來(lái)源：羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

ROHM在以業(yè)界最快的trr（反向恢復(fù)時(shí)間）著稱(chēng)的PrestoMOS產(chǎn)品陣容中又新增了“R60xxMNx系列”產(chǎn)品。PrestMOS與標(biāo)準(zhǔn)的超級(jí)結(jié)MOSFET相比，trr減少約60%，從而大大降低了開(kāi)關(guān)損耗，促進(jìn)了白色家電和工業(yè)設(shè)備等電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和變頻器應(yīng)用的低功耗化發(fā)展。R60xxMNx系列新品是以“不僅保持現(xiàn)有R60xxFNx系列的高速trr性能，還要進(jìn)一步降低導(dǎo)通電阻和Qg（柵極總電荷量）并降低損耗”為目標(biāo)開(kāi)發(fā)而成的。一般而言，導(dǎo)通電阻和Qg存在權(quán)衡關(guān)系，但利用ROHM獨(dú)有的工藝技術(shù)和優(yōu)化技術(shù)優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)了兩者的高度平衡。
※PrestoMOS是ROHM的商標(biāo)。

開(kāi)關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗更低

短路耐受能力是指MOSFET在短路時(shí)達(dá)到損壞程度需要的時(shí)間。一般而言，當(dāng)發(fā)生短路時(shí)，會(huì)流過(guò)超出設(shè)計(jì)值的大電流，并異常發(fā)熱引起熱失控，最后可能導(dǎo)致?lián)p壞。要提高短路耐受能力，就涉及到與包括導(dǎo)通電阻在內(nèi)的性能之間的權(quán)衡。R60xxMNx系列通過(guò)優(yōu)化寄生雙極晶體管（熱失控的原因），使同樣也是電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中一個(gè)非常重要的課題–短路耐受能力得以提升。不僅trr速度更快，而且與競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品相比短路耐受能力大大提高。

抑制自啟動(dòng)帶來(lái)的損耗

自啟動(dòng)是指當(dāng)關(guān)斷狀態(tài)的MOSFET的Vds急劇變化（從0V到施加電壓）時(shí)，MOSFET的寄生電容充電導(dǎo)致Vgs超出閾值，MOSFET短時(shí)間導(dǎo)通的現(xiàn)象。

這種額外的導(dǎo)通時(shí)間當(dāng)然就成為損耗。

其典型案例是在同步整流轉(zhuǎn)換器中在低邊開(kāi)關(guān)處于關(guān)斷狀態(tài)下高邊開(kāi)關(guān)導(dǎo)通的時(shí)間點(diǎn)發(fā)生這種自啟動(dòng)。這就需要減緩高邊開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通時(shí)間以抑制dV/dt，或在低邊開(kāi)關(guān)的柵極-源極間增加外置電容以提高余量等外置電路對(duì)策。

而R60xxMNx系列則通過(guò)降低并優(yōu)化寄生電容，從而將自啟動(dòng)帶來(lái)的損耗控制在最低程度。

審核編輯黃昊宇