有人使用STM32L476芯片開發(fā)產(chǎn)品，他想在內(nèi)部FLASH空間特定位置寫些數(shù)據(jù)，發(fā)現(xiàn)總是失敗，并補(bǔ)充說(shuō)之前使用STM32F1系列、STM32L1系列卻沒有類似問題。

其實(shí)，針對(duì)STM32L4的內(nèi)部FLASH編程，跟STM32F1/L1系列是不同的，其中STM32F1的內(nèi)部FLASH編程僅支持半字編程，STM32L1的內(nèi)部FLASH編程主要支持字編程或半頁(yè)編程。而STM32L4系列的內(nèi)部FLASH編程所支持的則是64位雙字編程或以32個(gè)雙字為單位的快速行編程。

對(duì)于少量的零星數(shù)據(jù)編程自然會(huì)選擇64位雙字編程模式，即每次改寫Flash內(nèi)容必須以64位為單位。硬件還針對(duì)這64位數(shù)據(jù)做了8位的ECC，我們用戶看不到而已。下面簡(jiǎn)單介紹下64位雙字編程過(guò)程。

在基于64位雙字編程時(shí)，如果只是就字節(jié)或半字進(jìn)行編程則會(huì)產(chǎn)生錯(cuò)誤；或者盡管使用雙字編程卻沒有遵循雙字地址對(duì)齊【8字節(jié)對(duì)齊】時(shí)也會(huì)產(chǎn)生錯(cuò)誤。

這里我使用ARM MDK V2.9開發(fā)環(huán)境，借助于STM32L476_NUCELO開發(fā)板演示一下對(duì)內(nèi)部FLASH某個(gè)位置寫幾個(gè)64位數(shù)據(jù)的實(shí)現(xiàn)過(guò)程【寫之前相關(guān)區(qū)域已經(jīng)被擦除過(guò)了】。

我通過(guò)IDE將內(nèi)部FLASH最后的0x1000地址空間預(yù)留出來(lái)用于填寫些數(shù)據(jù)，即我將內(nèi)部FLASH分成2塊，將最后的0x1000的FLASH空間劃了出來(lái)。如下圖所示：【這里的芯片是STM32L476RGT6，下面只演示寫三個(gè)64位數(shù)據(jù)。】

我將特定數(shù)據(jù)區(qū)定義在內(nèi)部FLASH空間0x80ff000開始的地方。

#define Address_Const (0x80FF000)

另外還定義了一個(gè)64位地址指針和一個(gè)64位數(shù)據(jù)數(shù)組。

相關(guān)執(zhí)行參考代碼如下:

代碼是基于STM32Cube庫(kù)來(lái)組織的，連續(xù)寫了三個(gè)64位的數(shù)據(jù)到指定的FLASH空間。其中主要涉及到一個(gè)FLASH編程函數(shù)HAL_FLASH_Program(),它有三個(gè)變量，分別是編程模式，待編程的FLASH地址以及用于編程的數(shù)據(jù)。

代碼比較簡(jiǎn)單，對(duì)欲編程的地址做檢查確認(rèn)，然后進(jìn)行FLASH編程開鎖，清除可能存在的各種掛起狀態(tài)標(biāo)志，進(jìn)行雙字編程，之后對(duì)FLASH寄存器訪問進(jìn)行上鎖。

現(xiàn)在基于上面的代碼看看運(yùn)行結(jié)果：

我們可以看到在指定的FLASH地址空間寫三個(gè)64位數(shù)據(jù)。

在上面介紹64位雙字編程規(guī)則時(shí)，可能有人會(huì)問，如果我遵循了8字節(jié)地址對(duì)齊，待寫的數(shù)據(jù)也不是字節(jié)或半字，而是一個(gè)字會(huì)怎么樣呢？那你也得湊成2個(gè)字來(lái)寫，方能完成一次寫操作。

比方基于上面測(cè)試代碼，僅僅將每次待寫的數(shù)據(jù)改為32位字，最后結(jié)果便是高位字被填0了。就像下面這樣：

好，關(guān)于STM32L4系列內(nèi)部FLASH雙字編程模式就介紹到這里。整個(gè)過(guò)程應(yīng)該說(shuō)不難，只要注意到各個(gè)細(xì)節(jié)就好。

趁此再拋磚引玉似地做些提醒：STM32系列眾多，各個(gè)系列的內(nèi)部FLASH編程模式以及頁(yè)或扇區(qū)的容量規(guī)劃、地址安排往往各有差異，在FLASH編程時(shí)千萬(wàn)別跟著慣性或感覺走。還有，不同的編程模式往往對(duì)芯片的電源電壓有不同的要求，這點(diǎn)也要特別特別特別注意。