（文章來源：簡叔）

不得不說，從上個(gè)世紀(jì)中期一直到現(xiàn)在，芯片技術(shù)都是高科技領(lǐng)域的尖端技術(shù)，現(xiàn)在的一部智能手機(jī)都要用到幾十款芯片，不僅如此，芯片的集成度越來越高，制造難度越來越大，即使強(qiáng)大如英特爾，這么多年來也一直徘徊在14nm工藝，遲遲沒有大規(guī)模向10nm工藝轉(zhuǎn)型。

如果回想十年前，那個(gè)時(shí)候芯片的制造工藝可以一下子從90nm升級(jí)到65nm，進(jìn)而繼續(xù)保持大幅度升級(jí)到45nm、22nm等工藝，但是近年來，芯片的制造工藝升級(jí)幅度越來越小，例如從22nm之后就開始進(jìn)入16nm工藝，再之后就是14nm、12nm、11nm、10nm、8nm，現(xiàn)在最先進(jìn)的是7nm，所以我們看到似乎每向前前進(jìn)1nm都變得異常艱難。

而當(dāng)前芯片的晶體管技術(shù)，還是使用的當(dāng)年英特爾首發(fā)的22nm技術(shù)，也就是FinFET技術(shù)，但是該晶體管技術(shù)可以利用的最大限度，基本就停留在4nm工藝，3nm以及以下的工藝，就需要新的晶體管技術(shù)來加持，可以說目前世界上在芯片的先進(jìn)工藝上，基本上是臺(tái)積電、三星和英特爾在主導(dǎo)，但今日我國中科院重磅宣布了一個(gè)大消息。

來自中科院的消息稱，中國科學(xué)家研發(fā)了一種新型垂直納米環(huán)柵晶體管，它被視為2nm及以下工藝的主要技術(shù)候選，這一研究成果近日發(fā)表在國際微電子器件領(lǐng)域的頂級(jí)期刊《IEEE Electron Device Letters》上，獲得多項(xiàng)中、美發(fā)明專利授權(quán)。目前來看，我國在芯片研發(fā)上已經(jīng)具備國際一線實(shí)力，例如華為的麒麟1020已經(jīng)成功實(shí)現(xiàn)5nm工藝流片，不過在芯片制造上，目前我們還沒有進(jìn)入一線隊(duì)列。

然而這次中科院科學(xué)家在芯片制造方面的重大突破，可以說為以后我們?cè)谛酒圃祛I(lǐng)域做好了技術(shù)支撐，而剩下的需要我們攻克的，也算是芯片領(lǐng)域的最后一段難關(guān)，就是芯片的制造設(shè)備，其中主要是光刻機(jī)，目前全球僅荷蘭的ASML可以提供最為先進(jìn)的支持極紫外光刻技術(shù)的光刻機(jī)，相信我們的科學(xué)家未來一定可以為我們帶來驚喜，我們拭目以待。
（責(zé)任編輯：fqj）