AI、5G應(yīng)用推動(dòng)芯片微縮化，要實(shí)現(xiàn)5nm、3nm等先進(jìn)制程，意味著需要更新穎的技術(shù)支援以進(jìn)行加工制造，半導(dǎo)體設(shè)備商遂陸續(xù)推出新一代方案。AI、5G應(yīng)用推動(dòng)晶片微縮化，要實(shí)現(xiàn)5nm、3nm等先進(jìn)制程，意味著需要更新穎的技術(shù)支援以進(jìn)行加工制造，為此，艾司摩爾（ASML）持續(xù)強(qiáng)化極紫外光（EUV）微影系統(tǒng)效能。

艾司摩爾（ASML）資深市場(chǎng)策略總監(jiān)Boudewijn Sluijk表示，VR/AR、自動(dòng)駕駛、5G、大數(shù)據(jù)及AI等，持續(xù)推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，為滿足各式應(yīng)用、資料傳輸，以及演算法需求，芯片效能不斷提高的同時(shí)，還須降低成本，而極紫外光（EUV）在先進(jìn)制程中便扮演關(guān)鍵的角色。

Sluijk進(jìn)一步指出，過(guò)往采用ArFi LE4 Patterning或是ArFi SAQP進(jìn)行曝光的話，要實(shí)現(xiàn)7nm、5nm，須經(jīng)過(guò)許多步驟。例如用ArFi LE4 Patterning需要4個(gè)光罩、4次曝光，用ArFi SAQP需要6個(gè)光罩、9次曝光，而EUV只需一個(gè)光罩、1次曝光。相較之下，采用EUV技術(shù)不但可有效簡(jiǎn)化制程，加快產(chǎn)品設(shè)計(jì)時(shí)程，也因?yàn)槠毓獯螖?shù)明顯減少，因而可有效降低成本，滿足晶片設(shè)計(jì)高效能、低成本的需求，因此，市場(chǎng)對(duì)于EUV的需求有增無(wú)減。

據(jù)悉，ASML的EUV系統(tǒng)現(xiàn)在可用于7nm生產(chǎn)，滿足客戶對(duì)可用性、產(chǎn)量和大量生產(chǎn)的需求。到了2019第2季季末，目前半導(dǎo)體領(lǐng)域已經(jīng)有51個(gè)EUV系統(tǒng)（包含NXE：33xx、NXE：3400B），而該公司在2019年的銷售目標(biāo)為30臺(tái)EUV，目前已出貨11臺(tái)，而在第2季再度接獲10臺(tái)EUV極紫外光系統(tǒng)的訂單，顯示市場(chǎng)對(duì)于EUV設(shè)備的需求相當(dāng)強(qiáng)勁。因此，ASML的出貨計(jì)畫將著重于2019年下半年和第4季，而2019年的整體營(yíng)收目標(biāo)維持不變。

然而，隨著晶圓產(chǎn)能不斷增加，ASML也持續(xù)推出生產(chǎn)力更高的EUV設(shè)備。Sluijk透露，目前EUV系統(tǒng)在晶圓廠客戶端每天生產(chǎn)的晶圓數(shù)量超過(guò)1，000片，為此，ASML持續(xù)強(qiáng)化EUV微影系統(tǒng)「NXE:3400C」的量產(chǎn)效能，不僅在ASML廠內(nèi)展示每小時(shí)曝光超過(guò)170片晶圓的實(shí)力，在客戶端實(shí)際生產(chǎn)記憶體芯片的制造條件下，也成功達(dá)到每天曝光超過(guò)2，000片晶圓的成果，甚至達(dá)到2，200片的紀(jì)錄。另外，ASML也計(jì)畫在2020上半年推出生產(chǎn)力更高的設(shè)備，將NXE：3400C的生產(chǎn)率提升至》 185 wph。

同時(shí)，除了提升設(shè)備生產(chǎn)量之外，因應(yīng)未來(lái)先進(jìn)節(jié)點(diǎn)，ASML也計(jì)劃推出全新EUV設(shè)備，名稱為EXE，不僅擁有新穎的光學(xué)設(shè)計(jì)和明顯更快的平臺(tái)，且數(shù)值孔徑更高，為0.55（ High-NA），進(jìn)一步將EUV平臺(tái)延伸至3nm節(jié)點(diǎn)以下，擴(kuò)展EUV在未來(lái)先進(jìn)節(jié)點(diǎn)中的價(jià)值。

Sluijk說(shuō)明，此一產(chǎn)品將使幾何式晶片微縮（Geometric Chip Scaling）大幅躍進(jìn)，其所提供的分辨率和微影疊對(duì)（Overlay）能力比現(xiàn)有的NXE:3400高上70%。EXE平臺(tái)旨在實(shí)現(xiàn)多種未來(lái)節(jié)點(diǎn)，首先從3奈米開(kāi)始，接著是密度相近的記憶體節(jié)點(diǎn)。另外，EXE平臺(tái)有著新穎的光學(xué)設(shè)計(jì)，并具備更高的生產(chǎn)力和更高的對(duì)比度，以及更高的生產(chǎn)量，每個(gè)小時(shí)》 185 wph，且Reticle stage比NXE:3400快上4倍；Wafer stage比NXE:3400快上2倍。

Sluijk指出，該公司的EUV平臺(tái)擴(kuò)展了客戶的邏輯芯片和DRAM的產(chǎn)品路線圖，透過(guò)提供更好的分辨率、更先進(jìn)的性能，以及逐年降低的成本，EUV產(chǎn)品將會(huì)在未來(lái)十年到達(dá)一個(gè)經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的規(guī)模。