三星電子和SK Hynix希望開始半導體制造工藝的新時代。 其中，三星電子計劃量產業界首批采用3納米環繞式棧極（gate-all-around，簡稱GAA）工藝制造的尖端芯片；SK海力士則正準備生產基于極紫外光刻 （EUV）技術的DRAM。

GAA和EUV DRAM是核心技術，將分別領導全球系統半導體（晶圓廠）和DRAM市場。一旦它們成功實現了GAA和EUV DRAM的商業化，韓國與其他國家之間的差距以及韓國半導體產業的地位將進一步擴大和提高。

三星電子和SK Hynix在“電子周刊”主辦的“技術周2020 LIVE”的第一天宣布了關于這些下一代半導體技術的戰略。

三星電子宣布，計劃通過獲得IBM和NVIDIA的下一代CPU和GPU訂單，在全球晶圓代工市場中占有一席之地，以其GAA技術開拓下一代市場。

“我們相信我們的GAA技術是世界上最先進的。” 三星晶圓代工廠執行董事姜文說。“我們計劃基于我們的GAA技術批量生產業界首批半導體。”

GAA技術比目前最常用于半導體制造工藝的FinFET技術先進。與FinFET技術如何將柵極放置在通道的三個側面上不同，GAA技術覆蓋了通道的所有四個側面并更精確地控制電流，被視為實現高性能半導體和小于3nm的半導體的合適技術。

三星電子和臺積電是唯一開始開發GAA流程的公司。因此，如果三星電子能夠比臺積電更早地批量生產基于GAA技術的半導體，那么它將有機會抓住在全球晶圓代工市場落后甚至超越臺積電的機會。據悉，三星電子在GAA技術和商業化方面已取得了重大進展，因為它有信心將成為業內第一家基于GAA技術大規模生產半導體的公司。

SK Hynix即將批量生產基于EUV工藝的下一代DRAM。“我們計劃從第四代10nm（1a）DRAM開始應用EUV工藝。” 負責SK海力士未來技術研究所的林昌文說。“我們希望在明年初開始批量生產。”

EUV是一種具有13.5納米短波長的光源。與其他光源相比，其波長短十倍。這表明EUV能夠在半導體晶圓上創建更精細，更詳細的圖案。同樣，它能夠減少工藝數量，而其他光源需要多次光刻工藝以實現微電路。較少的過程導致簡化的半導體制造過程，從而大大提高了生產率。

三星電子，SK Hynix和美光約占全球DRAM市場的94％，而三星電子和SK Hynix約占74％。盡管由于這三家公司的寡頭壟斷而建立了市場，但美光尚未將EUV流程引入其產品，從而導致了市場的寡頭結構發生了變化，而這種變化似乎并沒有改變。由于三星電子還希望通過自己的EUV DRAM技術來與眾不同，因此韓國的存儲器半導體市場再次面臨著飛躍的機會。

EUV DRAM對于縮小韓國半導體公司與積極追逐韓國公司的中國半導體公司之間的差距特別有用。“盡管韓國半導體公司希望基于EUV工藝批量生產1a產品，但中國公司去年只能批量生產第一代10nm（1x）DRAM，而今年僅能夠基于第二代10nm（1y）DRAM。EUV流程。” 韓國進出口銀行對外經濟研究所說。“由于EUV設備的昂貴成本和有限的供應能力，韓國公司很有可能將自己與中國公司分開。”
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