臺積電3nm技術論壇延期 三星將在3nm節點放棄FinFET晶體管
由于受到全球疫情影響，臺積電宣布原本4月29日在美國舉行的技術論壇延期，這次論壇本來是要公布臺積電3nm技術的。
臺積電去年宣布投資200億美元推進3nm工藝，目前已經在前期的建廠準備中，預計2022年量產，比之前預告的2023年量產要提前一年。
在3nm節點上，三星已經搶先一步，去年就宣布了3nm GAE工藝，將在3nm節點放棄FinFET晶體管，轉向GAA環繞柵極晶體管工藝，比7nm工藝，3nm GAE工藝號稱可將核心面積減少45%，功耗降低50%，性能提升35%。
臺積電的3nm很可能沒三星這么激進，之前的消息稱3nm節點會繼續用FinFET工藝，在第二代3nm或者2nm節點才會升級到GAA晶體管技術。
原本3nm工藝的秘密會在4月29日的臺積電美國技術論壇上揭秘，不過現在要推遲到8月24日了，在圣克拉拉舉行技術論壇，8月25日則會緊接著舉行開放創新平臺論壇。
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