臺(tái)積電3nm技術(shù)論壇延期 三星將在3nm節(jié)點(diǎn)放棄FinFET晶體管
由于受到全球疫情影響，臺(tái)積電宣布原本4月29日在美國(guó)舉行的技術(shù)論壇延期，這次論壇本來(lái)是要公布臺(tái)積電3nm技術(shù)的。
臺(tái)積電去年宣布投資200億美元推進(jìn)3nm工藝，目前已經(jīng)在前期的建廠準(zhǔn)備中，預(yù)計(jì)2022年量產(chǎn)，比之前預(yù)告的2023年量產(chǎn)要提前一年。
在3nm節(jié)點(diǎn)上，三星已經(jīng)搶先一步，去年就宣布了3nm GAE工藝，將在3nm節(jié)點(diǎn)放棄FinFET晶體管，轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極晶體管工藝，比7nm工藝，3nm GAE工藝號(hào)稱可將核心面積減少45%，功耗降低50%，性能提升35%。
臺(tái)積電的3nm很可能沒(méi)三星這么激進(jìn)，之前的消息稱3nm節(jié)點(diǎn)會(huì)繼續(xù)用FinFET工藝，在第二代3nm或者2nm節(jié)點(diǎn)才會(huì)升級(jí)到GAA晶體管技術(shù)。
原本3nm工藝的秘密會(huì)在4月29日的臺(tái)積電美國(guó)技術(shù)論壇上揭秘，不過(guò)現(xiàn)在要推遲到8月24日了，在圣克拉拉舉行技術(shù)論壇，8月25日則會(huì)緊接著舉行開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)論壇。
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