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回顧華虹宏力在IC China 2015上的表現(xiàn)介紹

0oS6_華虹宏 ? 來源:djl ? 2019-10-21 09:48 ? 次閱讀
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(中國,上海—2015年11月11日)2015年11月11日,“第十三屆中國國際半導體博覽會暨高峰論壇”(IC China 2015)在上海新國際博覽中心開幕。全球領先的200mm純晶圓代工廠──華虹半導體有限公司(股份代號:1347.HK)之全資子公司上海華虹宏力半導體制造有限公司(“華虹宏力”),攜最新技術成果亮相本屆展會。

華虹宏力始終致力于研發(fā)差異化先進技術。這些技術廣泛應用于多個領域,包括消費類電子產品、通訊、計算機、工業(yè)及汽車等各種終端產品中。在本屆展會上,華虹宏力展示了部分先進的特色工藝技術和最新研發(fā)成果。比如,適用于物聯(lián)網智能可穿戴設備的低功耗eFlash及eEEPROM工藝技術和射頻工藝技術;適用于LED照明、機器人新能源汽車等熱點應用的高效低耗超級結MOSFET(Super Junction, SJNFET)和場截止型 (Field Stop, FS)IGBT工藝技術;以及適合智能電表、手機及平板電腦PMU等熱點應用的電源管理技術。這些先進的技術吸引了眾多業(yè)內專業(yè)人士前來咨詢交流。

開幕當日,工業(yè)和信息化部電子信息司副司長彭紅兵、中國半導體行業(yè)協(xié)會執(zhí)行副理事長兼秘書長徐小田等領導蒞臨公司展臺參觀指導。華虹宏力銷售與客戶支持副總裁陳衛(wèi)熱情接待了來賓,并對公司及最新技術成果作了介紹。

在11月12日同期舉辦的“功率半導體器件及其可靠性技術”專題研討會上,華虹宏力技術市場經理王輝應邀發(fā)表演講。他將以“特色工藝—助力功率半導體芯飛揚”為主題,介紹功率半導體市場和應用趨勢,及華虹宏力在此領域的先進的解決方案。華虹宏力第二代SJNFET技術和新一代的600V~1200V FS IGBT已實現(xiàn)量產,并計劃于明年推出具備更先進性能的第三代SJNFET工藝平臺,力爭為日益增長的LED照明、機器人和新能源汽車等熱點應用提供更低功耗、更高效、更小尺寸的綠色芯制造平臺。

敬請各位嘉賓撥冗蒞臨華虹宏力展臺W5館5B106。

華虹宏力亮相IC China 2015。

工業(yè)和信息化部電子信息司副司長彭紅兵、中國半導體行業(yè)協(xié)會執(zhí)行副理事長兼秘書長徐小田等領導蒞臨公司展臺參觀指導。

上海華虹宏力半導體制造有限公司(以下簡稱“華虹宏力”),由原上海華虹NEC電子有限公司和上海宏力半導體制造有限公司新設合并而成,是世界領先的200mm純晶圓代工廠。華虹宏力在上海張江和金橋共有3條200mm集成電路生產線,月產能達13.7萬片,工藝技術覆蓋1微米至90納米各節(jié)點,在標準邏輯、嵌入式非易失性存儲器、混合信號、射頻、圖像傳感器、電源管理、功率器件工藝等領域形成了具有競爭力的先進工藝平臺,并正在建立微機電系統(tǒng)(MEMS)工藝平臺。公司總部位于中國上海,在中國***、日本、北美和歐洲等地均提供銷售與技術支持。

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