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長江存儲宣布獲得年度技術(shù)突破獎(jiǎng) 自家閃存產(chǎn)品擁有同代產(chǎn)品中最高的存儲密度

半導(dǎo)體動(dòng)態(tài) ? 來源:快科技 ? 作者:憲瑞 ? 2020-01-03 08:58 ? 次閱讀

紫光旗下的長江存儲今天宣布,在北京舉行的“2020中國IC風(fēng)云榜”上,長江存儲公司獲得了備受矚目的年度技術(shù)突破獎(jiǎng),長江存儲執(zhí)行董事,紫光集團(tuán)聯(lián)席總裁刁石京代表公司領(lǐng)獎(jiǎng)。

作為紫光集團(tuán)芯片板塊核心企業(yè),長江存儲通過閃存基礎(chǔ)架構(gòu)和制造工藝的創(chuàng)新,成功打造了世界首款基于Xtacking架構(gòu)的64層三維閃存。此款產(chǎn)品自2019年9月量產(chǎn)以來,已經(jīng)通過多項(xiàng)行業(yè)認(rèn)證,并進(jìn)入主流客戶供應(yīng)鏈,得到了市場的認(rèn)可。

根據(jù)長江存儲之前的消息,2019年9月份該公司量產(chǎn)國內(nèi)首個(gè)64層堆棧的3D閃存,采用了自研Xtacking架構(gòu),核心容量256Gb。

長江存儲64層3D NAND閃存是全球首款基于Xtacking架構(gòu)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品,擁有同代產(chǎn)品中最高的存儲密度。

Xtacking可實(shí)現(xiàn)在兩片獨(dú)立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲單元,這樣有利于選擇更先進(jìn)的制造工藝。當(dāng)兩片晶圓各自完工后,創(chuàng)新的Xtacking技術(shù)只需一個(gè)處理步驟就可通過數(shù)十億根垂直互聯(lián)通道(VIA)將兩片晶圓鍵合。

相比傳統(tǒng)3D NAND閃存架構(gòu),Xtacking可帶來更快的I/O傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產(chǎn)品上市周期。

目前,世界上最快的3D NAND I/O速度的目標(biāo)值是1.4Gbps,而大多數(shù)NAND供應(yīng)商僅能供應(yīng)1.0 Gbps或更低的速度。利用Xtacking技術(shù)我們有望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps,與DRAM DDR4的I/O速度相當(dāng)。

自2016年成立以來,長江存儲作為集3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造一體化的IDM集成電路企業(yè),一直著力提供完整的存儲器解決方案,為全球合作伙伴供應(yīng)3D NAND閃存晶圓及顆粒、嵌入式存儲芯片以及消費(fèi)級、企業(yè)級固態(tài)硬盤等產(chǎn)品和解決方案。

責(zé)任編輯:wv

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