應用材料公司今天為其Mirra Mesa化學機械平面化（CMP）推出了兩種新的銅工藝它表示支持全系列雙大馬士革芯片集成方案。

Mirra Mesa工藝與Applied的Endura屏障/種子和Electra機電電鍍系統(tǒng)集成，作為捆綁的一部分 - Applied正在追求的模塊策略（見4月5日的故事）。應用材料公司CMP產品組副總裁兼總經(jīng)理克里斯史密斯說：“這套設備讓客戶有機會購買預先集成的互連解決方案，幫助他們快速擴大工廠的銅制造量。”

首次快速去除銅材料后，客戶可以選擇非選擇性或選擇性工藝來拋光阻隔薄膜，這取決于他們的雙大馬士革整合策略，該公司表示。非選擇性工藝采用新的成本效益方法去除阻擋膜，以及未加蓋的介電材料，如氧化物，氟化硅酸鹽玻璃（FSG）和黑鉆石膜。

選擇性CMP工藝旨在平坦化并保留用于封頂?shù)蚹電介質應用的頂部介電層。這兩種解決方案都可以簡化工藝流程，無需額外的電介質拋光步驟，從而降低制造成本。

“銅CMP是芯片制造商面臨的最關鍵挑戰(zhàn)之一，”史密斯說。 “將我們的下一代銅工藝與Mirra Mesa系統(tǒng)的多板結構，先進的拋光頭技術以及我們新的FullScan端點技術相結合，為體積銅生產創(chuàng)造了一種高生產率的拋光工具。”

FullScan端點技術可精確識別整個晶圓上的薄膜去除點。結合工藝順序，這可以最大限度地減少銅布線結構的凹陷和腐蝕，創(chuàng)造出創(chuàng)建多層互連所需的平面表面形貌，Smith解釋道。

系統(tǒng)的銅工藝已經(jīng)過特性測試和測試缺陷水平。該系統(tǒng)的Mesa集成式CMP后清洗站采用超聲波清洗技術和雙面刷洗，有助于抵抗腐蝕，去除晶圓兩側的顆粒和漿料殘留物，包括非常小的凹陷特征和難以傾斜的區(qū)域。