最近，整理了市面上發(fā)售的氮化鎵GaN 充電器產品。一波是采用PI的主控芯片，PI芯片集成了主控＋功率器件＋同步整流；一波是采用納微GaN產品（QR／ACF＋NV功率器件＋同步整流）；在采用NV的GaN產品設計中，發(fā)現(xiàn)了一個有趣的事情，如下圖所示；8款納微NV的GaN產品中，同步整流IC 有7款采用了MPS的MP6908；

說NV是氮化鎵產品中的大贏家，這么看來MPS在GaN 產品應用中也是大贏家；同行業(yè)內朋友聊起這款產品，行內對MP6908稱號“傻瓜08”；意思就是電路簡單，裝上去就能工作的傻瓜式同步整流IC；

查詢了MPS產品資料，MP6908 升級版MP6908A （頻率可達500K hz）針對氮化鎵GaN產品應用；

MP6908 之所以受到這么多產品應用設計的青睞，主要是有什么特點？

在眾多的方案應用中，細心的朋友可能發(fā)現(xiàn)，有把同步整流管放在次級側的低端，如下圖所示：

還有把同步整流管放在次級側的高端，如下圖所示；

這樣有什么區(qū)別嗎？

放在低端的，同步整流和輸出是共地的，這樣同步整流的供電可以直接從輸出電壓取，電路設計非常簡單，所以放在低端比較好。這也是好多工程師朋友設計電路的選擇！

但是，這兩種接法在EMI性能上面還會有很大的差別，這可是電源設計里面最難解決的問題之一。

在開關電源中EMI的來源是開關動作所產生的動點電壓，而在反激電路中初級側的主開關管和次級側的同步整流管則分別是最主要的兩個動點。

如果將同步整流管放在次級側的高端，如下圖所示，紅色的初級動點和藍色的次級動點所產生的共模電流方向是相反的。這樣就會產生共模電流相互抵消的作用，所以EMI的性能就是比較好的。

如果將同步整流管放在次級側的低端，如下圖所示，紅色的初級動點和藍色的次級動點所產生的共模電流方向是相同的。這樣就會產生共模電流相互加強的作用，所以EMI的性能就是比較差的。

雖然差異的大小因設計而異，但是通常這兩種接法在EMI的測試結果上會表現(xiàn)出3-5db的差別，這個在實際應用中可不是那么容易補得回來的，尤其在設計氮化鎵GaN電源，為了GaN產品過EMI，熬到禿頭就為個3-5db，也犯不上。

MP6908，其內部集成高壓自供電功能，無需外加輔助繞組或任何外圍元器件即可實現(xiàn)同步整流位于高端，輕松擁有優(yōu)越的EMI性能。