充電模式模擬CMOS電路的設計
經過兩年的初步研究，以及幾項正在申請的專利，去年夏天成立，加利福尼亞創業公司賽道種子父母和女兒聯合創始人鮑勃和蘇珊舒柏已經開始對他們的深度子微米基于CMOS的模擬電路。
創始人將他們的關鍵發明，互補電流場效應晶體管(CiFET)描述為充電模式模擬CMOS電路設計，重點關注器件中的電荷。他們聲稱，新技術可以與數字工藝節點一起縮小，可能取代大多數附加模擬電路，并在任何節點上提供全混合信號SoC集成的圣杯。
兩位聯合創始人記錄了3階段CiFET前饋放大器產生20位線性度，并表示他們已經在40nm芯片上使用幾個模擬模塊(包括放大器，ADC和PLL)證明了他們的設計方法，工作范圍可低于0.1V。這組作者說，這些電路以邏輯速度運行，是自偏置的，不受參數變化的影響。不需要精密部件或匹配，電路可以顯示極高的功率噪聲抑制。
基本緩沖放大器設計
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