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英特爾可以趕上臺積電嗎?

lhl545545 ? 來源:EDA365 ? 作者:EDA365 ? 2020-06-09 10:09 ? 次閱讀
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英特爾宣布,打算收回他們輸給臺積電中的半導(dǎo)體工藝領(lǐng)導(dǎo)者的“皇冠”。然而,令人懷疑的是,英特爾能否與臺積電平起平坐,更不用說領(lǐng)先了。在本文中,我嘗試解讀一下。

英特爾關(guān)于制程領(lǐng)導(dǎo)者的坦誠

我要稱贊英特爾CEO鮑勃·斯旺(Bob Swan)的一件事是——人們對英特爾喪失制程領(lǐng)導(dǎo)者的事實(shí)有了新的看法。

但其實(shí)直到2017年9月的技術(shù)和制造日,英特爾仍聲稱自己在與TSMC的競爭中領(lǐng)先3年:

英特爾可以趕上臺積電嗎?

實(shí)際上,到那時(shí),英特爾的領(lǐng)先優(yōu)勢已經(jīng)幾近于無。當(dāng)時(shí)臺積電(TSMC)的10納米工藝已經(jīng)投入量產(chǎn)幾個(gè)月,制造出iPhone X中使用的蘋果A11 Bionic SOC。

英特爾在晶體管密度方面做了大量工作,稱其比制程節(jié)點(diǎn)所體現(xiàn)的更好。應(yīng)該注意的是,英特爾的晶體管密度基于英特爾提出的綜合指標(biāo)。實(shí)際密度因芯片設(shè)計(jì)而異。但是據(jù)英特爾自己的估計(jì),臺積電的10納米工藝比英特爾的14納米工藝實(shí)現(xiàn)了更高的晶體管密度:

英特爾可以趕上臺積電嗎?

我指出這一點(diǎn)是因?yàn)?,如果沒有有意義的批量生產(chǎn),那么制程優(yōu)勢的主張就不能僅僅是基于漂亮的數(shù)字。重要的是可以有有利可圖的產(chǎn)品投入生產(chǎn),而不是僅在有限或?qū)嶒?yàn)的基礎(chǔ)上才能生產(chǎn)的產(chǎn)品。這是我稍后將在本文中再次提到的重要一方面。

英特爾要等到2019年才能在其10 nm節(jié)點(diǎn)上實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。正如我在2018年初指出的那樣,到2017年底,臺積電已經(jīng)超過了英特爾領(lǐng)先的生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)14 nm 的晶體管密度。

快進(jìn)到2020年,在英特爾的統(tǒng)治下,市場已經(jīng)發(fā)生了很大變化。此時(shí),英特爾也已經(jīng)量產(chǎn)10納米產(chǎn)品,但它仍然僅適用于相對較小的移動計(jì)算芯片。與此同時(shí),臺積電自2018年年中開始為蘋果iPhone XS生產(chǎn)A12 Bionic SoC,進(jìn)入7納米工藝時(shí)代。

臺積電的7納米制程與英特爾的10納米制程具有相同的晶體管密度,每平方毫米約1億個(gè)晶體管,但這并不意味著英特爾已實(shí)現(xiàn)與臺積電的制程同步。

我這樣說有兩個(gè)原因。首先是臺積電的7納米工藝可以擴(kuò)展到更大的芯片,包括英偉達(dá)(NVDA)的大型Ampere A100,該芯片包含540億個(gè)晶體管,表面積為826平方毫米。

其次是臺積電再次采用其5納米工藝提高了標(biāo)準(zhǔn),該工藝已在9月份發(fā)布的下一版iPhone中投入量產(chǎn)。

英特爾已經(jīng)承認(rèn)自己已經(jīng)落伍了,該公司首席財(cái)務(wù)官喬治·戴維斯(George Davis)在3月的摩根士丹利(Morgan Stanley)舉辦的一次會議上對10納米制程的現(xiàn)狀相當(dāng)坦率:

“正如我們在5月19日的分析師日上所說的那樣:瞧,這不只是英特爾有史以來最好的節(jié)點(diǎn)。它的生產(chǎn)率還將低于14nm,也將低于22nm,但我們依然對看到的改進(jìn)感到很興奮,我們預(yù)計(jì)將于2021年底到來7nm會獲得更好的性能。”

關(guān)于重新獲得制程領(lǐng)先,他說:

“因此,除了CPU之外,我們還為我們的客戶帶來了很多功能,我們感覺我們已經(jīng)開始看到我們一直在談?wù)摰囊氐?nm上的工藝方面的加速。并將在5納米世代重新獲得領(lǐng)導(dǎo)地位。”

英特爾可以趕上臺積電嗎?

在英特爾于2019年5月舉辦投資者會議上,該公司首席工程官M(fèi)urthy Renduchintala列出了英特爾制造流程的路線圖:

該圖表表明,英特爾的7納米工藝的晶體管密度較之10納米工藝的晶體管密度增加一倍,與臺積電的5納米工藝持平或略微領(lǐng)先。從表面上看,戴維斯似乎證實(shí)了人們普遍對7 nm的期望,但請注意這些期望的條件如何。他們只是在談?wù)摶氐酵_競技(可能是臺積電的5納米節(jié)點(diǎn)),而7納米的開始時(shí)間似乎已經(jīng)延后2021年底。

過去的產(chǎn)能爬坡(甚至14 nm)已經(jīng)非常緩慢地開始了,最初的可用性非常有限。即使英特爾在2021年的最后期限之前完成,產(chǎn)品可用性也可能僅限于數(shù)量有限的小型移動設(shè)備。

