晶體管(transistor)是一種固體半導體器件(包括二極管、三極管、場效應管、晶閘管等,有時特指雙極型器件),具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
做模擬電路的工程師,都有過使用晶體管(場效應管也是晶體管中的一種)、運放的經(jīng)驗和體會。尤其是在設計時,更會對晶體管的一些電參數(shù)進行測試和考量。在測試時,許多人對晶體管電參數(shù)的實測值與規(guī)格書所提供的規(guī)范值,為什么會有很大差異,感到不可思議。
有時,一些工程師會用實測值來要求供應商,也有一些工程師會把一些特殊參數(shù)作為常規(guī)參數(shù)進行處理。這樣的后果就是整機產(chǎn)品一致性、重復性差,嚴重時還會出現(xiàn)達不到設計指標,更有甚者是在生產(chǎn)中出現(xiàn)大量損壞電子元器件的異常。
此時,許多工程師都會把眼光釘住那些損壞的晶體管上,以為是晶體管的質(zhì)量問題,導致的異常。殊不知晶體管的損壞,只是一個表面現(xiàn)象,而深層次的原因,往往是設計師自己造成的。引起這些問題的原因有很多,對工程師而言,在選用元器件時,對半導體器件電參數(shù)的片面理解,或許是個重要因素。說了晶體管中的一些參數(shù)的重要性,可能會有人非常好奇,這些晶體管器件內(nèi)部究竟是如何工作的?
切莫操之過急,且看下文詳解。
半導體
材料取自于元素周期表中金屬與非金屬的交界處。常溫下半導體導電性能介于導體與絕緣體之間。
本征半導體
純凈的具有晶體結(jié)構(gòu)的半導體稱為本征半導體。(由于不含雜質(zhì)且為晶體結(jié)構(gòu),所以導電性比普通半導體差)
常溫下,少數(shù)價電子由于熱運動獲得足夠的能量掙脫共價鍵的束縛成為自由電子。此時,共價鍵留下一個空位置,即空穴。原子因失去電子而帶正電,或者說空穴帶正電。在本征半導體外加一個電場,自由電子將定向移動產(chǎn)生電流;同時,價電子會按一定方向去依次填補空穴,相當于空穴也在定向移動,而且是跟電子反向的運動。本征半導體的電流是這兩個電流之和。運載電荷的粒子稱之為載流子。
當有一個自由電子的產(chǎn)生,必然會有一個空穴產(chǎn)生,所以自由電子與空穴對是同生同滅。當自由電子在運動中填補了一個空穴,此時兩者同時消失,這種現(xiàn)象稱之為復合。在一定溫度下,兩種載流子濃度相同,達到一種動態(tài)平衡。當溫度升高,熱運動會加劇,會有更多的電子掙脫束縛,會導致載流子濃度上升,從而打破這個平衡,溫度一定后會再次建立平衡。
雜質(zhì)半導體
通過擴散工藝,在本征半導體摻入某些元素,稱之為雜質(zhì)半導體。且雜質(zhì)半導體有以下兩種:
一 .N型半導體
在本征半導體加入+5價元素磷,由于加入了最外層為5個電子的元素,在形成共價鍵后會多出一個電子,這個電子就成了自由電子。因為這個半導體自由電子的個數(shù)多于空穴個數(shù),而電子帶負電,所以稱之為N(negative,負)型半導體。
二 .P型半導體
在本征半導體加入+3價元素硼,由于加入了最外層為3個電子的元素,在形成共價鍵后會多出一個空位,硅原子的最外層電子會去填補這個空位,從而會多出一個空穴。空穴帶正電,所以稱之為P(positive,正)型半導體。在N型半導體中,自由電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子;在P型半導體中,空穴為多數(shù)載流子,自由電子為少數(shù)載流子。
PN結(jié)的形成
采用某種工藝,可以將P型半導體和N型半導體制作在同一塊硅片上。由于濃度差,會產(chǎn)生擴散運動。同時,在P區(qū)N區(qū)交界處,多數(shù)載流子濃度降低,P區(qū)出現(xiàn)正離子區(qū),N區(qū)出現(xiàn)負離子區(qū),內(nèi)部會產(chǎn)生一個內(nèi)電場。該電場會產(chǎn)生一個運動去阻止擴散運動,這個運動稱為漂移運動。參與擴散運動和漂移運動的載流子數(shù)目相同,達到動態(tài)平衡就形成了PN結(jié)。
PN結(jié)的單向?qū)щ娦?
PN結(jié)的電容效應
PN結(jié)存在著等效電容(勢壘電容和擴散電容,兩者之和稱為結(jié)電容,具體省略),由于容抗跟頻率成反比,當加在PN結(jié)上的交流電頻率較高時,交流電就可以通過PN結(jié)的電容形成通路,PN結(jié)會失去單向?qū)щ姷奶匦浴?/p>
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