英特爾宣布混合結合封裝技術，可替代“熱壓結合”
在Intel的六大技術支柱中，封裝技術和制程工藝并列，是基礎中的基礎，這兩年Intel也不斷展示自己的各種先進封裝技術，包括Foveros、Co-EMIB、ODI、MDIO等等。
今天，Intel又宣布了全新的“混合結合”（Hybrid Bonding），可取代當今大多數封裝技術中使用的“熱壓結合”（thermocompression bonding）。
據介紹，混合結合技術能夠加速實現10微米及以下的凸點間距（Pitch），提供更高的互連密度、更小更簡單的電路、更大的帶寬、更低的電容、更低的功耗（每比特不到0.05皮焦耳）。
Intel目前的3D Foveros立體封裝技術，可以實現50微米左右的凸點間距，每平方毫米集成大約400個凸點，而應用新的混合結合技術，不但凸點間距能縮小到1/5，每平方毫米的凸點數量也能超過1萬，增加足足25倍。
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