半導體三極管又稱“晶體三極管”或“晶體管”。在半導體鍺或硅的單晶上制備兩個能彼此影響的PN結，構成一個PNP（或NPN）構造。基地的N區（或P區）叫基區，兩頭的區域叫發射區和集電區，這三有些各有一條電極引線，別離叫基極B、發射極E和集電極C，是能起拓寬、振蕩或開關等效果的半導體電子器材。

三極管可當作為有兩個背靠背的PN結，三極管的種類很多，按極性紛歧樣可分為PNP型和NPN型管；按資料紛歧樣可分為鍺管、硅管和化合物管；按技術紛歧樣可分為合金管、渙散管、臺面管、平面管和外延管；按工作原理紛歧樣可分為結型管、場效應管等；按拓寬和開關功用的紛歧樣，還可分為小功率或大功率管、低頻或高頻管和中、高速開關管等。如圖二所示為多見的 NPN三極管構造、符號、塑封管外形及引腳擺放。 三極管在電路中首要起電流拓寬效果和開關效果。

圖二 三極管構造及符號

三極管的工作原理

晶體三極管（以下簡稱三極管）按資料分有兩種：鍺管和硅管。而每一種又有NPN和PNP兩種構造辦法，但運用最多的是硅NPN和鍺PNP兩種三極管，（其間，N標明在高純度硅中參加磷，是指代替一些硅原子，在電壓影響下發作悠閑電子導電，而p是參加硼代替硅，發作很多空穴利于導電）。兩者除了電源極性紛歧樣外，其工作原理都是相同的，下面僅介紹NPN硅管的電流拓寬原理。 對于NPN管，它是由2塊N型半導體基地夾著一塊P型半導體所構成，發射區與基區之間構成的PN結稱為發射結，而集電區與基區構成的PN結稱為集電結，三條引線別離稱為發射極e、基極b和集電極c。

當b點電位高于e點電位零點幾伏時，發射結處于正偏情況，而C點電位高于b點電位幾伏時，集電結處于反偏情況，集電極電源Ec要高于基極電源Ebo。 在制作三極管時，有知道地使發射區的大都載流子濃度大于基區的，一同基區做得很薄，并且，要嚴峻操控雜質含量，這么，一旦接通電源后，因為發射結正偏，發射區的大都載流子（電子）及基區的大都載流子（空穴）很簡略地跳過發射結彼此向對方渙散，但因前者的濃度基大于后者，所以經過發射結的電流根柢上是電子流，這股電子流稱為發射極電流了。

因為基區很薄，加上集電結的反偏，寫入基區的電子大有些跳過集電結進入集電區而構成集電集電流 Ic，只剩余很少（1-十%）的電子在基區的空穴進行復合，被復合掉的基區空穴由基極電源Eb從頭補給，然后構成了基極電流Ibo.依據電流連續性原理得： Ie=Ib+Ic 這即是說，在基極抵償一個很小的Ib，就能夠在集電極上得到一個較大的Ic，這即是所謂電流拓寬效果，Ic與Ib是堅持必定的比例聯絡，即： β1=Ic/Ib 式中：β1--稱為直流拓寬倍數， 集電極電流的改動量△Ic與基極電流的改動量△Ib之比為： β= △Ic/△Ib 式中β--稱為溝通電流拓寬倍數，因為低頻時β1和β的數值相差不大，所以有時為了便當起見，對兩者不作嚴峻區別，β值約為幾十至一百多。

三極管是一種電流拓寬器材，但在實習運用中常常運用三極管的電流拓寬效果，經過電阻改動為電壓拓寬效果。