國家存儲器基地成功研制出了全球首款128層QLC三維閃存芯片
近日，國家存儲器基地項目二期在武漢東湖高新區開工，據悉，國家存儲器基地的項目是由紫光集團、國家集成電路基金、湖北省科投集團和湖北省集成電路基金共同投資建設，這項目計劃分兩期建設3D?NAND閃存芯片工廠。
據了解，國家存儲器基地項目一期于2016年底開工建設，目前，32層、64層存儲芯片產品已經實現了穩定的量產，并且成功研制出了全球首款128層QLC三維閃存芯片。
該項目中計分兩期建設3D?NAND閃存芯片工廠，總投資額達到240億美元。
這在之中，國家存儲器基地項目一期主要將會實現技術頭破，并且建成10萬片/月產能，二期則規劃了20萬片/月的產能，在兩期同時穩定量產之后，國家存儲器基地項目月產能將會超過30萬片/月。
存儲器是信息系統的基礎核心芯片，它能代表集成電路產業規模經濟效益和現金的制造工藝，在近年來，內存、SSD、顯卡價格數次上漲，此次，國家存儲器基地項目二期，將會有效的降低國內半導體產品的成本同時，并促進國內半導體進一步的發展。
責任編輯:pj
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
集成電路
+關注
關注
5388文章
11556瀏覽量
361974 -
半導體
+關注
關注
334文章
27421瀏覽量
219172 -
存儲器
+關注
關注
38文章
7494瀏覽量
163899
發布評論請先 登錄
相關推薦
【半導體存儲】關于NAND Flash的一些小知識
的存儲芯片，同時也給大家推薦該品牌的相關產品。
一、定義
存儲芯片根據斷電后是否保留存儲的信息可分為易失性存儲芯片（RAM）和非易失性存儲芯
發表于 12-17 17:34
我國科學家研制出具有仿生三維架構的新型電子皮膚系統
清華大學航天航空學院、柔性電子技術實驗室張一慧教授課題組在國際上首次研制出具有仿生三維架構的新型電子皮膚系統，可在物理層面實現對壓力、摩擦力和應變三種力學信號的同步解碼和感知，對壓力位置的感知分辨率
新存科技發布國產大容量3D存儲器芯片NM101
近日，武漢光谷企業新存科技（武漢）有限責任公司（簡稱“新存科技”）宣布，其自主研發的國產最大容量新型三維存儲器芯片“NM101”已成功面世。這一創新成果有望打破國際巨頭在
三維打印技術原理
三維打印技術，又稱3D打印技術，是一種快速成型技術，其核心原理在于將數字模型文件逐層轉化為實體物體。以下是三維打印技術原理的詳細闡述：
國內首款自主研發28nm顯示芯片量產
近日，國內半導體行業迎來重要里程碑，北京顯芯科技有限公司成功實現全球首款28納米內嵌RRAM（阻變存儲器）畫質調節
單顆256GB，單一封裝達4TB容量，鎧俠第八代BiCS FLASH 2Tb QLC開始送樣
電子發燒友網報道（文/黃晶晶）日前，鎧俠宣布，其采用第八代BiCS FLASH 3D閃存技術的2Tb四級單元 (QLC) 存儲器已開始送樣。這款2Tb QLC
鎧俠推出業界首款2Tb QLC存儲器，引領存儲技術新紀元
在存儲技術日新月異的今天，鎧俠株式會社再次以卓越的創新實力震撼業界，正式宣布其采用第八代BiCS FLASH? 3D閃存技術的2Tb四級單元（QLC）存儲器開始送樣。這一里程碑式的成就
西部數據推出2TB QLC NAND閃存芯片,重塑數據存儲新紀元
在當今這個數據爆炸的時代，存儲技術的每一次革新都牽動著整個科技行業的神經。近日，西部數據在投資者活動上揭開了一項令人矚目的技術突破——業界最高密度的2TB QLC NAND閃存芯片，這
清華大學研發新型仿生三維電子皮膚系統
在科技日新月異的今天，清華大學再次引領了科研的潮流。6月5日，從清華大學傳來喜訊，該校航天航空學院與柔性電子技術實驗室的張一慧教授團隊，成功研制出了一款具有仿生三維架構的新型電子皮膚系
美光232層QLC NAND現已量產
美光科技近日宣布了重大技術突破，其先進的232層QLC NAND閃存已成功實現量產，并已部分應用于Crucial英睿達固態硬盤（SSD）中。此外，美光還推
美光232層QLC NAND芯片已量產并出貨，推出SSD新品
美光科技近期宣布，其創新的232層QLC NAND芯片已成功實現量產并已開始出貨。這一里程碑式的成就標志著美光在NAND技術領域再次取得了顯著進步，鞏固了其在
泰來三維|文物三維掃描，文物三維模型怎樣制作
文物三維掃描，文物三維模型怎樣制作：我們都知道文物是不可再生的，要繼續保存傳承，需要文物三維數字化保護，所以三維數字化文物保護是非常重要的一個技術手段。
那么文物
工商網監
評論