氮化鎵（GaN）為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的臺式AC-DC電源。氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導體材料。當在電源中使用時，GaN比傳統(tǒng)的硅具有更高的效率、更小的尺寸和更輕的重量。傳統(tǒng)硅晶體管的損耗有兩類，傳導損耗和開關損耗。功率晶體管是開關電源功率損耗的主要原因。為了阻止這些損耗，GaN晶體管（取代舊的硅技術）的發(fā)展一直受到電力電子行業(yè)的關注。

氮化鎵在關鍵領域比硅顯示出顯著的優(yōu)勢，這使得電源制造商能夠顯著提高效率。當電流流過晶體管時，開關損耗發(fā)生在開關狀態(tài)的轉(zhuǎn)換過程中。在給定的擊穿電壓下，GaN提供比硅更小的電阻和隨后的開關和傳導損耗，因此GaN適配器可以達到95%的效率。

氮化鎵對比硅具有的優(yōu)勢

由于GaN器件比硅具有更好的熱導率和更高的溫度，因此，電源的整體尺寸可能顯著減小，可以減少對熱管理組件的需求，如大型散熱器、機架或風扇。移除這些內(nèi)部元件，以及增加的開關頻率，使得電源不僅更輕，而且更緊湊。

晶體管的高速度、低電阻率和低飽和開關的優(yōu)點意味著它們有望在電力電子學中找到許多應用案例。因此，工業(yè)界正在研究新的電力電子系統(tǒng)結(jié)構(gòu)、電路拓撲和封裝解決方案，以實現(xiàn)和優(yōu)化GaN提供的各種系統(tǒng)優(yōu)勢。

GaN AC-DC臺式電源適配器

意識到GaN技術的好處，CUI公司推出了第一款GaN驅(qū)動的桌面適配器SDI200G-U和SDI200G-UD系列。

緊湊型新動力車型比非GaN同類產(chǎn)品輕32%，提供200瓦連續(xù)功率，設計用于各種便攜式工業(yè)和消費產(chǎn)品。重量的下降已經(jīng)看到了從820克大幅減少到560克，適配器提供了更高的開關頻率，這也使他們的體積減少了一半以上。這將功率密度從每立方英寸5.3瓦增加到11.4瓦/立方英寸。

SDI200G-U系列提供了一個三叉（C14）進氣口，而SDI200G-UD具有一個雙管腳（C8）進氣口。尺寸為5.91 x 2.13 x 1.3英寸（150 x 54 x 33毫米），SDI200G-U和SDI200G-UD符合UL/EN/IEC 62368-1和60950-1的要求。

這些臺式機適配器的特點是功率密度增加了250%，空載功耗低至210兆瓦，通用輸入電壓范圍為90至264伏交流電壓。SDI200G-U和SDI200G-UD為用戶提供了一個緊湊、高效的桌面適配器，適用于便攜式電源和產(chǎn)品美觀的應用。
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