導(dǎo)讀：在電子學(xué)上，通常將含有晶體管元件的電路稱作“有源電路”（如有源音箱、有源濾波器等），而僅由阻容元件組成的電路稱作“無(wú)源電路”。

1晶體振蕩器的種類

電腦中的晶體振蕩器分為無(wú)源晶振和有源晶振兩種類型。

無(wú)源晶振與有源晶振的英文名稱不同，無(wú)源晶振為 crystal（晶體），而有源晶振則叫做 oscillator（振蕩器）。

無(wú)源晶振是有 2 個(gè)引腳的無(wú)極性元件，需要借助于時(shí)鐘電路才能產(chǎn)生振蕩信號(hào)，自身無(wú)法振蕩起來(lái)，所以“無(wú)源晶振”這個(gè)說(shuō)法并不準(zhǔn)確；有源晶振有 4 只引腳，是一個(gè)完整的振蕩器，其中除了石英晶體外，還有晶體管和阻容元件，因此體積較大。

無(wú)源晶振和有源晶振的區(qū)別很多時(shí)候是大家直接通過(guò)觀察了解到的。尤其是針對(duì) 2520貼片晶振，3225貼片晶振， 5032貼片晶振，并且是四腳封裝的石英晶振來(lái)說(shuō)，包括有源晶振，也包括無(wú)源晶振。

2有源晶振

有源晶振介紹

有源晶振通常的用法：一腳懸空，二腳接地，三腳接輸出，四腳接電壓。

有源晶振不需要 DSP 的內(nèi)部振蕩器，信號(hào)質(zhì)量好，比較穩(wěn)定，而且連接方式相對(duì)簡(jiǎn)單（主要是做好電源濾波，通常使用一個(gè)電容和電感構(gòu)成的 PI 型濾波網(wǎng)絡(luò)，輸出 端用一個(gè)小阻值的電阻過(guò)濾信號(hào)即可），不需要復(fù)雜的配置電路。相對(duì)于無(wú)源晶體，有源晶振的缺陷是其信號(hào)電平是固定的，需要選擇好合適輸出電平，靈活性較 差，而且價(jià)格高。

有源晶振是由石英晶體組成的，石英晶片之所以能當(dāng)為振蕩器使用，是基于它的壓電效應(yīng)：在晶片的兩個(gè)極上加一電場(chǎng)，會(huì)使晶體產(chǎn)生機(jī)械變形；在石英晶片上加上 交 變電壓，晶體就會(huì)產(chǎn)生機(jī)械振動(dòng)，同時(shí)機(jī)械變形振動(dòng)又會(huì)產(chǎn)生交變電場(chǎng)，雖然這種交變電場(chǎng)的電壓極其微弱，但其振動(dòng)頻率是十分穩(wěn)定的。

當(dāng)外加交變電壓的頻率與 晶片的固有頻率（由晶片的尺寸和形狀決定）相等時(shí)，機(jī)械振動(dòng)的幅度將急劇增加，這種現(xiàn)象稱為“壓電諧振”。

壓電諧振狀態(tài)的建立和維持都必須借助于振蕩器電路才能實(shí)現(xiàn)。圖 3 是一個(gè)串聯(lián)型振蕩器，晶體管 T1 和 T2 構(gòu)成的兩級(jí)放大器，石英晶體 XT 與電容 C2 構(gòu)成 LC 電 路。在這個(gè)電路中，石英晶體相當(dāng)于一個(gè)電感，C2 為可變電容器，調(diào)節(jié)其容量即可使電路進(jìn)入諧振狀態(tài)。該振蕩器供電電壓為 5V，輸出波形為方波。

單片機(jī)的內(nèi)部時(shí)鐘與外部時(shí)鐘

單片機(jī)有內(nèi)部時(shí)鐘方式和外部時(shí)鐘方式兩種：

（1）單片機(jī)的 XTAL1 和 XTAL2 內(nèi)部有一片內(nèi)振蕩器結(jié)構(gòu)，但仍需要在 XTAL1 和 XTAL2 兩端連接一個(gè)晶振和兩個(gè)電容才能組成時(shí)鐘電路，這種使用晶振配合產(chǎn)生信號(hào)的方法是內(nèi)部時(shí)鐘方式；

