碳化硅(SiC)功率器件從1970年代開始研發(fā),到1980年代,SiC晶體質(zhì)量和制造工藝得到大幅改進(jìn),再到2001年,英飛凌推出第一款碳化硅二極管之后,SiC功率器件開始了商用化之路。此后,雖然SiC的關(guān)注度一直不低,但由于成本一直居高不下,商用化之路并不順利。不過隨著,越來越多的廠商投入更多資源進(jìn)行SiC器件研發(fā),行業(yè)發(fā)展開始加速,特別是最近幾年。
圖1:SiC功率器件發(fā)展歷程。(資料來源:Yole)
根據(jù)2019年Yole發(fā)布的SiC市場(chǎng)報(bào)告,2018年SiC的市場(chǎng)規(guī)模約為4.2億美元,該機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)SiC市場(chǎng)的年復(fù)合增長(zhǎng)率為29%,也就是說到2024年,SiC的市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)19.3億美元。
圖2:英飛凌電源管理及多元化市場(chǎng)事業(yè)部大中華區(qū)開關(guān)電源應(yīng)用高級(jí)市場(chǎng)經(jīng)理陳清源。
英飛凌拓展其產(chǎn)品線
不久前,英飛凌科技公司更新了其SiC MOSFET產(chǎn)品線,推出了650V 的 CoolSiC? MOSFET器件。英飛凌電源管理及多元化市場(chǎng)事業(yè)部大中華區(qū)開關(guān)電源應(yīng)用高級(jí)市場(chǎng)經(jīng)理陳清源先生表示,該全新的CoolSiC MOSFET可以滿足服務(wù)器、電信和工業(yè)SMPS、太陽能系統(tǒng)、能源存儲(chǔ)和電池化成、不間斷電源、電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng),以及電動(dòng)汽車充電樁在內(nèi)的大量應(yīng)用與日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求。
圖3:英飛凌推出的650V CoolSiC MOSFET器件。
據(jù)介紹,該650 V CoolSiC MOSFET器件的額定值在27 mΩ-107 mΩ之間,既可采用典型的TO-247 3引腳封裝,也支持開關(guān)損耗更低的TO-247 4引腳封裝。與過去發(fā)布的所有CoolSiC MOSFET產(chǎn)品相比,全新650V系列基于英飛凌的溝槽半導(dǎo)體技術(shù)。通過最大限度地發(fā)揮碳化硅強(qiáng)大的物理特性,確保了器件具有出色的可靠性、出類拔萃的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。該系列器件還具備最高的跨導(dǎo)水平(增益)、4V的閾值電壓(Vth)和短路穩(wěn)健性。
此外,得益于得益于與溫度相關(guān)的超低導(dǎo)通電阻(RDS(on)),這些器件具備出色的熱性能。
與超結(jié)CoolMOS MOSFET相比,由于CoolSiC采用了堅(jiān)固耐用的體二極管,其反向恢復(fù)電荷非常低,比超結(jié)CoolMOS MOSFET低80%左右。而如果使用連續(xù)導(dǎo)通模式圖騰柱功率因素校正(PFC)的話,可以讓整體系統(tǒng)的效率達(dá)到98%。
陳清源還特意指出,除了與產(chǎn)品發(fā)布所配套的設(shè)計(jì)應(yīng)用文檔、評(píng)估版等等支持之外,英飛凌有著經(jīng)驗(yàn)豐富的現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師團(tuán)隊(duì),可以在客戶的產(chǎn)品開發(fā)過程當(dāng)中提供技術(shù)支持,以幫助客戶盡快熟悉其產(chǎn)品,提高系統(tǒng)開發(fā)的效率。
最后,他總結(jié)說,現(xiàn)在英飛凌同時(shí)擁有硅材料、碳化硅(SiC),以及氮化鎵(GaN)兩種寬帶隙(WBG)材料的開發(fā)、制造技術(shù),可以滿足大部分客戶的需求。
比如說,硅材料由于技術(shù)成熟度最高,以及性價(jià)比方面的優(yōu)勢(shì),未來依然會(huì)是各個(gè)功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的主要器件。而氮化鎵(GaN)器件由于其在快速開關(guān)性能方面的優(yōu)勢(shì),會(huì)在追求高效和高功率密度的場(chǎng)合,例如數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器等,有較快的增長(zhǎng)。而碳化硅(SiC)器件在三種材料中溫度穩(wěn)定性和可靠性都被市場(chǎng)驗(yàn)證,所以在對(duì)可靠性要求更高的領(lǐng)域,例如汽車和太陽能逆變器等,看到較快的增長(zhǎng)。
產(chǎn)能情況
陳清源表示,“英飛凌擁有強(qiáng)大而穩(wěn)定的制造與物流系統(tǒng),在客戶積極配合與充分溝通量產(chǎn)計(jì)劃的前提下,我們可以確保客戶批量生產(chǎn)的需求。目前我們的交期都會(huì)通過系統(tǒng)與客戶和渠道商進(jìn)行定期地更新。”
而650 V CoolSiC MOSFET系列功率器件共有8個(gè)版本,采用兩種插件TO-247封裝,現(xiàn)已支持訂購(gòu)。
-
英飛凌
+關(guān)注
關(guān)注
67文章
2294瀏覽量
140011 -
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
148文章
7864瀏覽量
217585 -
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
31文章
3110瀏覽量
64173 -
SiC MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
79瀏覽量
6409
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
BASiC基本股份國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)品線概述

全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)
2024年全球芯片市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)6298億美元
2024年AI IC市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)達(dá)1100億美元
最新2024年全球激光加工市場(chǎng)規(guī)模將增至240.2億美元
2035年Chiplet市場(chǎng)規(guī)模將超4110億美元
全球半導(dǎo)體市場(chǎng)回暖:預(yù)計(jì)2024年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)6000億美元

SoC芯片市場(chǎng)前景廣闊,2029年規(guī)模將超2000億美元
SoC芯片,市場(chǎng)規(guī)模大漲

扇出型 (Fan-Out)封裝市場(chǎng)規(guī)模到2028 年將達(dá)到38 億美元

2024年Q2全球芯片市場(chǎng)規(guī)模攀升至1500億美元
2030年GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模將超43億美元
GaN技術(shù)引領(lǐng)功率電子產(chǎn)業(yè)新風(fēng)潮,預(yù)估2030年市場(chǎng)規(guī)模將突破43億美元

2030年人形機(jī)器人電子皮膚市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)90.5億!

實(shí)現(xiàn)電流和控制信號(hào)分離,羅姆新型SiC封裝模塊助力實(shí)現(xiàn)更小型的xEV逆變器

評(píng)論