IGCT的逆導技術

GCT大都制成逆導型，與非對稱型結構不同，它可與優化的續流二極管FWD單片集成在同一芯片上。穿通型GCT的最小基區厚度與二極管相同，可承受相同的阻斷電壓。由于二極管和GCT享有同一個阻斷結（PN -），GCT的P基區與二極管的陽極相連，這樣在GCT門極和二極管陽極間形成電阻性通道。逆導GCT與二極管隔離區中因為有PNP結構，其中總有一個PN結反偏，從而阻斷了GCT與二極管陽極間的電流流通。

為了使GCT能夠無吸收地關斷，要求集成在其中的FWD也必須無吸收電路，并在高di/dt下關斷。為此，逆導GCT的二極管部分可通過質子輻照形成非均勻的復合中心，從而控制二極管的反向恢復特性，以確保當其拖尾電流減小至零時不會產生斷流現象。

IGCT的透明陽極

為了實現低的關斷損耗，需要對陽極晶體管的增益加以限制，因而要求陽極的厚度要薄，濃度要低。透明陽極是一個很薄的PN結，其發射效率與電流有關。因為電子穿透陽極就像陽極被短路一樣，因此稱為透明陽極。傳統的GTO則是采用陽極短路結構來達到相同的目的。采用透明陽極來代替陽極短路點，可使GCT的觸發電流比傳統無緩沖層的GTO降低整整一個數量級。而且GCT的結構與IGBT相比，因不含MOS結構而從根本上得以簡化。