（文章來源：簡叔）

不得不說，從上個世紀中期一直到現(xiàn)在，芯片技術都是高科技領域的尖端技術，現(xiàn)在的一部智能手機都要用到幾十款芯片，不僅如此，芯片的集成度越來越高，制造難度越來越大，即使強大如英特爾，這么多年來也一直徘徊在14nm工藝，遲遲沒有大規(guī)模向10nm工藝轉型。

如果回想十年前，那個時候芯片的制造工藝可以一下子從90nm升級到65nm，進而繼續(xù)保持大幅度升級到45nm、22nm等工藝，但是近年來，芯片的制造工藝升級幅度越來越小，例如從22nm之后就開始進入16nm工藝，再之后就是14nm、12nm、11nm、10nm、8nm，現(xiàn)在最先進的是7nm，所以我們看到似乎每向前前進1nm都變得異常艱難。

而當前芯片的晶體管技術，還是使用的當年英特爾首發(fā)的22nm技術，也就是FinFET技術，但是該晶體管技術可以利用的最大限度，基本就停留在4nm工藝，3nm以及以下的工藝，就需要新的晶體管技術來加持，可以說目前世界上在芯片的先進工藝上，基本上是臺積電、三星和英特爾在主導，但今日我國中科院重磅宣布了一個大消息。

來自中科院的消息稱，中國科學家研發(fā)了一種新型垂直納米環(huán)柵晶體管，它被視為2nm及以下工藝的主要技術候選，這一研究成果近日發(fā)表在國際微電子器件領域的頂級期刊《IEEE Electron Device Letters》上，獲得多項中、美發(fā)明專利授權。目前來看，我國在芯片研發(fā)上已經(jīng)具備國際一線實力，例如華為的麒麟1020已經(jīng)成功實現(xiàn)5nm工藝流片，不過在芯片制造上，目前我們還沒有進入一線隊列。

然而這次中科院科學家在芯片制造方面的重大突破，可以說為以后我們在芯片制造領域做好了技術支撐，而剩下的需要我們攻克的，也算是芯片領域的最后一段難關，就是芯片的制造設備，其中主要是光刻機，目前全球僅荷蘭的ASML可以提供最為先進的支持極紫外光刻技術的光刻機，相信我們的科學家未來一定可以為我們帶來驚喜，我們拭目以待。
（責任編輯：fqj）