（2）單片機(jī)還可以工作在外部時(shí)鐘方式下，外部時(shí)鐘方式較為簡(jiǎn)單，可直接向單片機(jī) XTAL1 引腳輸入時(shí)鐘信號(hào)方波，而 XTAL2 管腳懸空。

既然外部時(shí)鐘方式相對(duì)內(nèi)部較為方便，那為什么大多數(shù)單片機(jī)系統(tǒng)還是選擇內(nèi)部時(shí)鐘方式呢？

這是因?yàn)閱纹瑱C(jī)的內(nèi)部振蕩器能與晶振、電容構(gòu)成一個(gè)性能非常好的時(shí)鐘信號(hào)源，而如果要產(chǎn)生這樣的信號(hào)作為外部時(shí)鐘信號(hào)輸入到單片機(jī)中，則需要添加的器件遠(yuǎn)不止一個(gè)晶振和兩個(gè)電容這么簡(jiǎn)單。

時(shí)鐘電路在單片機(jī)系統(tǒng)中很重要，它能控制著單片機(jī)工作的節(jié)奏，是必不可少的部分。

晶振電路

晶振是晶體振蕩器的簡(jiǎn)稱，在電氣上它可以等效成一個(gè)電容和一個(gè)電阻并聯(lián)再串聯(lián)一個(gè)電容的二端網(wǎng)絡(luò)。

電工學(xué)上這個(gè)網(wǎng)絡(luò)有兩個(gè)諧振點(diǎn)，以頻率的高低分，其中較低的頻率是串聯(lián)諧振；較高的頻率是并聯(lián)諧振。

由于晶體自身的特性致使這兩個(gè)頻率的距離相當(dāng)?shù)慕咏谶@個(gè)極窄的頻率范圍內(nèi)，晶振等效為一個(gè)電感，所以只要晶振的兩端并聯(lián)上合適的電容它就會(huì)組成并聯(lián)諧振電路。

這個(gè)并聯(lián)諧振電路加到一個(gè)負(fù)反饋電路中就可以構(gòu)成正弦波振蕩電路，由于晶振等效為電感的頻率范圍很窄，所以即使其他元件的參數(shù)變化很大，這個(gè)振蕩器的頻率也不會(huì)有很大的變化。

晶振有一個(gè)重要的參數(shù)——負(fù)載電容值，選擇與負(fù)載電容值相等的并聯(lián)電容，就可以得到晶振標(biāo)稱的諧振頻率。

一般的晶振振蕩電路都是在一個(gè)反相放大器（注意是放大器不是反相器）的兩端接入晶振，再有兩個(gè)電容分別接到晶振的兩端，每個(gè)電容的另一端再接到地，這兩個(gè)電容串聯(lián)的容量值就應(yīng)該等于負(fù)載電容。

請(qǐng)注意一般 IC 的引腳都有等效輸入電容，這個(gè)不能忽略。一般的晶振的負(fù)載電容為 15pF 或 12.5pF，如果再考慮元件引腳的等效輸入電容，則兩個(gè) 22pF 的電容構(gòu)成晶振的振蕩電路就是比較好的選擇。

晶振是給單片機(jī)提供工作信號(hào)脈沖的 這個(gè)脈沖就是單片機(jī)的工作速度 比如 12M 晶振 單片機(jī)工作速度就是每秒 12M 當(dāng)然 單片機(jī)的工作頻率是有范圍的不能太大 一般 24M 就不上去了 不然不穩(wěn)定。

