IGCT的逆導(dǎo)技術(shù)

GCT大都制成逆導(dǎo)型，與非對(duì)稱型結(jié)構(gòu)不同，它可與優(yōu)化的續(xù)流二極管FWD單片集成在同一芯片上。穿通型GCT的最小基區(qū)厚度與二極管相同，可承受相同的阻斷電壓。由于二極管和GCT享有同一個(gè)阻斷結(jié)（PN -），GCT的P基區(qū)與二極管的陽(yáng)極相連，這樣在GCT門極和二極管陽(yáng)極間形成電阻性通道。逆導(dǎo)GCT與二極管隔離區(qū)中因?yàn)橛蠵NP結(jié)構(gòu)，其中總有一個(gè)PN結(jié)反偏，從而阻斷了GCT與二極管陽(yáng)極間的電流流通。

為了使GCT能夠無(wú)吸收地關(guān)斷，要求集成在其中的FWD也必須無(wú)吸收電路，并在高di/dt下關(guān)斷。為此，逆導(dǎo)GCT的二極管部分可通過(guò)質(zhì)子輻照形成非均勻的復(fù)合中心，從而控制二極管的反向恢復(fù)特性，以確保當(dāng)其拖尾電流減小至零時(shí)不會(huì)產(chǎn)生斷流現(xiàn)象。

IGCT的透明陽(yáng)極

為了實(shí)現(xiàn)低的關(guān)斷損耗，需要對(duì)陽(yáng)極晶體管的增益加以限制，因而要求陽(yáng)極的厚度要薄，濃度要低。透明陽(yáng)極是一個(gè)很薄的PN結(jié)，其發(fā)射效率與電流有關(guān)。因?yàn)殡娮哟┩戈?yáng)極就像陽(yáng)極被短路一樣，因此稱為透明陽(yáng)極。傳統(tǒng)的GTO則是采用陽(yáng)極短路結(jié)構(gòu)來(lái)達(dá)到相同的目的。采用透明陽(yáng)極來(lái)代替陽(yáng)極短路點(diǎn)，可使GCT的觸發(fā)電流比傳統(tǒng)無(wú)緩沖層的GTO降低整整一個(gè)數(shù)量級(jí)。而且GCT的結(jié)構(gòu)與IGBT相比，因不含MOS結(jié)構(gòu)而從根本上得以簡(jiǎn)化。