在DRAM市場(chǎng)，三星、SK海力士、美光占據(jù)主導(dǎo)地位，國(guó)產(chǎn)DRAM也在加速發(fā)展，代表性企業(yè)有合肥長(zhǎng)鑫與紫光存儲(chǔ)，但技術(shù)方面與頭部廠商仍有較多大的差距。據(jù)中國(guó)閃存市場(chǎng)2020年二季度DRAM市場(chǎng)營(yíng)收數(shù)據(jù)顯示，三星、SK海力士、美光占據(jù)95%以上的市場(chǎng)份額，排名第四與第五的分別是南亞科技與華邦，分別占有市場(chǎng)份額的0.8%、0.9%。

電子發(fā)燒友對(duì)近期DRAM的主要廠商及產(chǎn)品作了梳理，具體數(shù)據(jù)如下所示：

三星

2020年2月25日，三星電子宣布首個(gè)智能手機(jī)16G LPDDR5，其數(shù)據(jù)傳輸速率達(dá)到550Mbps,相比上一代提升1.3倍，在有效降低20%功耗基礎(chǔ)上，同時(shí)擴(kuò)大了2倍的容量。此產(chǎn)品是基于三星的第二代10nm級(jí)處理技術(shù)，擁有業(yè)界最高的運(yùn)行性能與最大的存儲(chǔ)容量。

16GB LPDDR5是由8片12GB芯片和4片8GB芯片集成，增強(qiáng)了5G與AI功能，突出的性能表現(xiàn)讓其引領(lǐng)高端移動(dòng)存儲(chǔ)市場(chǎng)，豐富了圖形、游戲和攝影的展示。

SK海力士

2020年10月6日，SK海力士推出全球首款DDR5 DRAM，其芯片內(nèi)置型錯(cuò)誤糾正代碼（Error Correction Code,ECC）；內(nèi)置ECC能夠依靠自身功能修復(fù)DRAM單元（cell）單字節(jié)單位的錯(cuò)誤。受益于該特性，采用SK海力士DDR5 DRAM的系統(tǒng)的可信賴度有望提升二十倍。

作為新一代DRAM其數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)4800~5600Mbps，速率比上一代提升了1.8倍。與時(shí)同時(shí)，該產(chǎn)品的電壓由上一代的1.2V降低到1.1V,能減少20%的功耗，有利于倡導(dǎo)綠色環(huán)保發(fā)展道路，減少運(yùn)營(yíng)成本。

新一代DRAM首次采用PMIC，為其提供穩(wěn)定高效的電壓、電流，提高存儲(chǔ)效率。

美光

2020年3月11日，美光科技宣布推出uMCP5，采用LPDDR5 DRAM，由于建立在uMCP4框架的基礎(chǔ)上，使用Micron LPDDR5內(nèi)存來(lái)優(yōu)化5g網(wǎng)絡(luò)，與LPDDR4相比，效率提高了近20%，具有uMCP5的設(shè)備將支持最高6.4gbps的最大DRAM帶寬，與前幾代LPDDR技術(shù)相比增加了50%，美光的uMCP5還采用了最快的基于UFS3.1的存儲(chǔ)接口。這種芯片應(yīng)用于高端智能手機(jī)，提供高效率與低功耗，使得手機(jī)能夠更快處理數(shù)據(jù)密集的5G工作，此外在圖像識(shí)別、先進(jìn)人工智能與多攝像頭支持領(lǐng)域也被應(yīng)用。

南亞

南亞科技致力于DRAM之研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造與銷售，并在美國(guó)、歐洲、日本、大陸設(shè)立營(yíng)銷點(diǎn)，1月13日，南亞科自主研發(fā)10nm級(jí)DRAM技術(shù)，第一代的10納米前導(dǎo)產(chǎn)品8Gb DDR4、LPDDR4及DDR5將建構(gòu)在自主制程技術(shù)及產(chǎn)品技術(shù)平臺(tái)，2020下半年后將進(jìn)入產(chǎn)品試產(chǎn)第二代10nm制程技術(shù)已經(jīng)進(jìn)入研發(fā)階段，以往南亞科需要美光授權(quán)，此次10nm級(jí)內(nèi)存自研為降低授權(quán)費(fèi)用、提升性能以及技術(shù)創(chuàng)新提供有力支撐。

合肥長(zhǎng)鑫

今年底合肥長(zhǎng)鑫的產(chǎn)能就有可能超過(guò)7萬(wàn)片晶圓/月，這意味著他們有望超越南亞成為全球第四大DRAM芯片廠。目前長(zhǎng)鑫量產(chǎn)的DDR4/LPDDR4/LPDDR4X芯片主要還是19nm工藝的，相比三星等公司也要落伍2-3年時(shí)間，提升技術(shù)水平也是長(zhǎng)鑫的關(guān)鍵。在未來(lái)2-3年內(nèi)將推進(jìn)低功耗高速率LPDDR5 DRAM產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，要面向中高端移動(dòng)、平板及消費(fèi)類產(chǎn)品DRAM存儲(chǔ)芯片自主可控需求，研發(fā)先進(jìn)低功耗高速率LPDDR5產(chǎn)品并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。

東芯半導(dǎo)體

東芯半導(dǎo)體作為Fabless芯片企業(yè)，聚焦中小容量NAND、NOR、DRAM芯片的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售，是目前國(guó)內(nèi)可以同時(shí)提供NAND/NOR/DRAM/MCP設(shè)計(jì)工藝和產(chǎn)品方案的本土存儲(chǔ)芯片研發(fā)設(shè)計(jì)公司。在DRAM領(lǐng)域主要產(chǎn)品有DDR3與LPDDR系列。其中DDR3相對(duì)與DDR1/DDR2，東芯DDR3系列產(chǎn)品具有更高的傳輸率及更低的工作電壓。提供1.5V/1.35V兩種電壓模式，且擁有標(biāo)準(zhǔn)SSTL接口的DDR3 SDRAM,具有8n-bit。