碳化硅功率器件以其優異的高耐壓、低損耗、高導熱率等優異性能，被普遍認為是替代硅基功率器件最理想的新型半導體器件。在即將于2020 年 7 月 3- 5 日在國家會展中心（上海）召開的2020慕尼黑上海電子展上，富士通就為現場觀眾帶來多款SiC產品及解決方案。

由于材料限制，傳統硅基功率器件在許多方面已逼近甚至達到了其材料的本征極限，如電壓阻斷能力、正向導通壓降、器件開關速度等，尤其在高頻和高功率領域更顯示出其局限性。而相比硅，碳化硅在用電效率上能提升兩到三個百分點，可靠性更高，而且器件的體積重量更小，在無線通信、汽車電子、電網、高鐵、衛星通信、軍工雷達、航空航天等領域應用中具備硅基無法比擬的優勢。

泰科天潤半導體科技(北京)有限公司（簡稱：GPT）是中國碳化硅(SIC) 功率器件產業化的倡導者之一，國內首家第三代半導體材料碳化硅器件制造與應用解決方案提供商，生產碳化硅裸芯片（常規和雙面銀），碳化硅二極管，碳化硅MOS管，碳化硅橋堆等。

Ta=215℃的7000V1A和9000V1A SiC方案的線圈體積重量更小二極管模組

用于機車牽引混合模塊的3300V50A芯片

其生產的碳化硅肖特基二極管目前主要分為650V/1200V/1700V/3300V四個電壓等級，其中有針對普通應用場合的650V/1200V電壓等級產品，以及針對于高壓應用領域的1700V/3300V電壓等級產品。

泰科天潤產品封裝表

目前泰科天潤650V/1200V電壓等級的產品已經廣泛應用于光伏、通信、電動汽車等應用領域，此外公司的高電壓的1700V/3300V電壓等級產品也同樣成熟，1700V碳化硅肖特基二極管產品型號齊全，也是同行中極少數可以批量供貨3300V碳化硅產品的功率半導體器件廠商。