KAIST的新技術成功突破MicroLED顯示器分辨率的限制
（文章來源：LEDinside）
據Business Korea報道，韓國研究團隊KAIST提出一項能夠突破Micro LED顯示器分辨率限制的技術。新技術有望用來生產高分辨率小顯示器，用于VR/AR等裝置。
6日，KAIST宣布由電子工程系Kim Sang-hyun教授帶領的研究小組研發(fā)了采用半導體制造技術生產每英寸超過63,500像素的技術。Micro LED顯示器使用微米尺寸的無機發(fā)光二極管作為像素點。鑒于此，紅綠藍（RGB）像素必須緊密排列，但能生產RGB三種顏色的LED材料各不相同，因此，每顆LED必須轉錄到顯示基板上。
然而，在此過程中會產生很多技術難題，如LED轉移頭的尺寸限制、機械精度及良率降低等問題，因此，很難將此技術應用到超高分辨率的顯示器上。
目前，KAIST研究團隊已經開發(fā)出一種生產高分辨率Micro LED顯示器設備的新方法。據悉，他們將紅綠藍LED主動層堆疊在3D空間之后再使用半導體圖案化工藝。為解決在垂直堆疊RGB LED過程中產生的顏色干擾以及每個微小像素的效率等問題，該團隊在結合面上放置具有濾光片特性的絕緣膜，將紅色和藍色干擾光線消除了97%。最后，研究團隊成功實現每英寸超過6萬像素的高分辨率，提高了微發(fā)光二極管的效率。
（責任編輯：fqj）
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