全新RE01在EEMBC ULPMark-CP基準測試認證中獲得705分瑞薩電子集團今日宣布，擴展其超低功耗嵌入式控制器RE產品家族，推出采用瑞薩突破性的SOTBTM（Silicon on Thin Buried Oxide 薄氧化埋層覆硅）制程工藝、基于Arm Cortex-M0+內核構建的新品。該RE01群最新成員搭載256KB閃存，區別于已量產、集成了1.5MB閃存的現有產品。該全新控制器具備最小3.16mm×2.88mm WLBGA封裝尺寸，且針對用于傳感器控制的更緊湊的物聯網設備的產品設計進行了優化，適用于智能家居、智能樓宇、環境感測、（建筑物/橋梁）結構監測、跟蹤器和可穿戴設備等應用。新款嵌入式控制器在EEMBC ULPMarkTM-CoreProfile（CP）認證中獲得705分，充分驗證了其領先能源效率 （注1）。憑借瑞薩獨有的SOTB制程工藝，可極大降低運行及待機電流消耗，才能取得如此高評分。瑞薩電子高級副總裁、物聯網及基礎設施事業本部SoC事業部負責人新田啟人表示：“我們對RE家族產品的超低功耗獲得官方認證感到非常榮幸，并希望以此推動RE產品家族得到更廣泛的應用，延長嵌入式設備的電池壽命，并減輕更多客戶在電池維護方面的負擔。”該新產品的電流消耗在工作狀態下可低至25μA/MHz，待機狀態下可低至400 nA，其超低功耗在全球處于領先地位。用戶可通過瑞薩超低Iq ISL9123作為外部降壓穩壓器，將工作電流消耗進一步降低至12μA/MHz。RE具有超低功耗，可顯著延長嵌入式設備的電池壽命。它們還適用于需要多個傳感器的實時數據處理應用，即使由低電流緊湊型電池或能量采集設備供電也能高速運行。當前市場上具有1.5 MB閃存的RE MCU適合需要大存儲容量的應用，例如圖像數據處理或無線更新固件等。而全新RE01產品群非常適合緊湊型設備和用于傳感器控制的物聯網設備。全新RE01產品群R7F0E01182xxx的關鍵特性：

Arm Cortex-M0+ 內核，最大工作頻率64MHz

256KB閃存和128KB SRAM

工作電流：25μA/MHz（使用片上LDO時），12μA/MHz（使用外部DC/DC轉換器時）

軟件待機狀態消耗電流：400nA

工作電壓范圍：1.62V ~ 3.6V；從1.62V開始，最高可達64MHz高速運行

封裝規格：約3mmx3mm 72引腳WLBGA、7mmx7mm 56引腳QFN、14mmx14mm 100引腳和10mmx10mm 64引腳LQFP

片上能量采集控制電路（快速啟動電容器充電、二次電池充電保護功能）

約4μA超低功耗和14位A/D轉換器

支持閃存編程，功耗約為0.6mA

使用TSIP內核的強大安全功能

深度待機模式下，實時時鐘可持續工作，1.8V供電時消耗電流為380nA。

RE產品家族開發環境

EK-RE01 256KB評估套件可與用戶系統結合使用，以評估包括能量采集系統在內的所有外圍功能。該套件中的評估板包括ISL9123超低Iq DC/DC轉換器，它能夠測量12μA/MHz的極低工作電流。除了能量采集系統所需的能量采集元件接口和二次電池連接接口外，評估板還配備了可輕松擴展和評估傳感器板的Arduino兼容接口，以及可輕松擴展并評估無線功能的PmodTM連接器。兼容的開發工具包括支持IAR C/C++編譯器的IAR Embedded Workbench for Arm和支持GNU編譯器的e2 studio，兩款工具均可免費獲得。此外，還提供支持Arm Cortex微控制器軟件接口標準（CMSIS）的驅動程序軟件，同時也可支持用于無法承受由驅動程序軟件運行導致功率損耗的低功耗應用的低級示例代碼。瑞薩電子致力于擴展基于SOTB工藝的RE產品家族陣容、支持低功耗系統的開發，進而推動實現環保型智能社會。
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