對(duì)于硬件工程師來(lái)說(shuō)電子元器件失效是非常麻煩的事情，比如某個(gè)半導(dǎo)體器件外表完好但實(shí)際上已經(jīng)半失效或者完全失效會(huì)在硬件電路調(diào)試上面花費(fèi)大把的時(shí)間，有時(shí)甚至炸機(jī)。所以掌握各類(lèi)電子元器件的實(shí)效機(jī)理與特性是硬件工程師必不可少的知識(shí)。電感定義：電感是導(dǎo)線(xiàn)內(nèi)通過(guò)交流電流時(shí)，在導(dǎo)線(xiàn)的內(nèi)部及其周?chē)a(chǎn)生交變磁通，導(dǎo)線(xiàn)的磁通量與產(chǎn)生此磁通量的電流成之比。

電感分類(lèi)：按照大類(lèi)分，電感可以分為功率電感，芯片電感和軸向電感。而功率電感又分為傳統(tǒng)環(huán)形，組合型，一體成型喝薄型工字型。功率電感有著以下的特點(diǎn)：1.功率電感以臺(tái)系廠(chǎng)商為主流，在耐大電流和Low Profile電感部分日美企業(yè)技術(shù)領(lǐng)先，主要為磁芯材料研究差異。2.因人力成本，環(huán)形電感會(huì)逐漸被取代。3.產(chǎn)品結(jié)構(gòu)演進(jìn)主要為了滿(mǎn)足處理器功耗，增大同時(shí)要求組件功耗降低的需求。4.主要材料為鐵粉芯和鐵氧體鎳鋅系為主。芯片電感分為迭層型，繞線(xiàn)型和薄膜型; 芯片電感又有著以下特點(diǎn)：1.迭層型臺(tái)系引進(jìn)的較早，技術(shù)成熟，目前為主流。2.繞線(xiàn)型因需高精密度繞線(xiàn)機(jī)投資，所以規(guī)模效應(yīng)主要集中在日美企業(yè)，臺(tái)系產(chǎn)能相對(duì)較小。3.薄膜型臺(tái)系目前出于引進(jìn)研究階段，產(chǎn)能較小；軸向電感分為色環(huán)電感，主要在家電產(chǎn)品中使用。

常見(jiàn)失效模式：常見(jiàn)的失效模式主要分以下幾個(gè)方面考慮：1.設(shè)計(jì)/結(jié)構(gòu)2.原材料3.制程4.電性特性5.焊錫不良。設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)方面的現(xiàn)象一般有飽和/溫升特性差、繞線(xiàn)繞線(xiàn)短路或鐵芯絕緣性差、鐵芯裂紋、引腳尺寸偏差過(guò)大等原因，對(duì)此改善和應(yīng)對(duì)的措施主要為選擇的電感額定電流必須要高于電路中最大電流1.5倍，外觀(guān)尺寸檢驗(yàn)，絕緣耐壓測(cè)試 。原材料方面的現(xiàn)象一般有鐵芯磁導(dǎo)率較低，溫度特性差、銅線(xiàn)耐溫等級(jí)不夠、磁芯強(qiáng)度差、Base電鍍不良等， 對(duì)此改善和應(yīng)對(duì)的措施為鐵芯和銅線(xiàn)材料特性資料，電性、可焊性測(cè)試報(bào)告。制程方面的現(xiàn)象為鐵芯或漆包線(xiàn)破損、鐵芯脫落、焊錫不良、印字殘缺模糊等 ，對(duì)此改善和應(yīng)對(duì)的措施為加強(qiáng)防護(hù)和巡檢， 改善制程/治具 。電性特性的現(xiàn)象為L(zhǎng)，DCR，Idc，Isat，Q，SRF out of Spec. 對(duì)此改善和應(yīng)對(duì)的措施主要為100%電性測(cè)試/定時(shí)抽檢。焊錫不良的現(xiàn)象為Pad氧化/電鍍Sn層偏低、端面磨損/異物附著、產(chǎn)品底部平整度不佳/底部料片偏移等，對(duì)此改善和應(yīng)對(duì)的措施為原材料廠(chǎng)商提供電鍍報(bào)告，可焊性測(cè)試驗(yàn)證。

失效分析步驟：

（1） ICT/FCT測(cè)試中常見(jiàn)異常分析---OPEN/SHORT：

與原物料相關(guān)------ 產(chǎn)品特性不良（RDC偏大/IDC偏小）；線(xiàn)圈有線(xiàn)傷；

與制程應(yīng)用相關(guān)------ 測(cè)試時(shí)開(kāi)機(jī)瞬間電流過(guò)大/電壓不穩(wěn)；產(chǎn)品應(yīng)用不匹

（2）。問(wèn)題分析流程

不良品外觀(guān)檢查確認(rèn)（非破壞）

2. 不良品/良品電氣特性比對(duì)確認(rèn)（非破壞）

經(jīng)過(guò)電氣測(cè)試確認(rèn)：

2pcs不良品電感值都小于規(guī)格要求的33uH±20%的范圍，DCR明顯小于規(guī)格值0.35（Ω） max.基本判斷不良品為Short Fail。

（3）。不良品進(jìn)一步Wire拆解分析（破壞）

（4）。 Core驗(yàn)證分析（破壞）

Core外觀(guān)檢查OK，不良品與庫(kù)存新品拆解進(jìn)行對(duì)比分析

將拆解后的庫(kù)存新品的Wire 繞制上在不良品之Core 上，感值恢復(fù)為29.8uH；

將拆解后的不良品的Wire 繞制上在庫(kù)存新品之Core 上，感值為17.1uH，同樣出現(xiàn)感值偏低現(xiàn)象。

因此初步排除Core 不良之原因，不良的問(wèn)題點(diǎn)是出現(xiàn)在Wire方面。

經(jīng)典案例分享：

1 。芯片電感

機(jī)械/外力異常分析---本體Crac k裂痕或破損：

2 。功率電感

電氣異常分析---內(nèi)電極熔化Crack裂痕開(kāi)路：

電氣異常分析---繞線(xiàn)熔化燒焦致開(kāi)路或?qū)娱g短路：

總結(jié)：

（1）熟知零件的組成結(jié)構(gòu)，材料，制程和特性

（2）FA一般流程

第一步：弄清零件異常的背景：

例如：不良率，異常現(xiàn)象，零件Date Code， 發(fā)生不良的流程，PCB上 發(fā)生異常的位置，終端產(chǎn)品及客戶(hù)等

第二步：無(wú)損檢查

外觀(guān)檢查（六面顯微境下觀(guān)察：變形、破損、變色、異物、開(kāi)/短路、燒融等）；以上若無(wú)法斷定，可以找良品或其他家的零件與其比對(duì)檢查

X-Ray 分析/SAM超聲波掃描： 檢查零件內(nèi)部有無(wú)明顯異常（開(kāi)/短路，分層，內(nèi)部有空洞/汽泡等）

SEM EDS成份分析---若外觀(guān)發(fā)現(xiàn)有異物

第三步：電性檢查

能從基本電性來(lái)初步推斷零件的失效的可能原因和失效現(xiàn)象：

這里得清楚零件每個(gè)電性參數(shù)的含義，以及導(dǎo)致某個(gè)參數(shù)偏大或偏小的可能原因有哪些？

第四步：破壞性分析DPA

切片、零件拆解：

切片的方法：

怎么切？方向和位置如何來(lái)確定？

以下圖片就是切片的方向和位置

編輯：hfy