在存儲大好的年代，力晶跟銀行借了很多錢，風光蓋廠，為了維持技術的領先，花大錢買機臺，跟著投入先進制程的研發，可惜無法維持太久。

2008 年一場金融海嘯，一度讓多家記憶體廠陷入危機，力晶也是其中之一。當時，力晶曾向銀行申請紓困 466 億元，總負債一度高達 755 億元，負債比率達到八成。

2012 年 12 月，力晶在股市上的凈值轉為負數，負債高達 1，100 億元，被迫下柜。當日，力晶的收盤價只剩下 0.29 元，可以說是股東們最痛苦的一天。

下柜后的力晶全力轉型，毅然決然從老本行 DRAM 轉型為晶圓代工廠，力晶自 2013 年營運轉虧為盈以來，到 2017 年的這 5 年當中，順利繳出亮眼的成績單。這幾年來，力晶每年獲利都超過百億元，迅速還清千億元的債務，去年每股凈值也重返新臺幣 10 元大關，甚至有能力開始對股東配發股利，迎向重生之路。

回顧力晶“前生”

力晶是記憶體業大起大落最戲劇性的案例之一。梳理一下力晶這一段戲劇性之路。

力晶于 1994 年十二月創立于新竹科學園區，早期專注于動態隨機存取存儲之生產，逐步擴及及晶圓代工及 Flash 生產，并以大陸終端客戶為主要營收來源。

公司在生產動態隨機存取存儲制程技術以三菱電機既有的技術為基礎，與日本的 DRAM 大廠 Elpida 締結策略聯盟，共同研發尖端 DRAM 技術。公司也和 Renesas 等國際大廠合作，開發生產高容量快閃存儲（Data Flash），以期成為國內最大之全方位存儲公司。

在邏輯代工制程技術方面，自日本三菱公司引進 0.25 微米／0.18 微米／0.15 微米邏輯代工制程技術，并建立相關制程的設計資料庫及 IP，以及開發 Mixed-mode 、CIS 等產品，以協助客戶順利量產新世代產品。

代工業務主要為轉投資的 8 寸廠巨晶電子。公司成立初始即鎖定日本三菱為策略合作伙伴，不斷引進日方技術提升制程能力，已成為國內最大動態隨機存取存儲廠商。

力晶 2008 年第二季將產能全數轉換為 70nm 制程，65nm 制程于第三季進入量產。

2009 年主流制程為 65 納米制程，雖持續進行制程微縮，但在 2010 年，仍無法負擔制程轉換的成本，因此生產成本與競爭對手差距仍大。

2010 年 4 月，力晶宣布減資 38%，以彌補累積虧損。2010 年 H2 全部轉進 63 納米，每片產出增加 25%；2010 年 Q4 導入 45 納米，2011 年 H1 量產出貨，資金投入約 120-150 億元。

因爾必達與瑞晶 45 納米制程順利，提前采購 45 納米機臺，而調升 2010 年資本支出，資本支出從原先的 127 億元提升至 174.88 億元，增幅達 37％，其中 45 納米設備占 100 億元以上，2011 年到位的浸潤式機臺也從 2 臺提升到 4-5 臺。

2011 年 1 月，2Gb DDR3 DRAM 40 納米制程投片量產，預計年中全數轉進 40 納米，于下半年 100%轉進，并計劃于第四季投入 30 納米技術。公司自力研發的 40 納米快閃存儲也開始出貨，以手機用低電壓 NAND Flash 領域為主。公司接獲任天堂的 3DS 利基型存儲代工訂單。

同年 4 月，力晶與 Elpida 達成的 DRAM 產銷新協議，使公司的專利授權、技轉費用降低，并無償取得 Mobile DRAM 技術及銷售權，結合自行開發的 NAND 快閃存儲技術，將針對高速成長的行動應用（Mobile Applications）新市場，提供完整的存儲產品組合。

力晶積極轉型為晶圓代工廠，以及加重行動型存儲、快閃存儲及代工業務營收，降低標準 DRAM。截至 2011 年，產品比重方面，晶圓代工占 60%、DRAM 占 30%、Nand Flash 占 10%。晶圓代工領域包括 LCD 驅動 IC、CMOS Sensor、類比 IC、電源管理 IC。

自 2012 年起，NAND Flash 的投片量將正式超越 DRAM，且 DRAM 投片產能將永遠性的降低至 20%以下。

DRAM 制程方面，2012 年將全部由 40 納米轉換至 30 納米，且均生產 4G 產品。

產能配置方面，至 2012 年 1 月晶圓代工每月投片量拉升至 6 萬片，標準型 DRAM 投片約 2 萬片，Nand Flash 約 6000 千片。

2012 年遭逢 DRAM 價格崩跌沖擊，力晶也在 2012 年 12 月 11 日下柜，當日股價只剩 0.29 元，凈值變成負數投資人手上持股化為“壁紙”，遙想 2000 年一度高達八十元的股價，力晶投資人此次幾乎是干洗出場。

