來源：羅姆半導體社區

概述一

1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。（公開宣布是在 1948 年 6 月 30 日）

晶體管是用于放大或切換電子信號和電功率的半導體器件。它由半導體材料組成，通常具有至少三個用于連接到外部電路的端子。施加到一對晶體管端子的電壓或電流控制通過另一對端子的電流。因為受控（輸出）功率可以高于控制（輸入）功率，所以晶體管可以放大信號。今天，一些晶體管是單獨封裝的，但是更多的晶體管被嵌入到集成電路中。

晶體管是現代電子設備的基本構件，并且在現代電子系統中無處不在。 Julius Edgar Lilienfeld在1926年獲得了一個場效應晶體管專利，但當時不可能真正構建一個工作裝置。第一個實際實現的裝置是由美國物理學家John Bardeen，Walter Brattain和William Shockley于1947年發明的點接觸晶體管。晶體管徹底改變了電子領域，為更小，更便宜的無線電，計算器和計算機等鋪平了道路。晶體管在電子設備的IEEE里程碑列表中。Bardeen，Brattain和Shockley分享了1956年諾貝爾物理學獎的成就。

2. 從鍺到硅

最初，晶體管是由鍺（半導體）做成的。
但是，鍺具有在80°C左右時發生損壞的缺點，因此現在幾乎都使用硅。
硅是可以耐180°C左右熱度的物質。

3. 晶體管的作用是"增幅"和"開關"。

比如收音機。放大空中傳播的極微弱信號，使音箱共鳴。這一作用便是晶體管的增幅作用。不改變輸入信號的波形，只放大電壓或電流。
這是模擬信號的情況，但是計算機等使用的數字信號中，晶體管起著切換0和1的開關作用。
IC及LSI歸根結底是晶體管的集合，其作用的基礎便是晶體管的增幅作用。

4. 集電阻和晶體管于一體

原來基板上的電阻和晶體管分別安裝，數字晶體管即是內置了電阻的晶體管。
數字晶體管有諸多優點如：
1. 安裝面積減少2. 安裝時間減3. 部件數量減少等等。

數字晶體管是ROHM的專利。
內置電阻的晶體管是由ROHM最早開發并取得專利的。

5. 基極是自來水的閥門，發射極是配管，集電極是水龍頭。

用自來水的構造來舉例說明晶體管的作用。把晶體管的3個引腳-基極、集電極和發射極分別視作自來水的閥門、水龍頭和配管。通過微小之力（即基極的輸入信號）來控制自來水的閥門，從而調節水龍頭而噴出的巨大的水量（即集電極電流）。借此，可以通俗地領會這一原理。

概述二

1. 按結構分類

根據工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。

雙極晶體管

雙是指Bi（2個）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經構成晶體管的半導體的電流由空穴（正極性）和電子（負極性）產生。一般而言的晶體管是指這種由硅構成的晶體管。

FET

Field Effect Transistor的簡稱，是指場效應晶體管。有接合型FET和MOS型FET以及GaAs型。
接合型FET多用于音頻設備等的模擬電路中，MOS型FET主要用于微控制器等數字IC。
GaAs型用于衛星廣播信號接收等的微波增幅。

※MOS

Metal Oxide Semiconductor的簡稱，因其構造分別是金屬 (Metal)、氧化物(Oxide)、半導體 (Semiconductor)，故稱MOS。

2. 按功率分類

主要以最大額定值的集電極功率PC進行區分的方法。大體分為小信號晶體管和功率晶體管，一般功率晶體管的功率超過1W。

小信號晶體管

最大集電極電流 (IC(max)) 在500mA以下，最大集電極功率 (PC(max)) 不超過1W的晶體管。相對功率晶體管而得名，一般以樹脂封裝居多，這是其特點之一。

功率晶體管

一般功率晶體管的功率超過1W。相比小信號晶體管擁有更大的最大集電極電流、最大集電極功率，對于散熱而言，它本身形狀就很大 ，有的功率晶體管上還覆蓋著金屬散熱片。

3. 按集成度分類

為滿足客戶需求，ROHM在分立式晶體管以外，還制造集成多個晶體管的復合晶體管。包括內置電阻的數字晶體管、集多個晶體管于一體的晶體管陣列，還有構成簡單電路的晶體管單元。

※數字晶體管
內置電阻的晶體管。它是在電路設計中將頻繁使用的部分標準化的產物。

4. 按形狀分類

根據功率及安裝形態，決定了晶體管的外形大小和形狀。大體分為引腳型和表面安裝型。

審核編輯黃昊宇