晶振與單片機(jī)的腳 XTAL0 和腳 XTAL1 構(gòu)成的振蕩電路中會(huì)產(chǎn)生偕波（也就是不希望存在的其他頻率的波） 這個(gè)波對(duì)電路的影響不大 但會(huì)降低電路的時(shí)鐘振蕩器的穩(wěn)定性 為了電路的穩(wěn)定性起見 ATMEL 公司只是建議在晶振的兩引腳處接入兩個(gè) 10pf-50pf 的瓷片電容接地來(lái)削減偕波對(duì)電路的穩(wěn)定性的影響 所以晶振所配的電容在 10pf-50pf 之間都可以的 沒(méi)有什么計(jì)算公式。

晶振電路中如何選擇電容 C1，C2？

（1）因?yàn)槊恳环N晶振都有各自的特性，所以 按制造廠商所提供的數(shù)值選擇外部元器件。

（2）在許可范圍內(nèi)，C1，C2 值越低越好。C 值偏大雖有利于振蕩器的穩(wěn)定，但將會(huì)增加起振時(shí)間。

（3）應(yīng)使 C2 值大于 C1 值，這樣可使上電時(shí)，加快晶振起振。

在石英晶體諧振器和陶瓷諧振器的應(yīng)用中，需要注意負(fù)載電容的選擇。

不同廠家生產(chǎn)的石英晶體諧振器和陶瓷諧振器的特性和品質(zhì)都存在較大差異，在選用，要了解該型號(hào)振蕩器的關(guān)鍵指標(biāo)，如等效電阻，廠家建議負(fù)載電容，頻率偏差等。在實(shí)際電路中，也可以通過(guò)示波器觀察振蕩波形來(lái)判斷振蕩器是否工作在狀態(tài)。

示波器在觀察振蕩波形時(shí)，觀察 OSCO 管腳（Oscillator output），應(yīng)選擇 100MHz 帶寬以上的示波器探頭，這種探頭的輸入阻抗高，容抗小，對(duì)振蕩波形相對(duì)影響小。

（由于探頭上一般存在 10～20pF 的電容，所以觀測(cè)時(shí)，適當(dāng)減小在 OSCO 管腳的電容可以獲得更接近實(shí)際的振蕩波形。）

工作良好的振蕩波形應(yīng)該是一個(gè)漂亮的正弦波，峰峰值應(yīng)該大于電源電壓的 70%。若峰峰值小于 70%，可適當(dāng)減小 OSCI 及 OSCO 管腳上的外接負(fù)載電容。反之，若峰峰值接近電源電壓且振蕩波形發(fā)生畸變，則可適當(dāng)增加負(fù)載電容。

用示波器檢測(cè) OSCI（Oscillator input）管腳，如何解決容易導(dǎo)致振蕩器停振的問(wèn)題？

部分的探頭阻抗小不可以直接測(cè)試，可以用串電容的方法來(lái)進(jìn)行測(cè)試。

如常用的 4MHz 石英晶體諧振器，通常廠家建議的外接負(fù)載電容為 10～30pF 左右。若取中心值 15pF，則 C1，C2 各取 30pF 可得到其串聯(lián)等效電容值 15pF。同時(shí)考慮到還另外存在的電路板分布電容，芯片管腳電容，晶體自身寄生電容等都會(huì)影響總電容值，故實(shí)際配置 C1，C2 時(shí)，可各取 20～15pF 左右。并且 C1，C2 使用瓷片電容為佳。

晶振電路中為什么用 22pf 或 30pf 的電容而不用別的？

其實(shí)單片機(jī)和其他一些 IC 的振蕩電路的真名叫“三點(diǎn)式電容振蕩電路”，如下圖

Y1是晶體，相當(dāng)于三點(diǎn)式里面的電感，C1和C2就是電容，5404非門和R1 實(shí)現(xiàn)一個(gè)NPN的三極管，接下來(lái)分析一下這個(gè)電路。

5404必須要一個(gè)電阻，不然它處于飽和截止區(qū)，而不是放大區(qū)，R1 相當(dāng)于三極管的偏置作用，讓 5404 處于放大區(qū)域，那么 5404 就是一個(gè)反相器，這個(gè)就實(shí)現(xiàn)了 NPN 三極管的作用，NPN 三極管在共發(fā)射極接法時(shí)也是一個(gè)反相器。

