半導(dǎo)體制造過程中最復(fù)雜也是最難的步驟就是光刻，成本能占到整個(gè)生產(chǎn)過程的1/3，光刻機(jī)也因此成為最重要的半導(dǎo)體制造裝備，沒有之一。目前最先進(jìn)的光刻機(jī)是荷蘭ASML公司生產(chǎn)的EUV光刻機(jī)，每臺(tái)售價(jià)超過1億美元，而且供不應(yīng)求。

2019年，臺(tái)積電、三星都會(huì)開始量產(chǎn)7nm EUV工藝，現(xiàn)有的EUV光刻機(jī)也差不多成熟了，雖然產(chǎn)量比起傳統(tǒng)的DUV光刻機(jī)還有所不如，不過已經(jīng)能夠穩(wěn)定量產(chǎn)了，7nm及明年的5nm節(jié)點(diǎn)上EUV光刻機(jī)都會(huì)是重點(diǎn)。

EUV光刻機(jī)未來還能怎么發(fā)展？2016年ASML公司宣布斥資20億美元收購德國蔡司公司25%的股份，并投資數(shù)億美元合作研發(fā)新一代透鏡，而ASML這么大手筆投資光學(xué)鏡頭公司就是為了研發(fā)新一代EUV光刻機(jī)。

日前據(jù)韓媒報(bào)道稱，ASML公司正積極投資研發(fā)下一代EUV光刻機(jī)，與現(xiàn)有的光刻機(jī)相比，二代EUV光刻機(jī)最大的變化就是High NA（高數(shù)值孔徑）透鏡，通過提升透鏡規(guī)格使得新一代光刻機(jī)的微縮分辨率、套準(zhǔn)精度兩大光刻機(jī)核心指標(biāo)提升70%，達(dá)到業(yè)界對(duì)幾何式芯片微縮的要求。

在這個(gè)問題上，ASML去年10月份就宣布與IMEC比利時(shí)微電子中心合作研發(fā)新一代EUV光刻機(jī)，目標(biāo)是將NA從0.33提升到0.5以上，而從光刻機(jī)的分辨率公式——光刻機(jī)分辨率=k1*λ/NA中可以看出，NA數(shù)字越大，光刻機(jī)分辨率越高，所以提高NA數(shù)值孔徑是下一代EUV光刻機(jī)的關(guān)鍵，畢竟現(xiàn)在EUV極紫外光已經(jīng)提升過一次了。

之前ASML公布的新一代EUV光刻機(jī)的量產(chǎn)時(shí)間是2024年，不過最新報(bào)道稱下一代EUV光刻機(jī)是2025年量產(chǎn)，這個(gè)時(shí)間上臺(tái)積電、三星都已經(jīng)量產(chǎn)3nm工藝了，甚至開始進(jìn)軍2nm、1nm節(jié)點(diǎn)了。