為替力晶留存一條生路，力晶集團執行長黃崇仁除與債權銀行協商展延償債，也毅然將公司轉型為代工驅動 IC、電源管理 IC 與利基型記憶體等產品。

2013 年 4 月，力晶 P3 廠月產能約 2 萬片 12 寸廠設備及生產線由金士頓標下，并由力晶代工。

2014 年 6 月，轉投資 LCD 驅動 IC 廠瑞力被 Synaptics 并購，力晶出售所有持股后，預期獲利約 36 億元，且與 Synaptics 達成協議維持合作關系，Synaptics 在整合 LCD 驅動 IC 及觸控 IC 的單芯片，將交由力晶生產。

2015 年，力晶申請通過與安徽合肥市政府合資成立合肥晶合集成電路公司（簡稱晶合集成），以總投資額約人民幣 135.3 億元興建 12 寸晶圓廠，計劃切入 LCD 驅動 IC 生產代工。一期廠房正式動土不到兩年就完工進行試產，今年第二季進入量產，月產能規模約為 1 萬片，并按計劃逐步增加，目標 2019 年達每月 4 萬片產能規模。

力晶方面表示，在先進國家建廠一般需耗時兩年半到三年，晶合從動土興建到完工生產只花了一年半，實屬不易，也是力晶與合肥市政府雙方努力合作的成果。而晶合廠一旦投片完成也不會有所耽擱，因為馬上就有力晶臺灣廠轉移來的面板驅動 IC 訂單可做。

藉由轉型，力晶從 2013 年起連續幾年獲利百億元，已償還上千億元債務，擺脫紓困窘境，到 2015 年底每股凈值提高到 10.12 元，回到十元以上的票面值。這主要是因為當時他看到中國半導體崛起的商機，瞄準合肥為中國面板大廠京東方生產制造重鎮，有助取得 LCD 驅動 IC 訂單。

展望力晶“來世”

過去雖然有很多 DRAM 大廠倒閉，但也因這些廠退出，每個月少了 10 幾萬片的產能，近五年多來，未見有新 DRAM 廠投資，即使最近三星宣布新的資本支出，也未提及在 DRAM 的擴充。力晶目前也是少數能為客戶提供設計能力的專業記憶體代工廠。

對于力晶的未來，黃崇仁強調，DRAM 先進制程目前遭遇摩爾定律的極限，且新廠投資極為昂貴，但需求端已全靠個人電腦支撐，市場快速分散至智慧型手機、伺服器、網通和各項消費型電子。近期全球興起全面布建 5G，以及 AI 人工智慧和擴增實境（AR）和虛擬實境（VR）和物聯網的應用，讓 DRAM 和 NAND Flash 應用更多元化，都將推升 DRAM 產業進入另一新的里程碑。

黃崇仁強調，雖然中國大陸想積極切入 DRAM 制程，但只要三大廠包括三星、SK 海力士和美光不移轉技術，中國大陸自行開發成功，路途難困。這也給臺灣 DRAM 廠包括力晶等很大的機會。力晶在還清積欠銀行團貸款后，已積極規劃重新上市。目前準備先買回原本被銀行拍賣給金士頓的力晶 P3 廠 2 萬片生產 DRAM 設備，交易金額暫不便透露。

在合肥建廠后，力晶又宣布擴大在臺投資，要砸 2780 億元在竹科銅鑼基地興建 2 座 12 寸晶圓廠，2020 年動工，預計第一期 2022 年投產 1.5 萬片，四期完成預計是 2030 年，屆時銅鑼廠總產能將達 10 萬片，至此力晶也躍居臺灣晶圓代工廠第三雄。

力晶集團旗下兩岸晶圓廠分工藍圖浮現，規劃斥資近 3，000 億元興建的 12 英寸新廠，將集中生產高壓制程金屬氧化物場效應晶體管（MOSFET）、圖像傳感器（CIS）和基因定序檢測芯片；現有竹科的產能則集中火力發展 AI、物聯網和網通所需利基型內存；LCD 驅動 IC 則逐步轉往大陸合肥。

在力晶分工藍圖浮現的背后，戲劇性的故事看似走上了正軌，但面臨晶圓代工行業巨頭割據的現狀，力晶的未來又被蒙上了一層霧紗，歷史的車輪滾滾向前，見證著力晶的輝煌、衰敗、轉型、成長以及未來的明朗和撲朔迷離 ……
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