華強(qiáng)pcb線路板打樣BiCom-II將混合信號(hào)IC的邏輯電壓提升20倍以上
TI表示BiCom-II將混合信號(hào)IC的邏輯增強(qiáng)20倍以上
德州儀器公司今天在這里推出了一種新的互補(bǔ)雙極性工藝技術(shù)這有望將數(shù)字CMOS邏輯與高性能模擬和混合信號(hào)功能的集成提高20倍以上。 TI表示計(jì)劃在今年第二季度推出采用新BiCom-II工藝生產(chǎn)的第一批芯片樣品。
德州儀器公司今天在這里推出了一種新的互補(bǔ)雙極性工藝技術(shù)這有望將數(shù)字CMOS邏輯與高性能模擬和混合信號(hào)功能的集成提高20倍以上。 TI表示計(jì)劃在今年第二季度推出采用新BiCom-II工藝生產(chǎn)的第一批芯片樣品。
“這一過程使TI能夠在芯片上結(jié)合更高密度的數(shù)字邏輯TI公司負(fù)責(zé)高級(jí)模擬產(chǎn)品的副總裁Dan Reynolds表示，這些產(chǎn)品具有領(lǐng)先的模擬晶體管，意味著更小的器件具有更多的功能和更好的性能。 BiCom-II工藝的一個(gè)關(guān)鍵目標(biāo)是寬帶通信。
該公司稱新的BiCMOS技術(shù)的雙極部分是一個(gè)15伏工藝，能夠?yàn)?a target="_blank">運(yùn)算放大器制造快速晶體管，這是一個(gè)關(guān)鍵的建筑阻止模擬功能。 CMOS部分還提供5和10V模擬晶體管。
為了提高數(shù)字邏輯集成能力，TI為BiCom-II技術(shù)增加了一個(gè)高性能的5 V工藝模塊，處理需要數(shù)千個(gè)門的功能。據(jù)TI稱，這種功能將集成能力提高了之前互補(bǔ)雙極性工藝的柵極密度的20倍。
此外，TI稱BiCom-II技術(shù)可處理薄膜電阻，電介質(zhì)隔離用于提高模擬和數(shù)字電路模塊之間抗噪聲能力的晶體管以及激光可調(diào)金屬鏈路。
TI表示，它希望能夠?yàn)殡娎|和數(shù)字用戶線（DSL）驅(qū)動(dòng)器和接收器制造性能更高的元件。 ，運(yùn)算放大器，可編程增益放大器（PGA）以及其他模擬和混合信號(hào)模塊。
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