7月29日，三安光電Mini/Micro LED芯片產業化項目在湖北葛店葛店經濟技術開發區舉行開工儀式。

作為國內LED芯片龍頭企業，三安光電主要從事Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料的研發與應用，著重于砷化鎵、氮化鎵、碳化硅、磷化銦、氮化鋁、藍寶石等半導體新材料所涉及到的LED外延、芯片為核心主業。公司產品主要應用于照明、顯示、背光、農業、醫療、微波射頻、激光通訊、功率器件、光通訊、感應傳感等領域。

此次開工的Mini/Micro LED芯片產業化項目是三安光電改善其產品結構，提升核心競爭力，鞏固在LED芯片領域行業地位的重要舉措。

2019年4月26日，三安光電發布公告稱，擬投資120億元在湖北省葛店經濟技術開發區興辦Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體項目，主要生產經營Mini/Micro LED 外延與芯片產品及相關應用的研發、生產、銷售。

三安光電方面表示，Mini/Micro LED 是公司未來重點發展方向之一。該項目符合國家產業政策規劃，符合公司產業發展方向和發展戰略，有利于改善公司產品結構，提升公司核心競爭力，鞏固公司行業地位。

三安光電Mini/MicroLED芯片產業化項目位于湖北省葛店經濟技術開發區，項目用地約756畝，計劃總投資120億元，總建筑面積47.77萬平方米。項目將建成Mini/MicroLED氮化鎵芯片、Mini/MicroLED砷化鎵芯片、4K顯示屏用封裝三大產品系列的研發生產基地。預計氮化鎵芯片系列年產161萬片（藍光MiniLED72萬片/年；藍光MicroLED9萬片/年；綠光MiniLED72萬片/年；綠光MicroLED8萬片/年）、砷化鎵芯片系列年產75萬片（紅光MiniLED66萬片/年；紅光MicroLED9萬片/年）、4K顯示屏用封裝產品年產84000臺。

項目建成達產后，將形成具有自主知識產權、掌握核心技術、掌握行業話語權，具有重要國際影響力的Mini/MicroLED芯片產業生產基地。

據高工新型顯示了解到，項目一期總投資為60億元。

對于在Mini/Micro LED方面的“野心”，三安光電也從未掩飾。在三安光電2018年年報中就坦承， Mini-LED 已于一年前開始實現量產銷售，出貨量也隨著關鍵設備的逐步到位在疊加，Micro-LED 巨量轉移技術也在改進并突破，這兩塊業務未來將會是重點發展方向之一。

近兩年來，LED照明市場增速放緩，需求不振，也導致了上游LED芯片整體價格下降幅度較大。

報告顯示，2018年隨著擴產產能釋放，2018年Q3LED芯片供需比達到1.2；隨著2019年乾照光電、兆元光電產能的釋放，供需比仍攀升，預計2019年毛利率仍將下降。

而顯示市場隨著顯示技術的不斷升級，MiniLED 和 MicroLED 顯示又具有無拼縫、高亮度和無反射圖像等特點，憑借產品的清晰度、畫質、厚度、反應速度等方面優勢，已逐漸從商業級顯示切入消費級顯示，而且下游應用企業也在大力推廣，一旦規模化應用，前景將非常廣闊。

無論是從占領高毛利的顯示市場還是消化既有產能，加大在Mini/Micro LED顯示方面的投入已經成為三安光電的必由之路。