（文章來源：電子工程世界）

半導體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布首次采用高魯棒性、高空間利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封裝的P溝道MOSFET系列產(chǎn)品。新器件符合AEC-Q101標準，適合汽車應用，可作為DPAK MOSFET的理想替代產(chǎn)品，在保證性能的基礎(chǔ)上，將封裝占位面積減少了50%以上。 新系列產(chǎn)品在30 V至60 V工作電壓范圍內(nèi)可供選擇，導通電阻RDS(on)低至10 mΩ (30 V)。

LFPAK封裝采用銅夾片結(jié)構(gòu)，由Nexperia率先應用，已在汽車等要求嚴格的應用領(lǐng)域中使用近20年。事實證明，該封裝的可靠性遠高于AEC標準要求，超出關(guān)鍵可靠性測試指標2倍，同時獨特的封裝結(jié)構(gòu)還提高了板級可靠性。 以前只有N溝道器件才采用LFPAK封裝。現(xiàn)在，由于工業(yè)需求，Nexperia擴展了LFPAK56產(chǎn)品系列，將P溝道器件也囊括在內(nèi)。

Nexperia產(chǎn)品經(jīng)理Malte Struck評論道：“新款P溝道MOSFET面向極性反接保護；作為高邊開關(guān)，用于座位調(diào)節(jié)、天窗和車窗控制等各種汽車應用。它們也適用于5G基站等工業(yè)應用場景?！辈捎肔FPAK56封裝的P溝道MOSFET現(xiàn)已上市。
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