大家知道一個(gè)正弦振蕩電路要振蕩的條件是，系統(tǒng)放大倍數(shù)大于 1，這個(gè)容易實(shí)現(xiàn)，相位滿足 360 度，與晶振振蕩頻率相同的很小的振蕩就被放大了。接下來(lái)主要講解這個(gè)相位問(wèn)題：

5404 因?yàn)槭欠聪嗥?，也就是說(shuō)實(shí)現(xiàn)了 180°移相，那么就需要 C1，C2 和 Y1 實(shí)現(xiàn) 180°移相就可以，恰好，當(dāng) C1，C2，Y1 形成諧振時(shí)，能夠?qū)崿F(xiàn) 180 移相，這個(gè)大家可以解方程等，把 Y1 當(dāng)作一個(gè)電感來(lái)做。也可以用電容電感的特性，比如電容電壓落后電流 90°，電感電壓超前電流 90°來(lái)分析，都是可以的。當(dāng) C1 增大時(shí)，C2 端的振幅增強(qiáng)，當(dāng) C2 降低時(shí)，振幅也增強(qiáng)。有些時(shí)候 C1，C2 不焊也能起振，這個(gè)不是說(shuō)沒(méi)有 C1，C2，而是因?yàn)樾酒_的分布電容引起的，因?yàn)楸緛?lái)這個(gè) C1，C2 就不需要很大，所以這一點(diǎn)很重要。接下來(lái)分析這兩個(gè)電容對(duì)振蕩穩(wěn)定性的影響。

因?yàn)?5404 的電壓反饋是靠 C2 的，假設(shè) C2 過(guò)大，反饋電壓過(guò)低，這個(gè)也是不穩(wěn)定，假設(shè) C2 過(guò)小，反饋電壓過(guò)高，儲(chǔ)存能量過(guò)少，容易受外界干擾，也會(huì)輻射影響外界。C1 的作用對(duì) C2 恰好相反。因?yàn)槲覀儾及宓臅r(shí)候，假設(shè)雙面板，比較厚的，那么分布電容的影響不是很大，假設(shè)在高密度多層板時(shí)，就需要考慮分布電容。

有些用于工控的項(xiàng)目，建議不要用無(wú)源晶振的方法來(lái)起振，而是直接接有源晶振。也是主要由于無(wú)源晶振需要起振的原因，而工控項(xiàng)目要求穩(wěn)定性要好，所以會(huì)直接用有源晶振。在有頻率越高的頻率的晶振，穩(wěn)定度不高，所以在速度要求不高的情況下會(huì)使用頻率較低的晶振。

如何判斷電路中晶振是否被過(guò)分驅(qū)動(dòng)？

電阻 RS 常用來(lái)防止晶振被過(guò)分驅(qū)動(dòng)。

過(guò)分驅(qū)動(dòng)晶振會(huì)漸漸損耗減少晶振的接觸電鍍，這將引起頻率的上升。可用一臺(tái)示波器檢測(cè) OSC 輸出腳，如果檢測(cè)一非常清晰的正弦波，且正弦波的上限值和下限值都符合時(shí)鐘輸入需要，則晶振未被過(guò)分驅(qū)動(dòng)。

相反，如果正弦波形的波峰，波谷兩端被削平，而使波形成為方形，則晶振被過(guò)分驅(qū)動(dòng)。這時(shí)就需要用電阻 RS 來(lái)防止晶振被過(guò)分驅(qū)動(dòng)。

判斷電阻 RS 值大小的 簡(jiǎn)單的方法就是串聯(lián)一個(gè) 5k 或 10k 的微調(diào)電阻，從 0 開始慢慢調(diào)高，一直到正弦波不再被削平為止。通過(guò)此辦法就可以找到 接近的電阻 RS 值。

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