但到2021年底,TSMC將在其5 nm節(jié)點(diǎn)上具有至少18個(gè)月的批量生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。英特爾要達(dá)到與TSMC 5納米節(jié)點(diǎn)相當(dāng)?shù)男阅芎途w管密度,才能實(shí)現(xiàn)可比的生產(chǎn)量,因此英特爾無法實(shí)現(xiàn)真正的追趕。

業(yè)界專家Scotten Jones在SemiWiki上發(fā)表的題為《TSMC是否可以保持其工藝技術(shù)領(lǐng)先地位》的最新文章討論了英特爾是否可以從TSMC手中奪回工藝領(lǐng)導(dǎo)地位。在本文中,瓊斯介紹了他對Intel,TSMC和Samsung各個(gè)節(jié)點(diǎn)的晶體管密度的分析(使用Intel方法計(jì)算)。

他證實(shí),英特爾的10納米制程可提供與競爭的7納米制程相同的晶體管密度,但不等于三星和臺積電的5納米制程。他預(yù)計(jì)英特爾的7納米工藝將比臺積電當(dāng)前的5納米工藝稍好,但不會比臺積電的3納米工藝好:

在該表中,晶體管密度以每平方毫米數(shù)百萬個(gè)晶體管表示。

瓊斯沒有提供有關(guān)英特爾5納米制程的任何計(jì)算,因?yàn)閷@種制程及其何時(shí)發(fā)布的了解還不夠。臺積電表示,它預(yù)計(jì)將于2022年下半年開始在其3 nm節(jié)點(diǎn)上開始批量生產(chǎn)。

關(guān)于英特爾的7 nm計(jì)劃,Jones指出:

“現(xiàn)在情況變得越來越模糊,英特爾的7納米制程將于2021年開始以2.0倍的縮減率開始增長。三星和臺積電都將在2021年開始3nm風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)。假設(shè)英特爾能追上他們,它們可能會短暫地具有生產(chǎn)密度優(yōu)勢,但是英特爾的14nm和10nm工藝都已經(jīng)晚了幾年。隨著COVID-19普遍影響整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè),尤其是美國,所以Intel在2021年的時(shí)間線完成這件事的可能性不高?!?/p>

瓊斯在文章中總結(jié)道:

“臺積電今年以其5納米工藝在工藝密度方面領(lǐng)先。未來則取決于Intel 7納米制程與臺積電3納米制程的確切時(shí)間,英特爾可能會暫時(shí)重新獲得制程密度的領(lǐng)先優(yōu)勢,但臺積電將通過其3納米制程快速通過它們,屆時(shí)他們每平方毫米超過3億個(gè)晶體管!”

總結(jié)

我很希望看到英特爾以摩爾定律的步伐重回正軌。英特爾與代工廠商之間重新展開競爭對消費(fèi)者和整個(gè)行業(yè)來說都將是一個(gè)巨大的進(jìn)步。英特爾在其14納米制程上似乎無休止的迭代已成為PC技術(shù)評論家中的一個(gè)惡作劇。

但我認(rèn)為,就晶體管密度和進(jìn)度而言,有關(guān)英特爾7納米制程的假設(shè)非常站不住腳。我不相信英特爾將能夠?qū)崿F(xiàn)其7納米的目標(biāo),盡管它可能會試圖聲稱自己已經(jīng)通過在2021年后期生產(chǎn)有限數(shù)量的7納米芯片來宣稱可以達(dá)到“同等水平”。。但這樣的主張幾乎毫無意義。

在給定節(jié)點(diǎn)上以實(shí)驗(yàn)方式生產(chǎn)有限數(shù)量的芯片是一回事,而在該節(jié)點(diǎn)上以盈利方式生產(chǎn)大量芯片則是另一回事。英特爾的發(fā)展道路上將遇到許多障礙,其中最重要的一點(diǎn)是相對缺乏EUV光刻的生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn),英特爾必須將其用于7納米工藝。

相比之下,臺積電將擁有超過2年的EUV生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn),以及超過18個(gè)月的5納米廣泛使用EUV的生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。最重要的是,這確立了臺積電領(lǐng)先于英特爾的領(lǐng)先地位。假設(shè)英特爾按計(jì)劃在2021年底啟動7 nm。

我的評估是,即使是短暫的,Intel甚至以其7納米節(jié)點(diǎn)趕上臺積電的機(jī)會也很小。而且,正如瓊斯指出的那樣,即使發(fā)生這種情況也不會持續(xù)很長時(shí)間,因?yàn)榕_積電將迅速發(fā)展到3納米。

正如戴維斯(Davis)提到的那樣,要重新獲得5納米節(jié)點(diǎn)的工藝領(lǐng)導(dǎo)地位,這當(dāng)然不是不可能的,但我也不認(rèn)為大家應(yīng)該押注于此。即使英特爾設(shè)法重回摩爾定律的步伐,它仍將追趕臺積電的3納米制程。

我認(rèn)為英特爾更有可能實(shí)現(xiàn)其5納米制程(與臺積電的3納米制程相比)的工藝追趕。對于業(yè)界來說,這并不是一件壞事,但我認(rèn)為這是英特爾可以期望的最好的結(jié)果。

我本著盡職調(diào)查的精神和安迪·格羅夫(Andy Grove)著名的格言:“只有偏執(zhí)狂才能生存”著手進(jìn)行這篇評論。我認(rèn)為這是與競爭態(tài)勢保持同步的重要角色之一。我當(dāng)然希望英特爾更具競爭力,但是我不擔(dān)心英特爾在工藝技術(shù)方面會超越臺積電。
責(zé)任編輯:pj

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