國際權威認證，證明了我們的金融IC卡芯片工藝及安全管理系統已達到國際先進水平。”SONOS存儲器工藝中還可嵌入高壓器件，目前，華虹宏力32V和12V/15V的HV CMOS以及14~40V的LDMOS均已處于大量出貨狀態。

緊接著，康軍副廠長指出嵌入式閃存正在向電壓更低，光罩更少、存儲單元更小的方向演變。華虹宏力的Floating gate（浮柵型） eFlash和SONOS eFlash在數據保持能力及耐久性上，均有優異表現，而自主開發的極具競爭力的90納米NORD eFlash在這兩方面甚至表現出了更高的可靠性。此外，華虹宏力還專為物聯網打造了0.11微米eFlash超低功耗技術平臺，提供整合射頻、高性能閃存的同時，兼顧了低功率、低成本的優勢。

華虹宏力將鞏固在嵌入式非易失性存儲器技術領域的世界領先地位，竭誠為客戶提供優質服務。

9月27日下午，華虹宏力技術研發總監楊繼業發表技術演講“深耕卓越IGBT技術，智造綠色‘芯’未來”，與大家分享了華虹宏力功率技術現狀及發展方向。

華虹宏力是全球首家、最大的功率器件8英寸代工廠，早在2001年，華虹宏力就開始了Trench MOSFET代工業務。研發人員持續攻關，于2011年成功開發了深溝槽超級結（Deep Trench Super Junction，DT-SJ）技術平臺，這個革命性的突破也標志著華虹宏力成為世界第一家提供 DT-SJ解決方案的晶圓代工廠。2013年，基于溝槽結構的600V-1200V非穿通型和場截止型（Field Stop，FS）IGBT的量產也大獲成功。今年年初，又推出了第三代DT-SJ 平臺。

楊繼業總監強調，“華虹宏力現擁有MOSFET/DT-SJ/IGBT技術，可提供從低電壓至高電壓應用的完整解決方案。”截止至2017年6月，華虹宏力功率器件平臺累計出貨量已突破500萬片晶圓，其中DT-SJ出貨超過25萬片，IGBT超過5萬片。

IGBT被譽為“功率半導體皇冠”，在綠色能源、馬達驅動和新能源汽車等領域應用前景廣闊。目前，華虹宏力戰略性地專注于LPT（Light Punch-Through）和 FS IGBT技術，且擁有大陸最全、最先進的全套IGBT背面制程代工技術。通過設備升級、改造，華虹宏力成功配置了一整套IGBT超薄片（可生產至60微米薄片）背面工藝/測試生產線，成功實現量產。配合獨特的激光退火工藝用于背面注入雜質激活，大大提高了背面注入雜質的激活率。

功率器件性能的改變不僅表現在能量變換效率的提升，而且表現在系統裝置能量處理能力上——功率密度的提升，此指標平均每4年就提升1倍，被業界稱為“功率電子領域的摩爾定律”。楊繼業總監表示：“華虹宏力研發團隊也正加速研發1700V以上超高壓IGBT技術，向更高電壓、更大電流等級和大功率進發，以期在新能源及工業市場一展身手。”

此外，楊繼業總監還受邀參加了“IGBT先進制造-面臨機遇和挑戰圓桌論壇”，與多位IGBT專家展開了頭腦風暴。